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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于光学数据存储装置的半永久性封套-CN96191396.7无效
发明人： T·A·伯勒斯 -专利权人： T·A·伯勒斯
申请日： 1996-01-10 - 公布日： 1998-01-07 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：一种用于光学数据存储装置(60)的半永久性封套,包括其尺寸覆盖装置(60)的读表面的第一薄膜(50),其尺寸覆盖非读表面的第二薄膜(30)。薄膜(50)在其设定在使用中附着于装置(60)的表面上可具有光学耦合剂。光学耦合剂的折射率最好与装置(60)的折射率一致,以减少信号损耗和失真。在第二薄膜(30)上也可使用光学耦合剂。此外,光学耦合剂可以是置于装置(60)和薄膜之间或可包括薄膜本身的延展性固体材料。
用于光学数据存储装置永久性封套

[发明专利]可生物降解的柔韧性聚乳酸合金薄膜及其制备-CN200710170576.2无效
发明人：李勇锋;程树军;陆冲;戎宗明;桂宗彦;程晓燕 -专利权人：上海华酝化工科技有限公司;华东理工大学
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种可生物降解的柔韧性聚乳酸合金薄膜及其制备方法和制品，其组分包括(A)聚乳酸基树脂和(B)聚多元酸多元醇，(A)聚乳酸类树脂的重量含量为50％～99.5％，(B)聚多元酸多元醇的重量含量为0.5％～50％，按照ISO6721标准塑料动态机械性能的测试方法，薄膜25℃的储能模量E′为200MPa～4000MPa。本发明在保持材料的完全生物降解和高力学强度前提下，有效的改善了可生物降解的柔韧性聚乳酸合金薄膜的柔韧性，薄膜可应用于包装材料、农用薄膜、标签用薄膜等，克服了增塑剂容易挥发、渗出的缺点，保持材料的透明性。
生物降解柔韧性乳酸合金薄膜及其制备

[发明专利]塑料夹网膜、连续生产方法及设备-CN200710012451.7无效
发明人：孙成伦;时丕林;林建邦;郭化超 -专利权人：大连塑料研究所有限公司
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： B32B5/02 文献下载
摘要：塑料夹网膜是在上塑料薄膜与下塑料薄膜之间夹有纤维网。生产方法是用成网装置将纤维丝织成纤维网；纤维网由塑料复合装置中的复合辊直接牵引，与上塑料薄膜、下塑料薄膜复合并夹于上塑料薄膜与下塑料薄膜中间；冷却、切边、裁断、收卷即可。
塑料网膜连续生产方法设备

[发明专利]近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法-CN200710044240.1无效
发明人：张群;李桂锋;李喜峰 -专利权人：复旦大学
申请日： 2007-07-26 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率非晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In₂O₃:M(M＝Mo，W)。利用铟金属掺钼或钨的镶嵌靶，在基板温度为室温的条件下采用反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有非晶结构的In₂O₃:M薄膜所制备的薄膜具有低电阻率、相对高的载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在柔性太阳能电池领域和近红外传感器等领域具有良好的应用前景。
红外透射率透明导电氧化物薄膜及其制备方法

[发明专利]一种一维金属氧化物纳米针材料的制备方法-CN200710051712.6无效
发明人：潘春旭;刘曰利 -专利权人：武汉大学
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： C01G49/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种一维金属氧化物纳米针材料的制备方法，该方法首先以铜、铜合金、Ni、Ni基合金、不锈钢或铁板为基板，将基板置于电沉积液中，采用常规脉冲电沉积方法在基板表面电沉积一层金属Cu纳米晶薄膜或金属Zn纳米晶薄膜或金属Fe纳米晶薄膜；然后在空气中将金属Cu纳米晶薄膜于700～1000℃下或金属Zn纳米晶薄膜于300～600℃下或金属Fe纳米晶薄膜于700～900℃下热氧化1～2小时，获得对应的一维金属氧化物纳米针材料
一种金属氧化物纳米材料制备方法

