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[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法和应用-CN202210612897.8在审
发明人：伍尚华;汪亮;盛鹏飞;聂光临;郭伟明 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板及其制备方法和应用，涉及氮化铝陶瓷材料技术领域。氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括：S1，通过真空无压烧结法制备氮化铝陶瓷材料；S2，将所述氮化铝陶瓷材料在空气气氛的条件下进行氧化，得到氮化铝陶瓷基板；其中，所述氮化铝陶瓷材料的原料包括氮化铝、氮化锆以及稀土氧化物本发明制备得到的氮化铝陶瓷基板具有高热导以及高抗弯强度，可应用于电子元器件基板中。
一种氮化陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种DPC工艺用镜面氮化铝陶瓷基板的高活性预处理方法-CN201610040986.4有效
发明人：余正刚;邹冠生;单春光;余会;冯华忠;余正伟 -专利权人：中山市瑞宝电子科技有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种DPC工艺用镜面氮化铝陶瓷基板的高活性预处理方法，具体步骤为：一、配制活化溶液；二、镜面氮化铝陶瓷基板表面除油处理，在除油溶液中浸泡15～300min后，用纯水冲洗干净；三、镜面氮化铝陶瓷基板表面除蜡处理，在除蜡水中浸泡15～300min；四、镜面氮化铝陶瓷基板表面活化；五、用去离子水冲净镜面氮化铝基板表面，冷风吹干镜面氮化铝陶瓷基板上的水后，置于烘箱中烘烤30～180min，自然冷却后得到高活性的镜面氮化铝陶瓷基板本发明有效降低了镜面氮化铝陶瓷基板DPC工艺中前处理时对镜面氮化铝表面的损伤，在氮化铝陶瓷基板表面形成一层超薄的高活性膜层，对金属元素具有强浸润作用和附着能力，特别适用于氮化铝材质的IC载板DPC工艺的使用
一种 dpc 工艺用镜面氮化陶瓷活性预处理方法

[实用新型]一种基于氮化铝陶瓷基板的无极调光LED模组-CN202020047926.7有效
发明人：徐钰琳 -专利权人：深圳市雅尚光电有限公司
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氮化铝陶瓷基板的无极调光LED模组，包括散热基座、氮化铝陶瓷基板和散热基板；将氮化铝陶瓷基板嵌设在散热基座上开设的安装阶口内，增加了氮化铝陶瓷基板与散热基座的接触面积，提高其散热效率，其次将氮化铝陶瓷基板嵌设在散热基座上，散热基座具备一定的强度，使得灯体受到碰撞受力时，散热基座可以对氮化铝陶瓷基板进行防碰撞变形保护，提高其使用的稳定性，LED灯光模组用散热基板底部开设的线路贯穿孔，可以将氮化铝陶瓷基板上连接的导线通过线路贯穿孔从散热基座上引出，提高了导线与氮化铝陶瓷基板连接的稳定性。
一种基于氮化陶瓷无极调光 led 模组

[实用新型]一种增韧型高导热氮化铝陶瓷基板-CN202221244359.X有效
发明人：钟水民;金垚丞;欧阳琦;赖新建 -专利权人：浙江精瓷半导体有限责任公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： C04B35/581 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增韧型高导热氮化铝陶瓷基板，涉及到氮化铝陶瓷基板领域，包括氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板上活动安装有导热块，导热块上固定安装有散热鳍片，导热块上固定安装有固定块，固定块的两侧均滑动安装有活动卡块，两个活动卡块内上均固定安装有滑杆，两个滑杆上均滑动安装有固定安装板，固定安装板固定安装在氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板上固定安装有两个安装支架。本实用新型，通过导热块和散热鳍片的设置，在使用氮化铝陶瓷基板时，利用导热块和散热鳍片的相互配合，从而实现辅助氮化铝陶瓷基板快速散热，从而提高其导热能力，而导热块在与氮化铝陶瓷基板贴合后，还可以提高基板的强度与韧性
一种增韧型高导热氮化陶瓷

