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[发明专利]一种制备金属包壳高温相变储热微胶囊的方法以及由此得到的储热微胶囊-CN201811197058.4有效
发明人：张锋;林俊;杨旭;李子威;王鹏;仲亚娟;朱智勇 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备金属包壳高温相变储热微胶囊的方法，包括：提供直径为20‑2000μm的金属相变材料微球；将所述金属相变材料微球装入高温流化床化学气相沉积装置的反应管中，通入惰性气体以使得所述金属相变材料微球形成稳定的喷动状态，调节温度至第一裂解温度；切换氢气和第一金属前驱体的混合气体，使得所述第一金属前驱体在所述第一裂解温度下裂解以形成第一金属，且该第一金属沉积包覆在金属相变材料微球的外表面以形成第一金属包壳微球；切换惰性气体并降低温度至室温，得到金属包壳高温相变储热微胶囊。本发明还提供一种由此制备的金属包壳高温相变储热微胶囊。根据本发明的方法，工艺简单、成品率高，适合大规模生产。
一种制备金属高温相变微胶囊方法以及由此得到

[发明专利]相变储能材料/石墨烯/多孔陶瓷复合热管理材料及其制备方法和应用-CN201210349754.9无效
发明人：黄富强;周密 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明涉及相变储能材料/石墨烯/多孔陶瓷复合热管理材料及其制备方法和应用，所述材料包括：石墨烯/多孔陶瓷导热/导电材料、以及填充在所述石墨烯/多孔陶瓷导热/导电材料中的相变储能材料，其中石墨烯/多孔陶瓷导热/导电材料包括多孔陶瓷基底及沉积在其上的石墨烯。本发明提供的复合热管理材料可以有效解决解决现有技术中存在的相变储能材料热交换性能低问题，对相变储能复合材料研究和应用具有极大意义。
相变材料石墨多孔陶瓷复合管理及其制备方法应用

[发明专利]提高膜厚均匀性的物理气相沉积方法-CN202211417179.1在审
发明人：周成龙;邱宗钰;谷丹;王康康;李淮斌 -专利权人：江苏时代芯存半导体有限公司;北京时代全芯存储技术股份有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种提高膜厚均匀性的PVD方法，该方法包括：通气步骤：通过供气装置向腔室中通入氩气；点火步骤：通过直流磁控装置向腔室中的氩气放电，使氩气电离为氩离子，氩离子轰击相变材料靶材，将相变材料靶材中的相变材料的原子轰击出来；沉积步骤：相变材料的原子沉积在晶圆的上表面，形成相变材料薄膜，并且通过供气装置向所述腔室中通入氧气；降温步骤：直流磁控装置停止向腔室中的氩气放电，供气装置停止向腔室中通入氧气，供气装置继续向腔室中通入氩气
提高均匀物理沉积方法

[发明专利]一种山前地区沉积相带分布范围勘测方法-CN201911286459.1有效
发明人：文华国;徐文礼;夏攀;陈馨 -专利权人：成都理工大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F16/532 文献下载
摘要：本发明提供一种山前地区沉积相带分布范围勘测方法,通过将所采集得到的测井曲线中的曲线形态与预设的标准测井曲线的标准曲线形态进行图形比对，根据预设的标准测井曲线的标准曲线形态确定采集到的测井曲线中的曲线形态的具体类型，避免了由于人为因素而导致测井曲线中曲线形态的误判，本发明基于简单的图像比对的方法，实现了准确确定测井曲线的曲线形态的类型，从而确保后续准确确定环境中沉积相带分布情况。
一种山前地区沉积相分布范围勘测方法

[发明专利]一种采用电镀与化学气相沉积相结合制备复合粘结层的方法以及复合粘结层-CN202111085243.6有效
发明人：张恒;许宝文;刘原;宫声凯 -专利权人：北航(四川)西部国际创新港科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C25D5/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用电镀与化学气相沉积相结合制备复合粘结层的方法以及复合粘结层，涉及涂层制备技术领域。本发明提供了一种采用电镀与化学气相沉积相结合制备复合粘结层的方法，包括以下步骤：在基体表面依次电镀Ru和电镀Pt，得到Ru‑Pt复合镀层；将所述Ru‑Pt复合镀层进行真空热处理，得到Pt‑Ru‑Pt复合镀层；将所述Pt‑Ru‑Pt复合镀层进行化学气相沉积渗铝，得到复合粘结层。
一种采用电镀化学沉积相结合制备复合粘结方法以及