[发明专利]粘合型光学薄膜的制造方法、粘合型光学薄膜及图像显示装置-CN200710109531.4无效
发明人：大平佳世;外山雄祐;河边茂树;佐竹正之 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明提供一种在透明基材薄膜的一面上具有碟状液晶化合物被取向的碟状液晶层、进而在该碟状液晶层上层叠有粘合剂层的粘合型光学薄膜的制造方法，该粘合型光学薄膜可以抑制在背光灯的照明状态下发生的窗框不均。该粘合型光学薄膜的制造方法具有如下所述的工序，即：在透明基材薄膜的一面上具有通过对具有聚合性不饱和基的碟状液晶化合物进行取向、固化形成的碟状液晶层的光学薄膜的该碟状液晶层上设置粘合剂层，其特征在于，在将设置粘合剂层的工序实施之前
粘合光学薄膜制造方法图像显示装置

[发明专利]具有大压电常数和高电阻率的V掺杂ZnO薄膜材料-CN200710121299.6无效
发明人：潘峰;杨玉超;曾飞;宋成 -专利权人：清华大学
申请日： 2007-09-03 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：本发明公开了属于新材料领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜材料。具有压电常数d₃₃＝55－110pC/N和高的电阻率ρ＞10¹¹Ω·cm的ZnO薄膜材料。本发明使用V掺杂对ZnO体系进行掺杂改性，由于掺杂后ZnO薄膜产生了铁电性，因而使得压电性能大幅度提高；此外c轴择优取向度提高，薄膜的点阵参数c变小，并且平均等效原子电荷数变大也都使得压电性比掺杂前有所提高由于V⁴⁺或V⁵⁺离子的3d层具有很多空能态，能够俘获薄膜中的自由电子，获得结构简单、成本低廉。经过掺杂改性后的ZnO薄膜在常温下表现出大的压电常数和高的电阻率。
具有压电常数电阻率掺杂 zno 薄膜材料

[发明专利]偏光板以及其制造方法-CN200610092584.5无效
发明人：郭豪飞;杨仲霖 -专利权人：达信科技股份有限公司
申请日： 2006-06-16 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种偏光板，该偏光板包括一聚乙烯醇单膜、一第一三醋酸纤维薄膜以及一第二三醋酸纤维薄膜。该聚乙烯醇单膜具有一第一表面以及一第二表面，并且具有一玻璃转移温度。该第一三醋酸纤维薄膜贴合在该聚乙烯醇单膜的第一表面上，而该第二三醋酸纤维薄膜贴合在该聚乙烯醇单膜的第二表面上。此外，在贴合该第一三醋酸纤维薄膜以及该第二三醋酸纤维薄膜至该聚乙烯醇单膜上之后，紧接于其后的烘干制作工艺的温度，高于该聚乙烯醇单膜的玻璃转移温度。
偏光及其制造方法

[发明专利]一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺-CN200710158829.4无效
发明人：肖金泉;郎文昌;孙超;宫骏;杜昊;赵彦辉;闻立时 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备领域，具体地说是一种磁场增强的电弧离子镀沉积工艺，用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性，减少靶材大颗粒的发射，提高靶材刻蚀均匀性。本发明通过两套耦合的磁场发生装置产生的耦合磁场，解决了传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性，提高了薄膜的沉积速率和沉积均匀性。同时可以减少靶材颗粒的发射和薄膜中大颗粒的含量，提高薄膜质量，拓展了制备工艺参数的范围，为制备不同性能的薄膜提供条件。
一种磁场增强电弧离子镀沉积工艺

[发明专利]高效率发光薄膜的电化学沉积制备方法-CN200810051197.6无效
发明人：马於光;顾成;唐诗;陆丹;沈方中;张明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2008-09-23 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： C25D9/02 文献下载
摘要：本发明属于有机发光领域，具体涉及一种高效率有机发光薄膜的电化学沉积制备方法及该类发光薄膜在制备高效率有机电致发光器件方面的应用。发光薄膜是在电解池中由电化学沉积方法制备的，包括电解溶液的配制、电化学沉积、沉积薄膜的清洗和干燥等步骤，制备得到的发光薄膜具有工艺简单、发光效率高、效率受电化学掺杂影响小、容易控制面积尺寸、发光颜色可调的优点该发光薄膜可作为有机电致发光器件中的发光层，进而制备单层或多层的高效率的有机电致发光器件，得到到深蓝光发光器件，其器件的流明效率达到4.436cd/A，已经达到甚至超过了绝大多数使用传统器件加工工艺所制备器件的效率水平
高效率发光薄膜电化学沉积制备方法