[实用新型]一种氮化铝铜金属化陶瓷基板-CN202221426323.3有效
发明人：刁亚权 -专利权人：苏州茜恩特种陶瓷有限公司
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H05K3/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化铝铜金属化陶瓷基板，包括氮化铝陶瓷板；氮化铝陶瓷板：其上表面设有钨金属层，钨金属层的上表面电镀有铜金属化层；其中：所述氮化铝陶瓷板和钨金属层结合处的横截面为台阶形；其中：所述加固单元包括弧形凸板和弧形凹槽，所述弧形凸板分别横向均匀设置于钨金属层的下表面，氮化铝陶瓷板的台阶面设有与弧形凸板一一对应的弧形凹槽，该氮化铝铜金属化陶瓷基板，能够大大提高氮化铝铜金属化陶瓷基板的可靠性，避免了氮化铝铜金属化陶瓷基板在使用时出现分层的情况，降低氮化铝铜金属化陶瓷基板结合处的应力，大幅度增强氮化铝铜金属化陶瓷基板结合处连接强度。
一种氮化金属化陶瓷

[实用新型]一种氮化铝陶瓷复合基板结构-CN201922230674.1有效
发明人：汪鹏;徐艳 -专利权人：上海矽安光电科技有限公司
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C04B41/82 文献下载
摘要：本申请公开了一种氮化铝陶瓷复合基板结构，包括：氮化铝陶瓷基板、第一保护膜、第二保护膜以及NiCr金属电路，所述第一保护膜沉积于所述氮化铝陶瓷基板上，所述第二保护膜沉积于所述第一保护膜上，所述NiCr金属电路通过电子束蒸发镀膜的方式蒸镀在所述第二保护膜上本申请在沉积第二保护膜之前先在氮化铝陶瓷基板表面沉积一钛膜，使得钛膜作为氮化铝陶瓷基板和第二保护膜之间的粘附层，从而增加了氮化铝陶瓷基板与第二保护膜之间的粘附性；本申请在显影过程氮化铝陶瓷基板的表面与碱性溶液不接触，避免了氮化铝陶瓷基板的表面腐蚀，不影响后续的NiCr金属和氮化铝陶瓷表面的粘附性及最终产品性能。
一种氮化陶瓷复合板结

[发明专利]生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底-CN202210204788.2在审
发明人：贾传宇;张国义;孙永健;陆羽 -专利权人：北京大学东莞光电研究院
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了在氮化铝陶瓷基板上生长单一晶向氮化镓材料的方法和复合衬底，该方法包括如下步骤：在氮化铝陶瓷基板上制备氮化铝成核层，得到氮化铝陶瓷基板复合衬底；将所述氮化铝陶瓷基板复合衬底放入金属有机化学气相外延设备进行外延生长，生长得到具有单一晶向氮化镓材料的复合衬底，所述复合衬底包括从下到上依次层叠设置的氮化铝成核层、低温氮化镓成核层、高温氮化镓合并层和高温氮化镓外延层；本发明在氮化铝陶瓷基板外延上生长单一晶向氮化镓材料，由于氮化铝陶瓷基板是高阻材料且具有优良的散热性能，可制备高耐压电子功率器件，有效弥补现有技术中在硅衬底上制备氮化镓外延材料而只能制备低耐压电子功率器件的缺陷。
生长单一氮化材料方法复合衬底

[发明专利]一种颗粒弥散增韧氮化铝陶瓷基板及其制备方法-CN201910764405.5有效
发明人：杨大胜;施纯锡 -专利权人：福建华清电子材料科技有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及氮化铝陶瓷基板的制备技术领域，提供一种颗粒弥散增韧氮化铝陶瓷基板及其制备方法，解决现有技术氮化铝陶瓷断裂韧性不足，难以满足氮化铝陶瓷应用领域对材料性能高要求的问题。所述氮化铝陶瓷由以下原料组份制成：氮化铝粉体75～90份、烧结助剂3～6份、碳化铪2～4份、氧化锆3～5份、氧化铝0.5～1份、聚酰亚胺5～10份、邻苯二甲酸二(2‑乙基己)酯1～3份、消泡剂4～8份。本发明采用复合增韧的方式对氮化铝陶瓷基板进行改性，陶瓷基板的断裂韧性要明显优于单一增韧改性所制备出的氮化铝陶瓷基板。
一种颗粒弥散氮化陶瓷及其制备方法

