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[发明专利]一种液冷的IGBT变流装置和制造方法-CN201210202755.0无效
发明人：庄伟东 -专利权人：南京银茂微电子制造有限公司
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种液冷的IGBT变流装置和制造方法，一种液冷的IGBT变流装置包括氮化硅陶瓷基板、芯片和绝缘支架，所述氮化硅陶瓷基板包括第二铜层、氮化硅陶瓷板和第一铜层，所述第一铜层焊接在氮化硅陶瓷板的正面，所述第二铜层焊接在氮化硅陶瓷板的背面；在绝缘支架上端设有控制和驱动板，氮化硅陶瓷基板、绝缘支架和控制和驱动板共同形成密封腔；所述氮化硅陶瓷基板背面设有散热器。本发明直接以氮化硅陶瓷板作为基板，氮化硅陶瓷基板允许更厚的铜层，进而大幅度提高IGBT变流装置的电流输出能力。
一种 igbt 装置制造方法

[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法-CN201910908744.6有效
发明人：叶枫;金义程;叶健;张标;刘强;高晔 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅陶瓷烧结领域，更具体的说是一种多孔氮化硅陶瓷的连接方法，包括多孔氮化硅基体Ⅰ、连接层和多孔氮化硅基体Ⅱ，所述连接层通过烧结将多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ相互连接，连接层生长依附于两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ，生长后的连接层相互穿插桥接两侧的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ；可以实现多孔氮化硅陶瓷间的烧结连接，连接层的氮化硅晶粒依附于两侧待连接的多孔氮化硅基体Ⅰ和多孔氮化硅基体Ⅱ生长，而非基于连接层单独生长，因此连接层在烧结过程中未产生明显的收缩，有效解决了连接层因烧结收缩过大而开裂的问题。
一种多孔氮化陶瓷连接方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷散热翅覆铜板及其制备方法-CN201810936404.X有效
发明人：周涛 -专利权人：南通通州湾新材料科技有限公司;周涛
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅陶瓷散热翅覆铜板及其制备方法。该氮化硅陶瓷散热翅覆铜板包括氮化硅陶瓷板和金属导电层，在氮化硅陶瓷层和金属导电层之间磁控溅射一层氧化铝层或者金属硅层的过渡层用来焊接氮化硅陶瓷层和金属导电层。解决了氮化硅陶瓷与金属铜板或铝板难以焊接的问题，同时在远离金属层的一侧设置散热翅，增大散热面积，提升散热效率，能满足大功率IGBT封装的需求。
氮化硅陶瓷散热翅金属导电层覆铜板氮化硅陶瓷层制备焊接氮化硅陶瓷板大功率IGBT 磁控溅射金属硅层金属铜板散热效率氧化铝层过渡层金属层散热铝板封装

[发明专利]一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法-CN201910917332.9有效
发明人：徐强;王长建;宋山青;周维 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法。该氮化硅陶瓷覆铜基板包括：氮化硅陶瓷基板和覆接于所述氮化硅陶瓷基板至少一个表面上的铜层；所述氮化硅陶瓷基板和所述铜层之间形成有界面结合层；所述界面结合层包括依次叠加的氧化硅层、X1氧化物层、M层；所述氧化硅层与所述氮化硅陶瓷基板接触；所述X1氧化物层含有活性金属氧化物；所述M层含有CuCr2O4、CuMn2该氮化硅陶瓷覆铜基板中的界面结合层能提高铜层和氮化硅陶瓷基板间的结合强度，且氮化硅陶瓷覆铜基板的生产成本低。
一种氮化陶瓷覆铜基板及其制备方法

