“次像素电极”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1848837个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]阵列基板及显示面板-CN201921789414.1有效
发明人：刘翔 -专利权人：成都中电熊猫显示科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底基板、像素电极、栅极、透明导电图形、栅极绝缘层、金属氧化物半导体图形、源极、漏极、以及保护图形，像素电极和透明导电图形同层地设置在衬底基板上，栅极设置在透明导电图形之上，栅极绝缘层覆盖在设有透明导电图形、栅极以及像素电极的衬底基板上，金属氧化物半导体图形和保护图形依次层叠设置在栅极绝缘层上，源极和漏极的至少部分结构设置在金属氧化物半导体图形之上，漏极与像素电极电连接，且像素电极和栅极在同一次光刻工艺中形成。
阵列显示面板

[实用新型]一种薄膜晶体管驱动背板、显示面板-CN201320613088.5有效
发明人：王祖强;刘建宏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该薄膜晶体管驱动背板包括内设有多个有源器件的背板基体和设置在该背板基体上的电极层；该电极层上形成有源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极。本实用新型的薄膜晶体管驱动背板采用源极、漏极以及与漏极呈一体设置的像素电极同处于同一电极层的设计，所述漏极和像素电极一体形成，可使其结构的可靠度更高；且将源极、漏极和像素电极通过一次构图工艺即可同时形成
一种薄膜晶体管驱动背板显示面板

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置-CN202180004002.6在审
发明人：王青;张有为;易志根 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：其中，阵列基板，包括基板，以及在基板上阵列排布的多个子像素和驱动各子像素的薄膜晶体管，阵列基板包括像素电极；薄膜晶体管的沟道区包含金属氧化物半导体层，像素电极为金属氧化物半导体进行导体化形成的金属氧化物导电层，薄膜晶体管的沟道区与像素电极使用同一金属氧化物半导体层图案化后形成。在本公开实施例中，可以基于同一金属氧化物半导体层，仅通过一次图案化即可形成半导体的沟道区和导电的像素电极，减少了掩膜版图案化工序，简化了工艺步骤，降低了工艺复杂度。
一种阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]一种双栅型薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构-CN201210029341.2有效
发明人：敦栋梁;夏志强 -专利权人：上海中航光电子有限公司
申请日： 2012-02-09 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种双栅型薄膜晶体管液晶显示装置的像素结构，所述像素结构为横像素结构，包括：栅极线，所述栅极线沿第一方向设置在第一金属层；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖在所述栅极线表面；公共电极线，所述公共电极线对应于每个次像素区设置在第二金属层，所述第二金属层设置在所述栅极绝缘层表面上，且所述公共电极线与栅极线在同一平面的投影之间无间隙。由于所述公共电极线与栅极线在同一平面的投影之间无间隙，则在次像素区内，不透光区的面积减小，透光区的面积增大，则像素的开口率提高了。
一种双栅型薄膜晶体管液晶显示装置像素结构

[发明专利]一种发光二极管器件及其制备方法、显示装置-CN202110430947.6有效
发明人：张粲;孟宪芹;王灿;李伟;牛晋飞;张晶晶;齐琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种发光二极管器件，包括：衬底；在衬底一侧依次设置的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，多量子阱层被分割为相互隔离的至少两个子像素多量子阱层；第二半导体层被分割为相互隔离的至少两个子像素半导体层，各子像素多量子阱层、各子像素半导体层一一对应地位于各子像素区域内；共通电极，与第一半导体层连接；相互隔离的至少两个子像素控制电极，各子像素控制电极与各子像素半导体层一一对应连接。本公开的发光二极管器件，实现了将发光二极管器件分割为至少两个子像素LED，有利于实现高PPI设计，可以减轻多次固晶的尺寸压力，并且将至少两次绑定转变为一次绑定，提高了产品良率。
一种发光二极管器件及其制备方法显示装置

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202010912784.0在审
发明人：卢景怡 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括阵列排布于显示面板内的多个子像素单元，每一子像素单元至少包括主像素电极、次像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及与第三薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一源极通过将第一沟道划分为第一子沟道和第二子沟道，使得与拼接区对应的第一薄膜晶体管的沟道宽度变化量大于第二薄膜晶体管的沟道宽度的变化量，以此减小第二薄膜晶体管与第一薄膜晶体管的阻抗比的变化量，从而减小与拼接区对应的子像素单元中次像素和与非拼接区对应的子像素单元中次像素亮度的差异
显示面板显示装置

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法-CN201210458984.9无效
发明人：张弥 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板制作方法及阵列基板，阵列基板制作方法包括：在所述基板上形成栅金属薄膜、绝缘薄膜以及半导体薄膜，通过第一次构图工艺形成包括栅线、栅极绝缘层和半导体层的图形；依次形成透明导电薄膜和金属薄膜，通过第二次构图工艺形成包括数据线、源极、漏极、公共电极和公共电极引线的图形；形成绝缘层，通过第三次构图工艺形成包括在所述漏极位置的绝缘层过孔图形；形成像素电极层，通过第四次构图工艺形成包括狭缝结构的像素电极图形
一种阵列及其制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法-CN200610103866.0有效
发明人：邱海军;王章涛;陈旭;闵泰烨 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2006-08-04 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括玻璃基板、栅线、栅电极等部分，其中栅电极和栅线上依次为第一绝缘层、有源层和掺杂层；栅电极与其上方的第一绝缘层、有源层和掺杂层共同形成栅小岛；第二绝缘层覆盖在玻璃基板、栅线及栅小岛周边部位；源电极及数据线呈一体位于第二绝缘层上方且下方同时有像素电极材料层，源电极在栅小岛周边位置与栅电极上的掺杂层相连；像素电极位于第二绝缘层上方；漏电极一端同栅电极上的掺杂层相连，另一端搭接在像素电极上本发明同时公开一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构制造方法。本发明利用三次光刻掩模版形成薄膜晶体管的方法，节约了阵列工艺的成本和占机时间，提高了产能。
一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法

