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[发明专利]具有水平电极的硫属化合物记忆胞及其形成方法-CN200510055441.2有效
发明人：陈逸舟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种具有小的且与硫属化合物记忆单元有效连接的水平电极。截面积的范围是由一般的沉积/蚀刻半导体制程步骤来控制。最后产生出的记忆单元则可以藉由互补式金氧半导体操作单元来驱动。
具有水平电极化合物记忆及其形成方法

[发明专利]多位硫属化物存储装置-CN200480032920.6无效
发明人： S·R·奥夫辛斯基 -专利权人：能源变换设备有限公司
申请日： 2004-08-11 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明提供了具有多个二进制位或非二进制位存储能力的多端子硫属化物存储单元以及对它们进行编程的方法。存储单元包含孔隙，孔隙包含硫属化物材料以及与硫属化物材料保持电连通的三个或多个电端子。端子的配置勾勒出硫属化物材料的空间上的不同区域，对硫属化物材料的空间相异区域有选择地且独立地编程而提供多位存储。在一对端子之间施加电信号(如电流或电压脉冲)导致硫属化物材料的空间相异部分中某一个部分的结构转换。将电信号施加于硫属化物装置内的不同对端子导致硫属化物材料的不同部分中的结构转换。在具有三个或多个端子的装置中，在占据孔隙的硫属化物材料体中存在两个或多个选择性可编程部分，从而实现多位存储。本发明还涉及对具有三个或多个端子的硫属化物存储单元进行编程的方法，该方法用来在二进制或非二进制系统中实现信息的多位存储。
多位硫属化物存储装置

[发明专利]一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨及其制备方法-CN201810309093.4在审
发明人：陈金菊;刘陈仁浪;冯哲圣;王焱;李培真 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明属于二维材料制备技术领域，具体涉及一种用于喷墨印刷的高浓度高稳定过渡金属硫属化合物油墨及其制备方法。针对现有的过渡金属硫属化合物纳米薄片油墨浓度低、稳定性差，导致使用和存放不便的问题，本发明的技术方案是，制备方法包括如下步骤：[1]选取两种剥离溶剂，配制成二元良溶剂体系；[2]向二元良溶剂体系中加入水溶性高分子化合物，得到混合溶剂；[3]将通过超声剥离的方法从过渡金属硫属化合物粉体上剥离出过渡金属硫属化合物的纳米薄片；[4]离心分离，取上清液即为过渡金属硫属化合物纳米薄片分散液；[5]加入物性调节剂得到过渡金属硫属化合物油墨本发明适用于过渡金属硫属化合物二维材料的喷墨印刷。
过渡金属硫属化合物油墨纳米薄片喷墨印刷制备二维材料高稳定良溶剂水溶性高分子化合物制备技术领域物性调节剂剥离溶剂超声剥离混合溶剂取上清液分散液粉体剥离

[发明专利]一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法-CN201610959284.6有效
发明人：曹文田 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米半导体光折变薄膜材料及其制备方法，纳米半导体光折变薄膜材料，包括金属薄膜和铅的硫属化合物薄膜，所述金属薄膜的一面与铅的硫属化合物薄膜的一面接触，其中，所述金属薄膜的金属的功函数大于等于所述铅的硫属化合物薄膜半导体的电子亲合能，或所述金属薄膜与所述铅的硫属化合物薄膜的接触界面形成肖特基结。制备方法，在衬底上生长一层透明的金属薄膜，然后在所述金属薄膜上生长一层铅的硫属化合物薄膜半导体材料。本发明采用金属薄膜与铅的硫属化合物薄膜接合，并在用金属薄膜与铅的硫属化合物薄膜的界面形成肖特基结，从而在薄膜内形成内建电场，对光生载流子移动和再分布，不需外加电场，完全达到光折变材料应用目的。
一种纳米半导体折变薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法-CN202010036398.X有效
发明人：张艳锋;杨鹏飞;潘双嫄 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级过渡金属硫属化合物单晶生长的方法，所述方法包括以下步骤：1)将金箔置于钨箔上，熔融后固化，得到单晶金(111)；2)将过渡金属氧化物粉末放置在金(111)/钨基底正下方；3)将硫属单质放置于基底的上游；4)通入氩气，将基底和硫属单质分别加热至不同温度，之后恒温，数分钟后在基底上生长得到单一取向的单层过渡金属硫属化合物，延长时间即可得到晶圆级单晶过渡金属硫属化合物单层薄膜。本发明以金(111)作为生长基底，外延生长单晶过渡金属硫属化合物薄膜，能够通过控制过渡金属硫属化合物的畴区取向，实现同一取向畴区的无缝拼接，是一种实现晶圆级单层过渡金属硫化物单晶的方法。
一种晶圆级过渡金属化合物生长方法