[实用新型]一种四色独驱舞台灯-CN201922487140.7有效
发明人：王志成 -专利权人：深圳市格天光电有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种四色独驱舞台灯，包括红铜基板，红铜基板上端面设置有凸台，凸台上连接有氮化铝陶瓷基板；所述氮化铝陶瓷基板外表面设置有镀金层，氮化铝陶瓷基板上端面设置有镀钯金线路，镀钯金线路有四个，氮化铝陶瓷基板下端面设置有覆铜线路，覆铜线路与镀钯金线路通过设置在氮化铝陶瓷基板内部的连接铜柱电性连接；氮化铝陶瓷基板上涂抹有助焊剂并通过共晶炉焊接四个晶片，四个晶片与四个镀钯金线路相对应且晶片的正极焊接在镀钯金线路上，氮化铝陶瓷基板下端面回流焊接在红铜基板上端面的凸台上，氮化铝陶瓷基板上端覆盖有玻璃透镜。
一种四色独驱舞台

[发明专利]一种轨道交通芯片封装用氮化铝陶瓷基板的黑边清洗方法-CN201810768911.7在审
发明人：陆聪;王晓刚;郑彬 -专利权人：无锡天杨电子有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明轨道交通芯片封装用氮化铝陶瓷基板的黑边清洗方法，将氮化铝陶瓷基板放入40℃‑70℃纯水中超声水洗1‑3min；将水洗后的氮化铝陶瓷基板放入清洗液中，继续超声1‑3h，溶液温度为40℃‑60℃；将清洗过后的氮化铝陶瓷基板放入5‑10%浓度的碳酸钠溶液中超声漂洗1‑3min后，用清水冲洗1‑2min；将氮化铝陶瓷基板放入丙酮、醋酸丁酯和酒精的一种或几种的溶液中超声10‑30min，超声完毕后，拿出，50℃低温烘干。本发明能够有效清洗氮化铝陶瓷基板因激光而产生的黑边，并不损伤氮化铝陶瓷基板表面。
氮化铝陶瓷基板放入清洗超声黑边轨道交通芯片封装碳酸钠溶液超声漂洗超声水洗醋酸丁酯低温烘干清水冲洗清洗液丙酮水中酒精激光损伤

[实用新型]氮化铝陶瓷基板发光元件-CN200920135718.6有效
发明人：朱建钦 -专利权人：朱建钦
申请日： 2009-03-13 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化铝陶瓷基板发光元件，包括氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板装载有铜基板，铜基板上装载有LED发光芯片，LED发光芯片晶线与铜基板连接，其特征在于：在铜基板上设有铜片引脚。它在氮化铝陶瓷基板上就无须再设金属化孔，简化了制作工艺，成本降低。
氮化陶瓷发光元件

[发明专利]一种提高氮化铝覆铝陶瓷基板耐热循环可靠性的方法-CN202211602440.5在审
发明人：王斌;贺贤汉;欧阳鹏;武威;高远;管鹏飞 -专利权人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化铝覆铝陶瓷基板耐热循环可靠性的方法，涉及半导体加工领域，旨在解决氮化铝覆铝陶瓷基板耐热性能不够的问题，其技术方案要点是：一种提高氮化铝覆铝陶瓷基板耐热循环可靠性的方法，包括以下步骤：1）表面溅射镀钛：取氮化铝覆铝陶瓷基板进行表面清洗，然后镀钛，得到纳米级钛层的氮化铝覆铝陶瓷基板，镀钛层厚度为50‑100nm；2）激光强化：取步骤1中具有纳米级钛层氮化铝覆铝陶瓷基板进行激光强化处理；3）表面处理：取步骤2中处理后的氮化铝覆铝陶瓷基板进行表面处理。本发明的一种提高氮化铝覆铝陶瓷基板耐热循环可靠性的方法能够有效提升基板的耐热循环性能。
一种提高氮化铝覆铝陶瓷耐热循环可靠性方法