[发明专利]一种氮化硅基陶瓷焊接密封元器件及其制备方法-CN202110746310.8有效
发明人：曹建平;曹建辉;刘平 -专利权人：湖南省新化县鑫星电子陶瓷有限责任公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化硅基陶瓷焊接密封元器件及其制备方法，涉及金属化陶瓷加工技术领域。本发明公开的氮化硅基陶瓷焊接密封元器件，包括氮化硅陶瓷基体和金属化层，其中氮化硅陶瓷基体用改性氮化硅、莫来石纤维、氮化铝、氧化钙、氧化钛、粘结剂和分散剂原料，经改性氮化硅制备、混料、造粒、一次烧结和二次烧结等步骤而制成；金属化层原料包括铜粉、钨粉、氧化铜、氧化钇、氧化锌和有机结合剂，并公开了用金属化层和氮化硅陶瓷基体组成的氮化硅基陶瓷焊接密封元器件的制备方法。本发明提供的氮化硅基陶瓷焊接密封元器件，提高了氮化硅陶瓷基体的致密度，具有优异的强度、硬度和断裂韧性，增大了密封件的抗拉强度，具有优异的耐高温性能。
一种氮化陶瓷焊接密封元器件及其制备方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷加热棒的制备方法-CN202310602326.0有效
发明人：田卓;王哲;曹献莹;马天龙 -专利权人：河北高富氮化硅材料有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化硅陶瓷加热棒的制备方法，涉及氮化硅陶瓷加工技术领域；该氮化硅陶瓷加热棒的制备方法包括以下步骤:S1、制备氮化硅层；S2、在氮化硅层上粘结电路；S3、制备内芯棒体；S4、通过热压铸工艺将步骤S2制备的氮化硅层和步骤S3制备的内芯棒体组装成型，用氮化硅层包裹内芯棒体，得到氮化硅加热棒坯体；S5、将步骤S4制备的氮化硅加热棒坯体在真空气压炉中进行压力烧结。本发明的氮化硅陶瓷加热棒的制备方法生产效率高，成品强度较高。
一种氮化陶瓷加热制备方法

[发明专利]一种氮化硅纤维增强透波陶瓷材料及其制备方法-CN202211080150.9有效
发明人：肖亮;朱福林;曾小锋;许滔;钱利洪 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化硅纤维增强透波陶瓷材料及其制备方法，在包含氮化硅纤维的3D间隔织物上生长氮化硅晶须，得到氮化硅预制件；将氮化硅预制件在粒径为80‑200nm的硅溶胶中浸渍吸附，然后在惰性氛围下高温烧结，再热解除碳，得到具有通孔的陶瓷前驱体；最后采用原子层沉积法向通孔中填充氮化硅，得到氮化硅纤维增强透波陶瓷材料。本发明通过将间隔织物浸渍吸附包含氮化硅晶须的硅溶胶，使氮化硅晶须弥散分布于陶瓷基体中；通过提高硅溶胶的粒径，形成具有通孔的陶瓷前驱体，接着通过原子层沉积技术，使得通孔中嵌入部分氮化硅，从而显著提高陶瓷的致密多孔性和高温稳定性，得到综合性能优异的氮化硅纤维增强透波陶瓷材料。
一种氮化纤维增强陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]纳米多层氮化硅陶瓷涂层、其制备方法与应用-CN201611257480.5有效
发明人：刘二勇;曾志翔;王刚;李龙阳;蒲吉斌;王立平 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米多层氮化硅陶瓷涂层、其制备方法与应用。所述涂层包括直流反应溅射氮化硅层和射频溅射氮化硅层交替层叠形成的多层结构。所述涂层的制备方法包括：以单晶硅靶和/或氮化硅靶作为阴极，以惰性气体及氮气作为工作气体，采用直流反应溅射技术和射频溅射技术在基材上沉积形成所述纳米多层氮化硅陶瓷涂层，所述纳米多层氮化硅陶瓷涂层包括交替层叠的直流反应溅射氮化硅层和射频溅射氮化硅层本发明的纳米多层氮化硅陶瓷涂层与多孔陶瓷基材等结合性良好，且具有结构致密、厚度可控、高硬度、低内应力、无宏观缺陷等优势，可应用于各种介质的精密过滤与分离、高温透波/吸波、电解隔膜等多种领域。
氮化硅陶瓷多层氮化硅层射频溅射制备直流反应溅射交替层叠氮气阴极应用多孔陶瓷基材反应溅射技术采用直流单晶硅靶电解隔膜多层结构惰性气体工作气体宏观缺陷厚度可控结构致密精密过滤氮化硅高硬度结合性基材透波吸波沉积