[发明专利]含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法-CN200510118210.1无效
发明人：曾卉一;黄锦顺;郭国聪;郑发鲲;董振超 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法，涉及一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ₂ (A＝Li，Na，K，Rb，Cs；Tr＝Ga，In；Q＝S，Se，Te)的合成与晶体生长本发明的目的是将一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ₂的合成与助熔剂晶体生长技术结合起来。选择碱土金属硫属化合物、镓或铟的硫属化合物或卤化物以及适当的碱金属卤化物反应助熔剂为原料，通过反应助熔剂方法制备并生长一类含碱金属、镓或铟硫属化合物ATrQ₂晶体。
碱金属化合物晶体生长方法

[发明专利]一种抗氧聚苯硫醚纤维的制造方法-CN200610134654.9无效
发明人：祝万山;祝成振 -专利权人：祝万山;祝成振
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： D01F6/76 文献下载
摘要：一种抗氧聚苯硫醚纤维的制造方法，属抗氧聚苯硫醚纤维的研究与开发领域。现普遍采用聚苯硫醚树脂生产工业烟气过滤材料，因为它具有良好的耐热性、阻燃性等优点，但聚苯硫醚大分子上的双硫键对树脂的性能影响极大。纤维大分子上的硫容易发生深度变化。其结果会导致热氧化降解或氧化交联。影响过滤材料的使用寿命。本发明采用对聚苯硫醚树脂进行改性处理，在树脂中添加具有抑制和延缓氧化和降解作用的改性剂，可以有效地抑制和延缓纤维被高温氧化和降解。改性剂不仅可以阻断链降解反应的进行，能够分解周边的过氧化物，还可以屏蔽聚苯硫醚大分子中的弱键，防止被氧化。用改性树脂生产的工业烟气过滤材料可以大大提高使用寿命，降低生产成本。
一种抗氧聚苯硫醚纤维制造方法

[发明专利]硫属化物薄膜的制造方法-CN201610081902.1在审
发明人：叶昭辉;邱壬官 -专利权人：炬力奈米科技有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本揭露提供一种硫属化物薄膜的制造方法。此方法包括：提供基底于腔室中；实行第一原子层沉积工艺以形成第一氧化物薄膜于基底上方；实行第一硫属化工艺，包括注入第一硫属元素，以使第一氧化物薄膜转变为第一硫属化物薄膜；于第一硫属化物薄膜上实行退火工艺。
硫属化物薄膜制造方法

[发明专利]基于硫属化物的材料、以及包括其的开关元件和存储器件-CN202210773794.X在审
发明人：梁基延;权世甲;成河俊;安东浩;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供基于硫属化物的材料、以及包括其的开关元件和存储器件。所述基于硫属化物的材料包括：硫属化物材料和掺杂剂。所述硫属化物材料包括Ge、Sb和Se。
基于硫属化物材料以及包括开关元件存储器件

