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[发明专利]一种全硫氧镁水泥轻质保温承重墙体板-CN201510235023.5在审
发明人：姚子钟 -专利权人：上海承雨新材料科技有限公司
申请日： 2015-05-11 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： E04C2/284 文献下载
摘要：本发明公开了一种全硫氧镁水泥轻质保温承重墙体板，其包括由内而外依次设置的第一硫氧镁水泥层、第一玻璃纤维网格布层、第二硫氧镁水泥层、第二玻璃纤维格布层、钢结构层、芯部轻质硫氧镁水泥层。墙板总厚度为60-250mm，第一硫氧镁水泥层的厚度为0.2mm，第二硫氧镁水泥层的厚度为10mm；第一玻璃纤维网格布层、第二玻璃纤维格布层均为铂金网格布；钢结构层为轻钢龙骨；第一硫氧镁水泥层、第二硫氧镁水泥层和芯部轻质硫氧镁水泥层均采用硫氧镁水泥和改性添加剂制作而成
一种全硫氧镁水泥质保承重墙体

[发明专利]氮硫共掺杂碳纳米管的制备方法及其应用-CN201810354535.7有效
发明人：刘文杰;汝钱洵;左士祥;姚超;杜涛;王亮;李霞章;罗士平 -专利权人：常州大学
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01M4/90 文献下载
摘要：本发明涉及一种以埃洛石为模板可控制备氮硫共掺杂碳纳米管的方法，属电池材料科学技术领域。主要原料为埃洛石、噻吩和吡咯，通过低温聚合反应将埃洛石与噻吩制成埃洛石/聚噻吩复合材料，再将复合材料与吡咯混合制成埃洛石/导电聚合物复合材料，最后将复合材料高温热处理后再除去埃洛石即可得到氮硫共掺杂碳纳米管本发明还提供了一种上述制备方法制得的氮硫共掺杂碳纳米管的应用，应用于燃料电池催化阴极氧还原反应。
氮硫共掺杂纳米制备方法及其应用

[发明专利]一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置-CN202111088146.2在审
发明人：彭彦莉 -专利权人：彭彦莉
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及磁场探测领域，具体提供了一种二维过渡金属硫属化合物磁场探测装置，二维过渡金属硫属化合物层置于基底层上，导热绝缘弹性材料部设置在二维过渡金属硫属化合物层上的中部，四氧化三铁颗粒设置在导热绝缘弹性材料部上，第一电极和第二电极分别置于二维过渡金属硫属化合物层上导热绝缘弹性材料部的两侧。
一种二维过渡金属化合物磁场探测装置

[发明专利]一种楔形硫属化物纳米片及制备方法-CN202310570267.3在审
发明人：王兰芳;许小红;付金智;刘文姣;丁瑞芳;张泰淞 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明涉及磁性硫属化合物的制备领域，具体公开了一种具有较高室温矫顽力的楔形铜铁基磁性硫属化物纳米片，所述硫属化物纳米片组成为CuFeS2，所述纳米片的晶体结构为四方晶体结构本发明主要用于制备铜铁基磁性硫属化物纳米片，解决了现有技术中CuFeS2纳米晶不具有室温铁磁性或室温磁性较小的问题。
一种楔形硫属化物纳米制备方法

[发明专利]二维铜基磁性纳米片及制备方法-CN202310570337.5在审
发明人：王兰芳;刘文姣;丁瑞芳;郝艳青;李宇嘉;许小红 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明申请属于三元硫属化物的制备领域，具体公开了一种二维铜基磁性硫属化物纳米片及制备方法，所述硫属化物纳米片组成为CuMX2，所述M为Cr或Fe，所述X为S或Se本发明主要用于制备二维铜基磁性硫属化物纳米片，解决了现有技术中合成二维CuCrX2纳米片操作步骤多，给操作者带来不便的问题。
二维磁性纳米制备方法

[发明专利]一种硫氧镁胶凝材料早强剂及其应用-CN201510672984.2在审
发明人：王自福;张兴福;靳路通;刘坤;王明英 -专利权人：山东省建筑科学研究院
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： C04B22/14 文献下载
摘要：本发明提供一种硫氧镁胶凝材料早强剂，以及浓硫酸在提高硫氧镁胶凝材料早期强度中的应用。本发明的硫氧镁胶凝材料早强剂能在低温条件下有效缩短硫氧镁料浆的凝结时间，提高制品的早期(1d)强度、缩短脱模时间的硫氧镁胶凝材料早强剂。
一种硫氧镁胶凝材料早强剂及其应用

[发明专利]一种利用金属性过渡金属硫属化合物制备超级电容器电极的方法-CN201710323938.0在审
发明人：张艳锋;杨鹏飞;纪清清;李聪 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-05-08 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料应用领域，具体地，本发明涉及一种利用金属性过渡金属硫属化合物制备超级电容器电极的方法。本发明包括以下步骤1)将金属性过渡金属盐和硫族单质经化学气相沉积法制备成金属性过渡金属硫属化合物纳米片；2)将金属性过渡金属硫化合物纳米片分散至去离子水和异丙醇的混合溶液中，得到金属性过渡金属硫属化合物纳米片悬浮液；3)在上述过渡金属硫属化合物纳米片悬浮液中添加粘结剂后，滴涂至玻碳电极上，制成超级电容器电极。本发明以金属性过渡金属硫属化合物纳米片作为电极的超级电容器电容超过1.5×102F·g‑1，以硫酸溶液作为电解液时表现出高功率密度(＞10W·cm‑3)和高能量密度(＞0.1Wh·cm‑3)，且具有良好的循环性能
一种利用金属性过渡金属化合物制备超级电容器电极方法