[发明专利]氮化硅基陶瓷球及其制备方法和应用-CN202010641672.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：佛山华骏特瓷科技有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅基陶瓷球及其制备方法和应用，所述的氮化硅基陶瓷球为在氮化硅陶瓷球表面沉积一层碳化硅层。本发明的氮化硅基陶瓷球，与未沉积碳化硅层的氮化硅球相比，在强酸强碱且运动摩擦的状态下，不容易腐蚀失重，同时与强酸强碱环境接触的界面是致密的纯碳化硅，没有助烧剂，该氮化硅基陶瓷球具有更好的耐磨、耐腐蚀等性能
氮化陶瓷球及其制备方法应用

[发明专利]一种基于多孔氮化硅毛细芯的环路热管蒸发器及其制造方法-CN202110844323.9有效
发明人：徐亚威;王甜甜;何江;刘畅;黄金印;张红星;苗建印 -专利权人：北京空间飞行器总体设计部
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： F28D15/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多孔氮化硅毛细芯的环路热管蒸发器及其制造方法，该蒸发器包括：金属管壳、金属化层和氮化硅陶瓷毛细芯；氮化硅陶瓷毛细芯的一端为密封段，另一端加工有沿其轴向的蒸汽槽道；金属管壳同轴套装在氮化硅陶瓷毛细芯的外部；金属管壳内径与氮化硅陶瓷毛细芯外径的尺寸公差为过盈配合关系，且金属管壳内径与氮化硅陶瓷毛细芯的密封段外径之间设有一层金属化层，在金属管壳与氮化硅陶瓷毛细芯的过盈装配过程中，金属化层发生屈服变形，填充金属管壳与氮化硅陶瓷毛细芯的密封段之间的加工缺陷或缝隙；本发明能够实现金属管壳与氮化硅陶瓷毛细芯的装配，并在装配面形成密封，提高环路热管蒸发器毛细力，从而提高环路热管的传热能力。
一种基于多孔氮化硅毛细芯环路热管蒸发器及其制造方法

[发明专利]一种氮化硅表面金属化方法-CN202111546449.4在审
发明人：惠宇;武英斌;姜伟伟;孙文萍;郭佳星;刘旭东;那兆霖;王兴安 -专利权人：大连大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：本发明属于金属化技术领域，公开了一种氮化硅表面金属化方法，在氮化硅陶瓷表面覆盖一层金属箔片，然后激光扫描刻蚀，氮化硅陶瓷点火器表面完全金属化，形成氮化硅‑金属复合材料。本发明的技术方案实现了氮化硅陶瓷表面的改性，可在氮化硅陶瓷的表面获得一层均匀、致密且与陶瓷基体之间连接良好的活性金属导电层，缓和了陶瓷基体与金属涂层之间的应力，显著提高了钎焊过程中钎料在陶瓷表面的铺展性和润湿性
一种氮化表面金属化方法

[发明专利]一种用碳包覆制备低氧含量、高热导的氮化硅陶瓷的方法及其应用-CN202010588120.3在审
发明人：伍尚华;杨平;李建斌 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷技术领域，公开了一种用碳包覆制备制备低氧含量、高热导的氮化硅陶瓷的方法及其应用，该方法是将聚多巴胺包覆的的氮化硅粉末与烧结助剂混合，获得混合粉末置于石墨模具，在真空气氛下加热至600～800℃碳化，形成核壳结构的碳‑氮化硅粉末，然后加以20～30MPa轴向压力，在保护气氛下，加热至1200～1500℃还原反应，再升温至1600～2000℃烧结，制得氮化硅陶瓷。本发明可精确控制碳层分布和精准调节碳层结构，有效还原氮化硅表面二氧化硅，降低氮化硅粉末氧含量，提高氮化硅陶瓷热导率。该氮化硅陶瓷的致密度高于98.5％，其热导率可达80W/(m·K)以上。
一种用碳包覆制备低氧含量高热氮化陶瓷方法及其应用

