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[发明专利]横向电场驱动用液晶取向处理剂-CN201480016940.8有效
发明人：新津新平;高桥真文;望月大 -专利权人：日产化学工业株式会社
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供能够消除横向电场驱动方式的液晶表示元件中的、由于黑色因素使画面的色调不协调的液晶取向处理剂、液晶取向膜以及液晶表示元件。一种横向电场用液晶取向处理剂，其特征在于，其含有将聚酰亚胺前体闭环而得到的聚酰亚胺，所述聚酰亚胺前体中，作为源自四羧酸二酐的结构单元具有式(1)所示结构单元。
横向电场驱动液晶取向处理

[发明专利]磁流体驱动的模型船-CN201010606336.4无效
发明人：喻承;归鼎;许卓炅 -专利权人：上海市莘格高级中学
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： A63H23/04 文献下载
摘要：本发明提供磁流体驱动的模型船，包括船体，还包括连接所述船体的如下装置：电场产生装置，其用于在所述船体底部下方产生一电场，该电场的电场方向垂直于所述船体的纵向方向并且平行于所述船体的横向方向；磁场产生装置，其用于在所述船体底部下方产生一磁场，该磁场的磁场方向垂直于所述船体的纵向方向和横向方向。本发明通过调整所述船体底部下方电场和磁场的方向可以对所述磁流体管道中的海水施加以相反方向的作用力，因此，所述模型船作为物理教具可以用来讲解通过喷射流驱动和通过摩擦力驱动船体的两种驱动方式，使学生们对于左手定则以及磁流体有更形象生动的理解
流体驱动模型

[发明专利]一种电场约束的横向电射流打印方法及装置-CN202310586894.6在审
发明人：程娥;朱烨明;程立金;胡宁;丁湘燕;杨超;程业红;毕晓阳 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B29C64/124 文献下载
摘要：本发明为一种电场约束的横向电射流打印方法及装置，所述打印方法包括以下内容：墨水在驱动电场力的作用下从喷针喷射出横向射流；设置约束电场，所述约束电场作用在横向射流的油墨的电场力能够抵消油墨的重力，使射流沿水平精确沉积到预定位置
一种电场约束横向射流打印方法装置

[发明专利]一种用于直接驱动功率器件的高压栅驱动芯片的制备方法-CN201010604240.4有效
发明人：谷健;胡同灿 -专利权人：日银IMP微电子有限公司
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于直接驱动功率器件的高压栅驱动芯片的制备方法，通过采用高压结隔离工艺将高压侧驱动控制模块和低压侧驱动控制模块隔离开，且在常规CMOS管工艺PN结隔离的基础上，通过在PN结表面形成降低表面电场区域，利用两层多晶硅形成电容分压器，有效地改变了PN结表面电场分布，形成了高压横向DMOS管的高压隔离，再通过形成P型轻掺杂区域，制备得到高压N型横向DMOS管，与常规横向DMOS管相比较，通过增加P型降低电场区域结构和双层多晶硅电容结构，可以达到700V以上的耐压要求；同时本制备方法工序简洁、成本较低，仅需要13块结构层次就可以形成直接驱动功率器件的高压栅驱动电路器件。
一种用于直接驱动功率器件高压芯片制备方法

[发明专利]液晶驱动装置和液晶显示装置-CN201280031736.4无效
发明人：居山裕一;津田和彦;今奥崇夫;青山伊织;吉冈孝兼 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明的液晶驱动装置执行如下驱动操作：在进行用于显示的全部灰度级数的一半以下的灰度级数（低灰度级）的显示时，使第1电极对（417）（419）的电极间产生电位差（横向电场）的同时使第2电极对（413）（423）的电极间也产生电位差（纵向电场）。在显示高灰度级的情况下，仅利用横向电场来驱动液晶，能提高透射率。本发明的液晶驱动装置适用于例如场顺序方式的液晶显示装置、车载用显示装置和3D显示装置。
液晶驱动装置显示装置

[发明专利]具有横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜的基板的制造方法-CN201480058026.X有效
发明人：片山雅章;根木隆之;川月喜弘;近藤瑞穂 -专利权人：日产化学工业株式会社;公立大学法人兵库县立大学
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C08L101/02 文献下载
摘要：本发明提供以高效率被赋予取向控制能力、余像特性优异的横向电场驱动型液晶表示元件。本发明提供具有下述液晶取向膜的基板的制造方法，所述制造方法通过具备如下工序而得到被赋予了取向控制能力的横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜[I]将聚合物组合物涂布在具有横向电场驱动用导电膜的基板上而形成涂膜的工序
具有横向电场驱动液晶表示元件取向制造方法

[发明专利]横向电场驱动型液晶表示元件的制造方法-CN201480029107.7有效
发明人：后藤耕平;芦泽亮一;山之内洋一;万代淳彦;南悟志;名木达哉;川月喜弘;近藤瑞穂 -专利权人：日产化学工业株式会社;公立大学法人兵库县立大学
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：提供以高效率赋予取向控制能力、可靠性优异的横向电场驱动型液晶表示元件。一种横向电场驱动型液晶表示元件的制造方法，其具备如下工序：[I]将含有(A)在特定温度范围内表现出液晶性的感光性侧链型高分子和(B)有机溶剂的感光性组合物涂布在具有横向电场驱动用导电膜的基板上，从而形成感光性侧链型高分子膜的工序
横向电场驱动液晶表示元件制造方法

