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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]以高能量低剂量等离子体后处理氮化硅基的介电膜的方法-CN202080041799.2在审
发明人：孙顒;J·C·李;P·P·杰哈;梁璟梅;S·S·奥哈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种对在基板的表面上形成的氮化硅(SiN)基的介电膜进行后处理的方法，包括：将具有形成在其上的氮化硅(SiN)基的介电膜的基板定位在处理腔室中；以及使氮化硅(SiN)基的介电膜在处理腔室中暴露于含氦高能量低剂量等离子体含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的能量在1eV与3.01eV之间，且含氦高能量低剂量等离子体中的氦离子的通量密度在5×1015个离子/cm
高能量剂量等离子体处理氮化介电膜方法

[发明专利]一种碳化硅复合材料圆管查找确认漏点的方法-CN202011349456.0在审
发明人：程涵;谢宇辉;滕章第 -专利权人：核工业第八研究所
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G01M3/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅复合材料圆管查找确认漏点的方法，包括以下步骤：(1)取确定有漏点的碳化硅复合材料圆管，套上热缩管，热缩处理后，形成热缩管与碳化硅复合材料圆管之间没有漏点的碳化硅检测装配组件；(2)再将碳化硅检测装配组件与左芯模组件和右芯模组件装配并密封处理，形成无漏点的待检测组件，接着与氦质谱检漏仪连接；(3)将热缩管的某一检测区域划开后，在氦质谱检漏仪处于检测状态下时，在对应检测区域位置喷入定量氦气，由氦质谱检漏仪检测待检测组件的漏率，直至所有检测区域完成检漏与现有技术相比，本发明可以在不改变和损坏碳化硅复合材料圆管情况下可找出漏点，达到对碳化硅复合材料圆管漏点位置确定的要求。
一种碳化硅复合材料圆管查找确认方法

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池-CN201110285753.8无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、P型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜
结合氢化氦化硅制作三结覆板型硅薄膜太阳能电池

[发明专利]结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池-CN201110285754.2无效
发明人：陈宏昌;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明提供一种结合氢化硅与氦化硅制作三结基材型硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、N型氢化微晶硅薄膜、I型氢化微晶硅薄膜、P型氢化微晶硅薄膜、N型氦化非晶硅薄膜、I型氦化非晶硅薄膜、P型氦化非晶硅薄膜、N型氢化非晶硅薄膜、I型氢化非晶硅薄膜、P型氢化非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极。
结合氢化氦化硅制作基材薄膜太阳能电池

[发明专利]一种雷达隐身方法-CN202110843715.3在审
发明人：刘小秦 -专利权人：樊军歌;刘禹超
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C01B32/991 文献下载
摘要：以三氟化硼、甲烷、氢气为原料，氦为载气，生产碳化硼纳米颗粒。以三氟化硼、氨、氢气为原料，氦为载气，生产氮化硼纳米颗粒。以高纯碳化硅为原料，以氦为载气，生产碳化硅纳米颗粒。以高纯硅粉和高纯氮气为原料，以高纯氮气为载气，生产氮化硅纳米颗粒。用等离子喷镀法将上述碳化硼、碳化硅、氮化硼、氮化硅四种纳米颗粒以各种组合方式，在目标物表面喷镀一层至数层。
一种雷达隐身方法

[发明专利]氧化硅沟填制程-CN200310100068.9有效
发明人：朱秀娟;黄稚铵;蔡腾群;陈能国 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2003-10-08 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种氧化硅沟填制程，其是使用兼具蚀刻作用的化学气相沉积法在沟渠中填满氧化硅，其中所使用的反应气体包括沉积用反应气体及溅蚀用的氦/氢(He/H₂)混合气体，此氦/氢(He/H
氧化硅沟填制程

[发明专利]一种在单晶硅表层植入氧原子的方法及硅纳米沟道的制备方法和检测方法-CN202310435228.2在审
发明人：高珍;张超;王宏达 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：植入氧原子的方法包括：将表面镀有氧化物层的单晶硅进行氦离子辐照并直写图形，氧化物层中的氧原子受氦离子动能转移被牵引植入单晶硅表层形成氧化硅。硅纳米沟道的制备方法步骤包括：1)采用在单晶硅表层植入氧原子的方法获得氦离子束直写图形后的氧化硅图形；2)对氧化硅图形进行化学湿法刻蚀。检测方法：在化学湿法刻蚀之前，采用镓离子束刻蚀出氧化硅图形的垂直截面。本发明能够在单晶硅表面加工制备出线宽只有10nm或更小，深宽比达10或以上的硅纳米沟道。
一种单晶硅表层植入氧原子方法纳米沟道制备检测

[发明专利]氧化硅氮化硅叠层离子辅助蚀刻-CN201780063863.5在审
发明人：谭忠魁;向华;胡文兵;徐晴;傅乾 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种用于在蚀刻室中离子辅助蚀刻交替的氧化硅层和氮化硅层的叠层的方法。使包含氟组分、氦和氟代烃或烃的蚀刻气体流入所述蚀刻室。在所述蚀刻室中使所述气体形成为原位等离子体。提供约10伏至约100伏的偏压以将氦离子加速到所述叠层并活化所述叠层的表面以形成活化表面，以进行离子辅助蚀刻，其中所述原位等离子体蚀刻所述叠层的所述活化表面。
叠层蚀刻离子辅助蚀刻室原位等离子体活化表面氮化硅层气体形成蚀刻气体氧化硅层氮化硅氟代烃氦离子交替的氧化硅活化