[实用新型]一种透光性能好的氮化铝陶瓷板结构-CN202221718674.1有效
发明人：刁亚权 -专利权人：苏州茜恩特种陶瓷有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G02B1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种透光性能好的氮化铝陶瓷板结构，包括氮化铝陶瓷基板和支撑单元；氮化铝陶瓷基板：其前后侧面均设有镀膜层，两个镀膜层的相对背离面均设有疏油层；支撑单元：安装于氮化铝陶瓷基板的四周，镀膜层为氧化锆镀膜层，疏油层为纳米二氧化硅疏油层，支撑单元包括支撑框、螺栓和固定框，支撑框后端的插槽与氮化铝陶瓷基板活动插接，支撑框前侧面的安装孔内部均安装有螺栓，螺栓的后端均与固定框前侧面的螺纹孔螺纹连接，该透光性能好的氮化铝陶瓷板结构，通过四周支撑增强氮化铝陶瓷基板的结构强度，降低氮化铝陶瓷基板的厚度，同时可以减少外部异物的附着降低自身的反射率，透光性能好。
一种透光性能氮化陶瓷板结

[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板表面粗化方法-CN202010337175.7有效
发明人：王斌;贺贤汉;孙泉;欧阳鹏;葛荘;周轶靓 -专利权人：江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C04B41/91 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化铝陶瓷基板表面粗化方法，包括如下步骤：步骤一，通过除油剂和纯水去除氮化铝陶瓷基板表面的油污和杂质，测试氮化铝陶瓷基板的表面粗糙度，依据表面粗糙度的测试结果确定后续化学粗化程度；步骤二，将经步骤一处理过的氮化铝陶瓷基板浸没于15％‑25％质量分数的NaOH溶液中；步骤三，将步骤二处理过的氮化铝陶瓷基板放置于1％‑3％质量分数的稀H2SO4溶液中，处理5s‑10s，温度控制在15℃‑25℃；步骤四，将步骤三处理过的氮化铝陶瓷基板加压水洗，常温，时间为3min；步骤五，将步骤四处理过的氮化铝陶瓷基板烘干。有效解决现有AMB真空钎焊氮化铝陶瓷基板与焊料层结合不良的技术问题。
一种氮化陶瓷表面方法

[发明专利]一种复合氮化铝陶瓷基板的制备方法-CN202310076454.6在审
发明人：周泽平;周党生;吕一航;谢峰;张刚 -专利权人：深圳市禾望电气股份有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合氮化铝陶瓷基板的制备方法，包括：将制备复合氮化铝陶瓷基板的原料经过原料球磨步骤、脱泡步骤、流延成型步骤、冲片步骤、叠压步骤、排胶步骤及烧结步骤得到复合氮化铝陶瓷基板成品；原料球磨步骤包括：将氮化铝粉体、导热粉体、烧结助剂、有机溶剂、分散剂送入球磨机中球磨处理；脱泡步骤包括：采用真空脱泡机对经过所述配料球磨步骤后的物料进行抽真空脱泡，得到陶瓷浆料；流延成型步骤包括：将经过脱泡步骤的陶瓷浆料送入流延机进行流延成型，并静置一定时间，得到生坯带；该复合氮化铝陶瓷基板的制备方法制得的复合氮化铝陶瓷基板的导热率在介于氧化铝和氮化铝之间的基础上，成本比现有技术的氮化铝陶瓷基片更低。
一种复合氮化陶瓷制备方法

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