“氮等离子体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5155282个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]等离子体沉积-CN201080017095.8有效
发明人：盖·詹姆斯·雷诺兹;康纳·尼古拉斯·马丁;彼得·格洛瓦茨基;玛丽-皮埃尔·弗朗索瓦兹·温特伯特埃普富凯;萨蒂亚纳拉扬·巴利克;帕特里克·坡-曾·陈 -专利权人：盖利姆企业私人有限公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：一种用于在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物薄膜的装置，装置包含从氮源产生氮等离子体的等离子体发生器，反应室，在所述反应室中使包含第Ⅲ族金属的反应物和来自于氮等离子体的活性氮物种反应以在基片上沉积第Ⅲ族金属氮化物，便于氮等离子体从等离子体发生器进入反应室的通过的等离子体入口，和具有有一个或多个供氮等离子体通过的流动通道的挡板。挡板位于等离子体的入口和基片之间，并且防止等离子体入口和基片之间的氮等离子体的直线通过。
等离子体沉积

[发明专利]一种等离子体脱氮装置及其使用方法-CN201811020406.0在审
发明人：吴以伯;闫承凯 -专利权人：大渊环境技术（厦门）有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体脱氮装置，包括等离子体机和脱氮池，其中等离子体机包括等离子体发生器和脉冲电源，等离子体发生器内包括至少一组电极，用于产生等离子体，等离子体发生器的入口用于污水进入；脱氮池包括壳体和设置在所述壳体内的脱氮区、净水区和污泥收集区，所述脱氮区的侧壁上设有进水口，所述净水区的侧壁上设有出水口；所述脱氮区内设有布水器，用于将污水均匀分布于所述脱氮区内，所述布水器的输入口通过所述进水口与上述等离子体发生器的出口连通，所述布水器的输出口设置在所述脱氮区的底部。本发明能够高效去除污染水体中的总氮和氨氮，同时能辅助净化水体中的COD、BOD、总磷和色度，且提高水体溶解氧浓度。
等离子体发生器等离子体布水器脱氮区等离子体机脱氮装置进水口净水区脱氮池侧壁脱氮水体溶解氧污泥收集区污水脉冲电源污染水体电极出水口输出口输入口氨氮壳体去除色度总氮总磷连通水体体内净化出口

[发明专利]助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法-CN202111101213.X有效
发明人：司志伟;刘宗亮;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：所述系统包括助熔剂法氮化物单晶生长设备，以及，所述的系统还包括N等离子体发生器，所述的N等离子体发生器至少用于：对所述氮化物单晶生长所需的籽晶和/或衬底进行N等离子体处理，以使所述籽晶和/或衬底表面产生缺陷位点；和/或，提供N等离子体作为所述氮化物单晶生长所需的氮源。本发明实施例提供的一种提升氮源溶解度的助熔剂法氮化物单晶均匀化生长的方法，采用氮等离子体发生器产生氮等离子体，然后利用氮等离子体处理籽晶/衬底，并且利用氮等离子体发生器产生氮等离子体作为氮源，从而能够同时提升氮化物单晶的生长均匀性以及晶体生长质量
熔剂均匀化生氮化物系统方法

[实用新型]提升氮源溶解度的半导体晶体的生长系统-CN202122274600.5有效
发明人：司志伟;刘宗亮;徐科 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C30B19/02 文献下载
摘要：所述系统包括助熔剂法半导体晶体生长设备，以及，所述的系统还包括N等离子体发生器，所述的N等离子体发生器至少用于：对所述半导体晶体生长所需的籽晶和/或衬底进行N等离子体处理，以使所述籽晶和/或衬底表面产生缺陷位点；和/或，提供N等离子体作为所述半导体晶体生长所需的氮源。本实用新型提供的一种提升氮源溶解度的半导体晶体的生长系统，采用氮等离子体发生器产生氮等离子体，然后利用氮等离子体处理籽晶/衬底，并且利用氮等离子体发生器产生氮等离子体作为氮源，从而能够同时提升半导体晶体的生长均匀性以及晶体生长质量
提升溶解度半导体晶体生长系统