[发明专利]一种稀土硫属化合物的制备方法-CN200710008882.6无效
发明人：郭胜平;郭国聪;李强;邹建平 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2007-04-26 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： C01F17/00 文献下载
摘要：一种稀土硫属化合物的制备方法，涉及稀土硫属化合物的合成。本制备方法采用硫属元素单质、稀土氧化物为原料，在真空高温条件下反应，得到稀土硫属化合物，本方法的特征在于：在合成稀土硫属化合物的反应体系中加入稍过量于化学反应量的硼。
一种稀土化合物制备方法

[发明专利]一种含长链烷氧基的含硫硅烷偶联剂的制备方法-CN202010734666.5在审
发明人：王灿;靳军;陈圣云;甘俊;甘书官 -专利权人：荆州市江汉精细化工有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C07F7/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种长链烷氧基含硫硅烷偶联剂的制备方法，属精细化工技术领域。本发明采用异构十三醇聚氧乙烯醚取代含硫硅烷分子结构中的短链烷氧基基团;该产品在橡胶混炼应用中橡胶具有优异的耐磨、抗拉、强度等性能，同时能有效的降低橡胶混炼过程中的乙醇的释放、对提高橡胶混炼的安全性和环保水平起到的很好的效果
一种含长链烷氧基硅烷偶联剂制备方法

[其他]烯烃的齐聚-CN87105159无效
发明人：迈克尔·尤金·兰迪斯;加里·韦恩·柯克;南希·玛丽·佩奇 -专利权人：无比石油公司
申请日： 1987-06-27 - 公布日： 1988-03-23 - 主分类号： C07C2/08 文献下载
摘要：烯烃齐聚的方法是使含烯烃的原料在100至500℃和10至20000千帕的压力下，与含有热稳定的层状硫属化物的催化剂相接触。层状硫属化物相邻层片之间被硫属化物撑柱分开。
烯烃齐聚

[发明专利]烯烃的齐聚-CN87105159.1无效
发明人：迈克尔·尤金·兰迪斯;加里·韦恩·柯克;南希·玛丽·佩奇 -专利权人：无比石油公司
申请日： 1987-06-27 - 公布日： 1991-10-09 - 主分类号： C07C2/08 文献下载
摘要：烯烃齐聚的方法是使含烯烃的原料在100至500℃和10至20000千帕的压力下，与含有热稳定的层状硫属化物的催化剂相接触。层状硫属化物相邻层片之间被硫属化物撑柱分开。
烯烃齐聚

[发明专利]2D金属硫属化物膜的激光辅助原子层沉积-CN201610823311.7在审
发明人： G·孙达拉姆 -专利权人：超科技公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及2D金属硫属化物膜的激光辅助原子层沉积。具体地，公开了使用激光辅助原子层沉积来形成2D金属硫属化物膜的方法。一种直接生长方法包含贴附含金属分子层至经加热的基材的表面；然后使该含金属分子层与使用等离子体输送的含硫属化物的自由基化的前体气体反应以形成金属硫属化物的非晶2D膜；然后对该非晶2D膜进行激光退火以形成该金属硫属化物的结晶2D膜，其可以具有MX或MX2的形式，其中M为金属且X为硫属化物。
金属硫属化物膜激光辅助原子沉积

[发明专利]包含基本上用介电材料封装的存储材料的半导体装置，以及相关的系统和方法-CN201810994834.7有效
发明人： P·凡蒂尼;A·皮罗瓦诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：所述堆叠结构中的每一者包括：第一导电材料；硫属化物材料，其在所述第一导电材料上方；第二导电材料，其在所述硫属化物材料上方；以及第一介电材料，其介于所述硫属化物材料与所述第一导电材料之间且介于所述硫属化物材料与所述第二导电材料之间所述半导体结构进一步包括在所述硫属化物材料的至少侧壁上的第二介电材料。所述硫属化物材料可基本上由一或多个介电材料封装。本发明揭示相关的半导体结构及相关方法。
包含基本上用介电材料封装存储半导体装置以及相关系统方法