[实用新型]功率器件模块用覆铜氮化硅基板-CN202123179372.X有效
发明人：曾开有;郑长裕;蓝桂兰 -专利权人：漳州瑞沃电子科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了功率器件模块用覆铜氮化硅基板，涉及氮化硅基板技术领域。功率器件模块用覆铜氮化硅基板，包括氮化硅陶瓷基板，所述氮化硅陶瓷基板上覆接有复合层，复合层表面上形成有多个凹孔，复合层上表面覆接有覆铜膜层，覆铜膜层上叠加有铜板层，铜板层和覆铜膜层之间设有结合层，所述结合层依次包括氧化物层、致密层和亲和层，氧化物层、致密层和亲和层依次叠加，所述氧化物层为Al2O3薄膜层。本实用新型使得敷铜层的致密性大大增加，复合层和覆铜膜层紧密贴合，进而有效地改善覆铜氮化硅基板中铜和氮化硅陶瓷基板间的结合强度较差的问题，致密层中含有致密相，能有效抑制Cu‑O共晶液相向氮化硅陶瓷基板方向渗透
功率器件模块用覆铜氮化硅基板

[发明专利]一种高性能氮化硅陶瓷基板的叠层烧结工艺方法-CN202211708493.5在审
发明人：孙伟;胡丰 -专利权人：无锡海古德新技术有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C04B35/593 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能氮化硅陶瓷基板的叠层烧结工艺方法。将流延成型制得的氮化硅流延坯片裁剪成适当尺寸，将去离子水、分散剂、氮化硼粉末按比例配置成悬浮液浆料，对裁剪后的流延坯片表面喷涂悬浮液浆料，然后对喷涂后的流延坯片进行干燥；将完成覆粉后的流延坯片叠层摆放至氮化硼陶瓷匣钵之中，并在氮化硅叠层坯片上压放一块打有孔洞的氮化硼陶瓷块，对放置在氮化硼匣钵的氮化硅叠层坯片进行排胶处理；在排胶后的置于氮化硼匣钵内的氮化硅叠层坯片上继续压放一块碳化钨陶瓷块，碳化钨陶瓷块压在氮化硼陶瓷块上，在烧结炉中对氮化硅叠层坯片进行烧结。本发明可生产具有较高热导率、优异力学性能且生产成本较低的大面积氮化硅陶瓷基板材料。
一种性能氮化陶瓷烧结工艺方法

[实用新型]多层复合整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板-CN201822140054.4有效
发明人：孙百忠;高礼文;孙兆江;尚庆刚;马振;邱章喜 -专利权人：泰晟新材料科技有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： F41H5/04 文献下载
摘要：本实用新型属于陶瓷制品技术领域，具体涉及一种多层复合整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板。所述氮化硅防弹陶瓷板包括板体，板体由氮化硅陶瓷板和有机高分子材料交替贴合，最外层和最内层均为有机高分子材料层；所述氮化硅陶瓷板层数为2‑5层。本实用新型的多层复合整体等弧形氮化硅防弹陶瓷板，复合效果好，韧性好，不易变形，更贴合人体生理曲线，佩戴舒适，防弹效果优于单层防弹陶瓷板。
防弹陶瓷氮化硅多层复合有机高分子材料氮化硅陶瓷板板体贴合人体生理曲线本实用新型不易变形防弹效果复合效果陶瓷制品最内层最外层单层佩戴

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