[发明专利]等离子体氮化处理方法-CN201180007125.1无效
发明人：出张俊宪;佐野正树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：一种等离子体氮化处理方法，在等离子体处理装置的处理容器中被处理体进行高氮剂量的等离子体氮化处理后，进行低氮剂量的等离子体氮化处理。在高氮剂量条件的等离子体氮化处理结束后，向同一上述处理容器内导入稀有气体、氮气和氧气，在处理容器内的压力为（532Pa）以上（833Pa）以下、全部处理气体中氧气的体积流量比为（1.5％）以上（5％）以下的条件下，利用添加有微量氧的氮等离子体对处理容器内进行等离子体陈化处理。
等离子体氮化处理方法

[发明专利]等离子体辅助氮表面处理-CN03810278.1无效
发明人： D·库马尔;S·库马尔 -专利权人：达纳公司
申请日： 2003-05-07 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本发明提供了用于等离子体辅助氮表面处理的方法和系统。该方法包括在等离子体催化剂存在的情况下使气体受到电磁辐射来激发含氮的等离子体。将物体的表面区域暴露于等离子体一段足够长的时间以将至少一些氮通过表面区域从等离子体转移到物体。
等离子体辅助表面处理

[发明专利]以软性含氮等离子体来形成超薄栅介电层的方法-CN02102710.2有效
发明人：骆统;林经祥;黄燿林 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-01-23 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种以软性含氮等离子体来形成超薄栅介电层的方法。先以软性含氮等离子体来氮化基底的表面以进行预氮化步骤，在此步骤中使用软性含氮等离子体以氮化基底的表面。此软性含氮等离子体的等离子体密度约为109－1013cm－3。再对基底进行热氧化步骤，将基底的表面氧化以形成超薄栅介电层于基底的表面上。本发明利用软性含氮等离子体先均匀地氮化基底表面以控制后续所形成氧化层的厚度。此方法可避免现有以离子注入法将氮离子直接注入基底时，对基底造成表面结构损伤的问题。
软性等离子体形成超薄栅介电层方法

[实用新型]一种等离子体脱氮装置-CN201821437129.9有效
发明人：吴以伯;闫承凯 -专利权人：大渊环境技术（厦门）有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C02F9/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体脱氮装置，包括等离子体机和脱氮池，其中等离子体机包括等离子体发生器和脉冲电源，等离子体发生器内包括至少一组电极，用于产生等离子体，等离子体发生器的入口用于污水进入；脱氮池包括壳体和设置在所述壳体内的脱氮区、净水区和污泥收集区，所述脱氮区的侧壁上设有进水口，所述净水区的侧壁上设有出水口；所述脱氮区内设有布水器，用于将污水均匀分布于所述脱氮区内，所述布水器的输入口通过所述进水口与上述等离子体发生器的出口连通，所述布水器的输出口设置在所述脱氮区的底部。本实用新型能够高效去除污染水体中的总氮和氨氮，同时能辅助净化水体中的COD、BOD、总磷和色度，且提高水体溶解氧浓度。
等离子体发生器等离子体布水器脱氮区本实用新型等离子体机脱氮装置进水口净水区脱氮池侧壁脱氮水体溶解氧污泥收集区污水脉冲电源污染水体电极出水口输出口输入口氨氮壳体去除色度总氮总磷连通水体体内净化出口

[发明专利]等离子体处理方法-CN200610085008.8无效
发明人：本多稔;中西敏雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供一种可以利用等离子体将硅直接氮化，形成质量优异的氮化膜的技术。本发明涉及一种等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氮等离子体作用于被处理体表面上的硅，进行直接氮化处理，形成氮化硅膜，其特征在于，包括：在由所述含氮等离子体中的自由基成分引发的氮化反应成为支配的条件下进行等离子体处理的第一步骤，和在由上述含氮等离子体中的离子成分引发的氮化反应成为支配的条件下进行等离子体处理的第二步骤。
等离子体处理方法

[发明专利]基于等离子体活化和化学链相耦合的常压制氨装置及方法-CN202211536646.2在审
发明人：张浩;程思哲;隆颜徽;张奕麟;王君;黄群星;李晓东;严建华 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于等离子体活化和化学链相耦合的常压制氨装置及方法，首先将N2通入并驱动等离子体反应器，形成等离子体射流反应区，惰性的N2经等离子体活化作用形成以振动激发态为主的高活性氮分子。等离子体高速射流驱动载氮体形成流态化反应区，发生高效吸氮反应，通过旋风分离器实现气/固分离，载氮体进而进入释氮反应器中与电解出的氢气发生释氮反应，产生高纯度氨气。完成释氮反应后，载氮体回到氮气等离子体射流区进行吸氮反应。本发明采用等离子体实现N2的常压高效活化，借助化学链制氨反应能垒低，副产物小以及载氮体在吸氮、释氮反应区间的循环的特点，利用多级反应实现N2
基于等离子体活化化学耦合压制装置方法