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910460498.2在审
发明人：崔庆寅;宋炫彻;金善政;金泰坤;郑圣勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括第一有源图案和第二有源图案；器件隔离层，所述器件隔离层填充所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一沟槽，所述器件隔离层包括掺杂有氦的氧化硅层，所述器件隔离层的氦浓度高于所述第一有源图案和所述第二有源图案的氦浓度
源图案器件隔离层半导体器件栅电极衬底氧化硅层填充掺杂制造

[发明专利]改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法-CN201710355804.7有效
发明人：杨风波 -专利权人：联芯集成电路制造（厦门）有限公司;联华电子股份有限公司
申请日： 2017-05-05 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法，其步骤包含形成一低介电材料层以及在所述低介电(low‑k)材料层上形成与其接触的一氮氧化硅(SiON)层，其中形成所述氮氧化硅层的步骤包含先对所述低介电材料层的表面进行一原位氦处理，接着在同一制作工艺腔体中形成所述氮氧化硅层。
改善低介电材料氧化之间介面方法

[发明专利]离子布植方法与离子布植机-CN201510493080.3有效
发明人：苏科缙;张国忠;吴铭伟;黄伟铨;杨学人;陈智谦 -专利权人：汉辰科技股份有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：布植气体可以是磷化氢、三氟化硼、二氧化碳、四氟化锗、砷化氢、一氧化碳、四氟化碳、氮、四氟化硅或其组合，而稀释气体可以是氢、氦或其组合。当稀释气体同时有氦与氢时，氦与氢的体积比例被控制在1:99到3:17之间。藉由使用这样特定的程序，离子源的使用期限得以延长。
离子方法布植机

[发明专利]一种含多反射腔的氦原子气室制作方法及氦原子气室-CN202211292641.X在审
发明人：彭翔;郭弘;刘洋;易凯文 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种含多反射腔的氦原子气室制作方法及氦原子气室，其中制作方法包括：提供第一柱面镜和第二柱面镜，分别对第一柱面镜和第二柱面镜的反射面进行两层镀膜处理，内层镀膜处理的材料为五氧化二钽，外层镀膜处理的材料为二氧化硅在硅片上设置无底玻璃气室，得到含多反射腔的玻璃气室；对多个玻璃气室进行烧制得到多腔室玻璃泡；使用氦气反复清洗多腔室玻璃泡；向多腔室玻璃泡充入预设气压的氦气；取下多腔室玻璃泡内的不含吸气剂的玻璃气室，得到含多反射腔的氦原子气室本发明能够保证最终制备出的氦原子气室的高纯度和长寿命，从而能够有效提升氦原子磁力仪的工作性能。
一种反射原子制作方法

[发明专利]蚀刻到含氧化硅材料中的方法、形成容器电容器的方法和形成动态随机存取存储器（DRAM）阵列的方法-CN200780045300.X无效
发明人：拉塞尔·A·本森 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2007-11-08 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供在具有至少75体积％的氦的蚀刻环境下蚀刻到含氧化硅材料中的方法。所述蚀刻环境还可包括一氧化碳、O₂以及一种或一种以上碳氟化合物。可利用形成于所述含氧化硅材料中的开口来制造容器电容器，且可将这些电容器并入动态随机存取存储器(DRAM)中。
蚀刻氧化材料中的方法形成容器电容器动态随机存取存储器 dram 阵列

[实用新型]充氦管及其防漏氦装置-CN202121817310.4有效
发明人：张果;蓝峰;王洪军;姜玉伦;黄凯 -专利权人：成都东方仪器有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： F16L11/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种充氦管及其防漏氦装置，涉及充氦设备技术领域。该充氦管包括排氦管以及依次相连的第一连接头、导氦管和第二连接头。第一连接头开设有进氦口和抽氦口。第二连接头上开设有出氦口，进氦口、导氦管和出氦口依次连通。排氦管套设在导氦管外，排氦管和导氦管之间留置有排氦间隙，排氦间隙与抽氦口连通，若封堵抽氦口，排氦间隙和抽氦口能够形成密闭空间。该充氦管的防漏氦装置包括清氦泵，清氦泵与抽氦口连通。通过在排氦管和导氦管之间留置排氦间隙，便于通过抽氦口将从导氦管渗透至排氦间隙内的氦气抽出，以免排氦间隙内的氦气渗透至真空箱内，而影响工件的检漏。
充氦管及其防漏装置

[实用新型]回氦装置及锂电池生产线-CN202222930367.6有效
发明人：文俊 -专利权人：欣旺达电动汽车电池有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本申请公开了一种回氦装置及锂电池生产线。回氦装置用于对单体电池进行回氦，包括注氦机构、注氦嘴、注氦管路结构、泄压管路结构、泄气阀，注氦嘴用于与单体电池的注液口相对接；注氦管路结构分别连通注氦机构和注氦嘴；泄压管路结构分别连通注氦管路结构与外界注氦嘴与单体电池的注液口对接，注氦机构通过注氦管路结构以及注氦嘴将氦气注入单体电池；然后进行回氦，打开泄压阀，泄压阀通过泄压管路结构将注氦管路结构以及注氦嘴连通外界空气，从而，注氦管路结构以及注氦嘴内的气压与外界空气的大气压一致，使得回氦过程中被抽出的电解液回到单体电池内，从单体电池上拔出注氦嘴后，不会造成电解液的滴落。
装置锂电池生产线

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