[发明专利]一种提高成品率的相变存储器及制备方法-CN201910759489.3有效
发明人：缪向水;周凌珺;童浩 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高成品率的相变存储器，其中，包括依次设置的：一衬底材料层；一第一电极；一粘附层；一绝缘介质材料层；一相变材料层；一第二电极；在底部电极上增加了粘附层，增强了绝缘介质材料层与底部电极的粘附性，保证了后续工艺沉积的薄膜牢固；而且，在完成绝缘介质材料层的刻蚀后，在刻蚀工艺中采用了过刻蚀工艺，过刻蚀粘附层形成接触孔，既保证了绝缘介质材料层刻蚀干净，又保证了后续沉积的相变材料层与底部电极接触良好，
一种提高成品率相变存储器制备方法

[发明专利]钨酸铅壳体相变微胶囊及其制备方法-CN201810389487.5有效
发明人：杨文彬;娄兰;蒋卓妮;何方方;范敬辉;张凯 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种钨酸铅壳体相变微胶囊及其制备方法，包括：将相变材料、柠檬酸盐、乳化剂溶液和去离子水混合，乳化，得到相变材料乳液；取铅盐溶液滴入相变材料乳液中，搅拌，然后将钨酸盐溶液滴入相变材料乳液，搅拌，铅盐和钨酸盐通过沉淀反应生成钨酸铅沉积在相变材料乳滴表面，形成包覆芯材的壳体；将反应后的体系冷却至室温，取出相变微胶囊，用去离子水洗涤，烘干，得到钨酸铅壳体相变微胶囊。本发明制备的钨酸铅壳体相变微胶囊解决了相变材料的泄漏、相分离及过冷问题以及热导率不高的技术问题。同时，钨酸铅壳体和石蜡相变材料具有的屏蔽γ‑射线和中子能力，也使该钨酸铅壳体相变微胶囊具有相变储能和防辐射双功能。
钨酸铅壳体相变微胶囊及其制备方法

[发明专利]相变存储器接触电极的制备方法及相变存储器接触电极-CN201310471274.4在审
发明人：孔涛;卫芬芬;黄荣;张杰;程国胜 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供的相变存储器接触电极的制备方法和相变存储器接触电极，在沉积有金属催化剂层的加热电极表面沉积石墨烯层，有效利用了石墨烯的高平整度，而且仅在覆盖有催化剂的加热电极表面进行沉积，无需进一步的平坦化工艺，工艺简单；同时，石墨烯具有紧密的碳原子排列，其中的层内碳原子之间按照sp2杂化的共价键结合，具有较强的作用力，可极大地抑制相变存储材料原子扩散入加热电极之中，从而保证了相变存储材料与加热电极的组分与物性的一致；另外，石墨烯厚度可控制在0.3～10nm，且具有极高的导热系数，保证了加热电极效率，能很好地满足相变存储器的应用需求。
相变存储器接触电极制备方法

[发明专利]一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺-CN200610024251.9有效
发明人：宋志棠;刘奇斌;张楷亮;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～10％，表面活性剂0.1～5％(均为wt％)，余量为去离子水湿法刻蚀工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以及相变材料膜；(2)在相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外的金属Pt或Au；(5)用刻蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积SiO₂，形成的器件结构。本工艺充分利用刻蚀液的正向和侧向刻蚀，在有效控制刻蚀速率的条件下，用微米加工工艺制作了纳米相变存储器结构；制作之后离子对器件无污染，便于清洗、加工和废液处理成本低。
一种制作相变存储器用湿法刻蚀及其工艺

[发明专利]一种测量等离子体推进器不同区域壁面侵蚀率的方法-CN202210972200.8在审
发明人：黄天源;李茂洋;季佩宇;吴雪梅 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：包括制备定标薄膜样品，其步骤为：将带孔的掩模放置在石英基片上，采用磁控溅射设备，在石英基片上进行溅射沉积，沉积完成后揭开掩模，得到定标薄膜样品，采用台阶仪和扫描电子显微镜，完成定标薄膜厚度的测量。本发明定标薄膜样品沉积在石英基片上，且掩模同样采用石英材质，不会对等离子体推进器的等离子体性能造成太大的干扰和污染，此外，可根据不同的等离子体推进器壁面材料类型，沉积相同材质的定标薄膜。
一种测量等离子体推进器不同区域侵蚀方法