[发明专利]一种稀土化合物辅助加速等离子体渗氮的方法-CN202110322311.X在审
发明人：杨阳;张世宏;周祥 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C23C8/02 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体渗氮技术领域，具体涉及一种稀土化合物辅助等离子体渗氮技术，先对试样抛光至镜面并清洗，然后配制稀土化合物前驱体溶液，利用悬涂法或刮涂法在合金表面制备稀土化合物薄膜，最后对合金进行等离子体辅助渗氮技术处理；这种稀土化合物辅助加速等离子体渗氮的方法，解决了等离子体渗氮时为了提高渗层厚度而升温导致氮化层晶粒长大、增加了能耗，降低了生产效率的问题。
一种稀土化合物辅助加速等离子体方法

[发明专利]一种智能控制的等离子体空气快速灭菌装置-CN202111181130.6在审
发明人：沈洁;陈根;方世东 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种智能控制的等离子体空气快速灭菌装置，包括：依次连接的反应段、混合段、催化反应段；所述反应段包括截面为三角形的锥形反应室、两个呈预定夹角布置的等离子体发生器；在等离子体发生器出口及交点处形成立体等离子体处理区，含菌气体在此与等离子体充分作用，达到快速杀菌的作用；所述两个等离子体发生器分别稳定工作于不同等离子体模式，其中，第一等离子体发生器工作于含氧模式，等离子体处理区产生氧活性物质；第二等离子体发生器工作于含氮模式等离子体处理区产生氮活性物质；所述第一等离子体发生器、第二等离子体发生器工作条件，需满足功率P1P2，流量Q1Q2。
一种智能控制等离子体空气快速灭菌装置

[发明专利]用于含硅和氮的薄膜的干式蚀刻-CN201280040226.3有效
发明人： Y·王;A·王;J·张;N·K·英格尔;Y·S·李 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：现描述一种蚀刻图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的方法，且该方法包括由含氟前驱物及含氧前驱物所形成的远端等离子体蚀刻。来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，等离子体流出物在基板处理区域中与暴露的含硅与氮材料区域反应。等离子体流出物与图案化异质结构反应，以自暴露的含硅与氮材料区域选择地移除含硅与氮材料，同时非常缓慢地移除其它暴露的材料。含硅与氮材料的选择性部分起因于位于远端等离子体与基板处理区域之间的离子抑制元件的存在。离子抑制元件减少或实质上消除抵达基板的带离子电荷物质的数量。可使用该方法以较氧化硅的移除速率快二十倍以上的速率选择地移除含硅与氮材料。
用于薄膜蚀刻

[发明专利]用于远程等离子体处理的室调节-CN202110637340.5在审
发明人：王德琪;刘刚;阿南德·查德拉什卡;杨宗翰;约翰·W·格里斯沃尔德 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于远程等离子体处理的室调节。本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理的室调节，特别地涉及远程的基于氮的等离子体处理。本公开的某些实现方式涉及用于特征填充的包括室调节的远程等离子体抑制处理。本公开的实施方式涉及在衬底(诸如半导体晶片)的基于氮的远程等离子体处理之前将远程等离子体处理室暴露于氟物质。
用于远程等离子体处理调节

[发明专利]用于远程等离子体处理的室调节-CN201711372325.2有效
发明人：王德琪;刘刚;阿南德·查德拉什卡;杨宗翰;约翰·W·格里斯沃尔德 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于远程等离子体处理的室调节。本文描述的方法、系统和装置涉及用于远程等离子体处理的室调节，特别地涉及远程的基于氮的等离子体处理。本公开的某些实现方式涉及用于特征填充的包括室调节的远程等离子体抑制处理。本公开的实施方式涉及在衬底(诸如半导体晶片)的基于氮的远程等离子体处理之前将远程等离子体处理室暴露于氟物质。
用于远程等离子体处理调节

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条