[发明专利]固体电解质银锗氧薄膜和制备方法及其应用-CN200810155732.2无效
发明人：国洪轩;闫小兵;高立刚;殷江;刘治国 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-10-14 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型记忆材料固体电解质银锗氧薄膜，化学式为Ag_xGe_yO_1－x－y，简称Ag－Ge－O薄膜，使用其制备非挥发性记忆器件，本发明的固体电解质薄膜Ag－Ge－O的制备方法，该方法是使用合适配比的Ag₂O和GeO₂粉末烧结后制成陶瓷靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备固体电解质薄膜。固体电解质Ag－Ge－O薄膜有如下特点：其本身是一种固体电解质薄膜材料，具有离子导电性，在一定条件下可以可逆地转变为电子导电性，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。
固体电解质银锗氧薄膜制备方法及其应用

[发明专利]金属钛表面的钛氧化物纳米线薄膜及其制备方法-CN200810042156.0无效
发明人：蔡伟民;龙明策;吴亚惠 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属钛表面的钛氧化物纳米线薄膜及其制备方法。制备的薄膜成分可以是钛酸盐、钛酸或者二氧化钛，纳米线径粗在10nm－100nm之间，纳米线交织缠绕形成大量的大孔和介孔网络，孔隙在20nm－500nm之间。制备方法的主要步骤为：1)金属钛表面的刻蚀清洗；2)采用强碱和双氧水混合氧化液氧化金属钛表面形成钛酸盐纳米线薄膜；3)采用酸浸泡交换碱金属离子形成钛酸纳米线薄膜；4)高温焙烧形成二氧化钛纳米线薄膜。本发明制备方法简单易行，成本低，适合大规模产业化生产，制备的钛氧化物薄膜在光催化相关领域以及电化学传感等相关领域有应用前景。
金属表面氧化物纳米薄膜及其制备方法

[发明专利]热导管及使用该热导管的散热装置的组装方法-CN200710124770.7无效
发明人：谢宜莳;饶进军 -专利权人：富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
申请日： 2007-11-23 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：一种热导管，其外表面紧密包覆有固态的焊锡薄膜，该焊锡薄膜是将热导管浸入熔融的焊锡溶液内，取出后经冷却凝固形成。使用该热导管的散热装置的组装方法包括在热导管的外表面包覆所述的固态的焊锡薄膜，将包覆有焊锡薄膜的热导管插入设有开孔的散热鳍片内，加热热导管与散热鳍片，使该焊锡薄膜受热熔化并填充于热导管与散热鳍片间形成的间隙内利用上述方法组装所述散热装置的过程中，当热导管穿过散热鳍片的开孔时，焊锡薄膜不会由于散热鳍片的刮擦而由热导管上脱落，与现有技术相比，减少了组装过程中锡膏的浪费，并确保了锡焊效果。
导管使用散热装置组装方法

[发明专利]采用多层复合薄膜温度传感器测试瞬态切削温度的方法-CN200810012355.7无效
发明人：孙宝元;崔云先;孙奉道;钱敏;张军 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2008-07-14 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： G01K7/00 文献下载
摘要：本发明采用多层复合薄膜温度传感器测试瞬态切削温度的方法属于先进制造及切削技术领域，特别涉及切削温度测试方法领域。该方法使用多层复合薄膜温度传感器，进行多层复合薄膜温度传感器静、动态标定，瞬态切削温度采用冷端温度补偿方式；先进行多层复合薄膜温度传感器的安装，在具有绝缘膜的高速钢或硬质合金刀体上利用微波ECR等离子体源增强射频反应非平衡磁控溅射沉积出保护薄膜进行瞬态切削温度测试时，将静态标定得到的多层复合薄膜温度传感器热电势与热端温度的关系特性曲线输入系统测试软件中，进行冷端温度补偿。
采用多层复合薄膜温度传感器测试瞬态切削温度方法

[发明专利]电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法-CN200810045603.8无效
发明人：廖志君;刘振良;杨水长;卢铁城;伍登学;范强;刘成士;赵利利 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-07-22 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法，将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中，将清洗、干燥后的基片放到电子束蒸发设备的加热电炉上，使基片位于坩埚正上方20cm～30cm处；在真空条件进行镀膜，镀膜真空度不小于此种方法既可制备非晶态碳化硼薄膜，又可制备多晶结构的碳化硼薄膜，还可制备各种不同B、C成分配比的碳化硼薄膜，而且所制备的碳化硼薄膜表面光滑、薄膜致密、均匀性良好。
电子束蒸发技术制备碳化薄膜方法

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