[发明专利]一种高密度相变存储器的制备方法-CN202210743335.7在审
发明人：李程兴;周夕淋;刘卫丽;宋志棠 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度相变存储器的制备方法，通过三步刻蚀工艺将相变材料图形化，并将表面的残留聚合物去除或是通过在刻蚀后沉积填充材料再抛光，将表面的残留聚合物去除。本发明有利于改善相变材料刻蚀形貌以及提升产品良品率，具有良好的市场应用前景。
一种高密度相变存储器制备方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN201811607328.4在审
发明人：陆连;朱轶铮 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供的集成电路的制造方法，主要包括了在淀积完结构层后，在该结构层上涂上有机涂层材料，形成有机涂层材料层；在刻蚀时，用经过刻蚀形成图案的有机涂层材料层作为掩模对该结构层进行刻蚀。由于，该有机涂层材料具有流动性，在该有机涂层材料的上表面形成一平面，在该平面的基础上再沉积相关材料厚度一致，进行刻蚀时关键尺寸——宽度一致，该集成电路的性能得到改善。
有机涂层材料刻蚀结构层集成电路厚度一致宽度一致平面的上表面再沉积淀积掩模制造图案

[发明专利]具有相变元件的存储器单元及其形成方法-CN201410087427.X有效
发明人：郑怀瑜;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有相变元件的存储器单元及其形成方法。为了形成一个具有相变元件的存储器单元，一开孔是形成通过一绝缘体到达一底电极，且一相变材料是沉积在覆盖开孔的绝缘体表面上。一限制结构形成在相变材料上面，所以相变材料在被加热至熔化时扩张进入开孔中，变成电性连接至底电极。一顶电极形成在相变材料上面并电性连接至相变材料。底电极可包括一主要部分以及具有一缩小横向尺寸的一延伸部。限制结构可包括覆盖材料，其具有比相变材料更高的熔化温度，且当相变材料熔化及扩张时有足够抗拉强度以确保相变材料移动进入开孔中。开孔可以是一J形开孔。
具有相变元件存储器单元及其形成方法

[发明专利]用于相变存储器的加热电极材料及制备方法-CN200610023390.X有效
发明人：刘波;宋志棠;封松林;陈邦明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及可用于相变存储器的加热电极材料及制备方法；所述的加热电极材料为至少含Ge元素的加热电极材料，通式为Ge_xW_yN_1－x－y、Gex－y、Ge_xW_yO_1－x－y、Ge_xTi_yO_1－x－y等材料中的一种，式中的x和y是指元素的原子百分比，且满足：0＜x≤1；0≤y＜1；0＜x+y≤1；所述的相变存储器加热电极材料制备所采用的工艺为溅射法、蒸发法、原子层沉积法、化学气相沉积法、金属有机物热分解法或激光辅助沉积法中任意一种；与传统的相变存储器电极材料W、TiN、TiON和等TiAlN相比，Ge基加热电极材料具有与相变材料黏附性好、电阻高等优点，可提高器件的加热效率，降低器件的功耗。
用于相变存储器加热电极材料制备方法

[发明专利]碳酸盐岩储层岩性岩相测井识别方法、装置及存储介质-CN201911247912.8在审
发明人：赖锦;刘士琛;王松;周正龙;凡雪纯;庞小娇;王贵文;解宇强;刘秉昌;包萌;陈康军 -专利权人：中国石油大学(北京)
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G01V11/00 文献下载
摘要：所述方法包括：根据岩心资料和薄片资料确定目标区域碳酸盐岩储层的沉积相类型；根据测井曲线和目标区域碳酸盐岩储层的沉积相类型确定目标区域碳酸盐岩储层的沉积亚相类型；根据目标区域碳酸盐岩储层的沉积亚相类型和岩性岩相类型特征
碳酸盐岩储层岩性岩相测井识别方法装置存储介质