[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法-CN200610145113.6有效
发明人：邱海军;王章涛;闵泰烨 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2006-11-10 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括：玻璃基板、栅线、栅电极、第一栅绝缘层、有源层、掺杂层、第二绝缘层、数据线、源电极、漏电极、像素电极及钝化层，其中栅电极和栅线上依次为第一栅绝缘层、有源层和掺杂层；栅线上有一截断槽，其截断栅线上的掺杂层和有源层；第二绝缘层覆盖在截断槽及栅线和栅电极外的玻璃基板上；像素电极与漏电极呈一体位于第二绝缘层上方，且在形成漏电极的位置与栅电极上的掺杂层搭接；钝化层覆盖在像素电极之外的部分本发明同时公开了该像素结构的制造方法。本发明在基于传统工艺的基础上，利用光刻工艺实现了三次光刻掩模版形成薄膜晶体管的方法，可以节约阵列工艺的成本和占机时间，提高产能。
一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法-CN201110128877.5有效
发明人：张学辉 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明中，通过一次构图工艺在绝缘基板上形成像素电极的图形层、以及位于像素电极的图形层之上的源电极与数据线的图形层和漏电极的图形层；通过一次构图工艺形成覆盖在源电极与数据线的图形层和漏电极的图形层上的有机半导体层、以及覆盖在有机半导体层上的栅绝缘层；通过一次构图工艺在形成有栅绝缘层的绝缘基板上形成钝化层；通过一次构图工艺形成位于钝化层之上的栅电极与栅线的图形层。
有机薄膜晶体管阵列及其制备方法

[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置-CN201610532692.3有效
发明人：崔贤植;田允允 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，将公共电极在阵列基板中的膜层位置进行变更，便于采用一次构图工艺形成位于相邻膜层的公共电极和栅极的图形，节省一道制作工序，有利于减少制作过程中的构图次数并且，在栅极和公共电极的图形上依次形成栅绝缘层、有源层、源漏极和数据线、绝缘层以及像素电极的图形时，像素电极与源漏极和数据线位于不同膜层，像素电极需要通过贯穿绝缘层的第一过孔与源漏极中的源极相连，这样，可以避免像素电极与数据线位于相邻膜层时可能存在短路情况，也降低了数据线与像素电极之间的寄生电容。
一种阵列制作方法显示装置

[发明专利]一种低温多晶硅显示装置及其制作方法-CN201110433171.X有效
发明人：周秀峰 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅显示装置及其制作方法，包括：在基板之上方形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层之上方形成与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层；在多晶硅层之上方分别形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层，并且使所述像素电极层与多晶硅层电连接，使公共电极层与金属屏蔽层电连接。通过上述方式，本发明能够降低公共电极层的阻值，减少因为公共电极层的电阻值过大引起的延迟效应，减少一次掩膜板的使用，减少完成一次工艺流程的时间，降低成本，提高产能。
一种低温多晶显示装置及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管显示器结构-CN201610759284.1在审
发明人：孙智江;赵见国 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管显示器结构，该显示器包括一个或以上数量的显示单元，每个显示单元均由若干个像素构成；其特征在于所述的每个像素均包含三个或三个以上的次像素，相邻的次像素之间存在一个蚀刻间隙，且一个单元内同一列的次像素连接在同一个柔性电极A上，一个单元内同一行的次像素连接在同一个柔性电极B上，并实现行列驱动。
一种发光二极管显示器结构

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201811032685.2在审
发明人：杨宇桐;黄中浩;吴旭;王兆君;豆远尧 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：阵列基板的制备方法包括：形成栅电极；通过一次构图工艺形成氧化物有源层、源电极、漏电极和像素电极。阵列基板包括设置在基底上的栅电极，覆盖所述栅电极的第一绝缘层，设置在所述第一绝缘层上的氧化物有源层，设置在所述氧化物有源层上的源电极、漏电极和像素电极。本发明减少了2次构图工艺，最大限度地简化了工艺流程，大幅度降低了生产成本，提高了产能，同时避免了高压射频等离子体对氧化物有源层的轰击，提高了薄膜晶体管电学稳定性和工作可靠性。
氧化物有源层阵列基板栅电极绝缘层构图工艺显示装置像素电极漏电极源电极射频等离子体薄膜晶体管电学稳定性工作可靠性工艺流程产能基底轰击制备生产成本制造覆盖

[发明专利]一种微型发光二极管显示器结构及制作方法-CN201610759300.7有效
发明人：赵见国;孙智江;吴自力 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种微型发光二极管显示器结构，还涉及该显示器结构的制造方法，该显示器的显示单元均由若干个像素构成；其特征在于：所述的每个像素均包含两个或两个以上的次像素，且一个单元内同一列的次像素连接在同一个电极A上，一个单元内同一行的次像素连接在同一个电极B上并实现行列驱动。
一种微型发光二极管显示器结构制作方法