[发明专利]系列碱土金属镁基硫属（硒属）化合物及其非线性光学晶体及其制备方法及其用途-CN202111400480.7在审
发明人：俞洪伟;陈佳乐;吴红萍;胡章贵 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及碱土金属镁基硫属(硒属)化合物及碱土金属镁基硫属(硒属)非线性光学晶体及其制备方法及其用途，该系列化合物和晶体化学式通式均为AMg6Ga硫属(硒属)化合物采用真空高温固相反应法合成，碱土金属镁基硫属(硒属)晶体采用高温溶液法或布里奇曼法(坩埚下降法)生长。该材料可用于制造二次谐波发生器，上、下频率转换器，光参量振荡器等。
系列碱土金属镁基硫属硒属化合物及其非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]硫化物矿物的精选方法-CN200380100933.8有效
发明人： A·S·罗森伯格;L·G·马格利奥科 -专利权人： CYTEC技术有限公司
申请日： 2003-10-01 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： B03D1/012 文献下载
摘要：用于精选金属硫化物矿石中碱金属矿物价值的泡沫浮选法，其采用了含有选自N－丁氧羰基－O－甲基氨基甲硫羰酸酯、N－丁氧羰基－O－乙基氨基甲硫羰酸酯、N－丁氧羰基－O－丙基氨基甲硫羰酸酯、N－丁氧羰基－O－丁基氨基甲硫羰酸酯、N－丁氧羰基－O－戊基氨基甲硫羰酸酯、和N－丁氧羰基－O－己基氨基甲硫羰酸酯的N－丁氧羰基－O－烷基氨基甲硫羰酸酯的浮选促集剂。
硫化物矿物精选方法

[发明专利]具有金属硫属化物盖材料的互连线结构-CN202211468094.6在审
发明人： C·H·内勒;C·杰泽斯基 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：包括经受一种或多种硫属化技术以形成盖的互连线金属化特征的集成电路互连结构可以减小线电阻。块体线材料的顶部部分可以有利地结晶成具有特别大的晶体结构的金属硫属化物盖。因此，块体材料的顶部部分的硫属化可相对于块体材料用替代材料(例如非晶电介质或细晶粒金属或石墨材料)覆盖的替代方案降低了互连线的散射电阻。
具有金属硫属化物盖材料互连结构

[发明专利]用于形成交叉点存储器的置换材料工艺-CN201580016818.5有效
发明人：宗沅·李;詹保罗·斯帕迪尼;斯蒂芬·W·鲁塞尔;德辰·郭 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-03-25 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明揭示形成包括相变材料及/或硫属化物材料的存储器单元的方法。在一个方面中，所述方法包含提供在第一方向上延伸的下部线堆叠，所述下部线堆叠包括在下部导电线上方的牺牲线。所述方法进一步包含通过选择性地移除所述牺牲线的牺牲材料并用硫属化物材料置换所述牺牲线而形成在所述第一方向上延伸的硫属化物线。
用于形成交叉点存储器置换材料工艺

[发明专利]基于硒化锡的有限可再编程单元-CN200680005605.3有效
发明人：克里斯蒂·A·坎贝尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-02-17 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：根据示范性实施例，存储器装置及其形成方法提供第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的含有硫属化物或锗的材料层。所述存储器装置进一步包含位于所述含有硫属化物或锗的材料层与所述第二电极之间的锡硫属化物层。
基于硒化锡有限编程单元

[发明专利]场效应硫属化物装置-CN200480018276.7无效
发明人： S·R·奥夫欣斯基 -专利权人：能源变换设备有限公司
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：包括硫属化物材料的多端子场装置。该装置包括第一端子、第二端子和场效应端子。向场效应端子施加的门极信号可调制流过第一和第二端子之间的硫属化物材料的电流，和/或改变该第一和第二端子之间的硫属化物材料的保持电压或电流。
场效应硫属化物装置

[发明专利]一种中/远红外透明导电材料体系及其制备导电薄膜的方法-CN202010483488.3有效
发明人：邱继军;骆英民;边继明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种中/远红外透明导电材料体系及其制备导电薄膜的方法，属于电子材料技术领域，为高价态金属(三价以上)掺杂硫属半导体薄膜及其多源共蒸发制备方法。本发明以常用中/远红外透明材料为衬底，以无机硫属化合物半导体和单质高价态金属作为原料，单质硫族元素作为阴离子补偿材料，采用多源共蒸发技术在较低衬底温度下，制备高价态金属掺杂硫属半导体薄膜。所制备的掺杂硫属半导体薄膜不仅具有良好的化学稳定性，在可见光‑近红外‑中红外波长区间具有高的透过率，而且还具高电导率、高载流子迁移率等一系列优异的导电特性。
一种红外透明导电材料体系及其制备薄膜方法

[发明专利]可改善钢中氧含量硫含量的渣处理剂-CN97109135.8无效
发明人：刘跃;张海亮;李建建;陈建思 -专利权人：刘跃
申请日： 1997-06-10 - 公布日： 1998-03-11 - 主分类号： C21C7/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种可改善钢中氧含量,硫含量的渣处理剂。该渣处理剂是将铝,稀土金属,碱土金属,碱土金属氧化物混合制成粒状或圆粒状。其中铝无需制成活性铝粉,其产物属碱性,不影响渣的碱度,不使钢增氮,不吸潮。
改善钢中氧含量处理

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