[发明专利]一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向双扩散晶体管-CN201710813122.6有效
发明人：段宝兴;杨银堂;董自明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，同时该多环结构还能在表面横向电场和体内纵向电场分布中均引入新的电场峰，利用电场调制效应对表面横向电场和体内纵向电场同时进行调制，使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化。该结构不仅突破了横向双扩散晶体管由于纵向耐压受限而带来的击穿电压饱和问题，还能达到同时优化表面横向电场和体内纵向电场的作用，可以大幅度提高器件的击穿电压。
一种具有电场调制衬底宽带半导体横向扩散晶体管

[发明专利]一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向双扩散晶体管-CN201710812421.8有效
发明人：段宝兴;董自明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，同时该多环结构还能在表面横向电场和体内纵向电场分布中均引入新的电场峰，利用电场调制效应对表面横向电场和体内纵向电场同时进行调制，使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化。该结构不仅突破了横向双扩散晶体管由于纵向耐压受限而带来的击穿电压饱和问题，还能达到同时优化表面横向电场和体内纵向电场的作用，可以大幅度提高器件的击穿电压。
一种具有电场调制衬底元素半导体横向扩散晶体管

[发明专利]一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管-CN201710812424.1有效
发明人：段宝兴;杨银堂;董自明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种具有多环电场调制衬底的宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管的纵向空间电荷区，同时该多环结构还能在表面横向电场和体内纵向电场分布中均引入新的电场峰，能消除横向超结存在的衬底辅助耗尽问题，利用电场调制效应对表面横向电场和体内纵向电场同时进行调制，使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化。该结构不仅突破了横向双扩散晶体管由于纵向耐压受限而带来的击穿电压饱和问题，还能消除超结存在的衬底辅助耗尽的问题，使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化，大幅度提高器件的击穿电压。
一种具有电场调制衬底宽带半导体横向超结双扩散晶体管

[发明专利]一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向超结双扩散晶体管-CN201710812418.6有效
发明人：段宝兴;董自明;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种具有多环电场调制衬底的元素半导体横向超结双扩散晶体管。该结构中漂移区下方的衬底为电荷补偿多环结构。衬底多环电荷补偿可以扩展横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的纵向空间电荷区，同时该多环结构还能在表面横向电场和体内纵向电场分布中均引入新的电场峰，能消除超结存在的衬底辅助耗尽问题，利用电场调制效应对表面横向电场和体内纵向电场同时进行调制，使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化。该结构不仅突破了横向双扩散晶体管由于纵向耐压受限而带来的击穿电压饱和问题，还能消除超结存在的衬底辅助耗尽问题，使得表面横向电场和体内纵向电场同时优化，大幅度提高器件的击穿电压。
一种具有电场调制衬底元素半导体横向超结双扩散晶体管

[发明专利]具有横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜的基板的制造方法-CN201480044002.9有效
发明人：根木隆之;芦泽亮一;万代淳彦;名木达哉;川月喜弘;近藤瑞穂 -专利权人：日产化学工业株式会社;公立大学法人兵库县立大学
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：本发明提供以高效率被赋予取向控制能力、残影特性优异且可靠性高的横向电场驱动型液晶表示元件。本发明通过具有横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜的基板的制造方法而解决上述课题，所述制造方法通过具备如下工序而得到被赋予了取向控制能力的前述液晶取向膜：[I]将聚合物组合物涂布在具有横向电场驱动用导电膜的基板上而形成涂膜的工序
具有横向电场驱动液晶表示元件取向制造方法

[发明专利]高/低温-电磁场复合条件加载的纳米压痕测试仪器-CN201810093613.2有效
发明人：呼咏;王军炎;张建海;赵宏伟;王顺博;谢英杰;郭锦洲;王赵鑫 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01N3/54 文献下载
摘要：包括纵向精密纳米压痕驱动加载模块、横向磁加载模块、低温纵向磁场模块、高温电场模块和隔震台，结构简单，可用于真空或惰性气体环境中，既防止低温对试验台结冰造成的实验误差，也避免高温造成对压头和试件的氧化。纵向精密压入驱动模块实现压头精密压入，通过位移信号和力信号进行精密纳米压痕检测；横向磁加载模块随压头在纵方向同步移动确保压入时试件与压头区域横向磁场的稳定性；低温纵向磁场模块实现材料在低温场中，加载纵向磁场，并与横向磁加载模块共同实现对材料的双向磁场环境；高温电场模块主要实现在高温环境中对材料施加电场。
低温电磁场复合条件加载纳米压痕测试仪器

[实用新型]高/低温-电磁场复合条件加载的纳米压痕测试仪器-CN201820162039.7有效
发明人：呼咏;王军炎;张建海;赵宏伟;王顺博;谢英杰;郭锦洲;王赵鑫 -专利权人：吉林大学
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G01N3/54 文献下载
摘要：包括纵向精密纳米压痕驱动加载模块、横向磁加载模块、低温纵向磁场模块、高温电场模块和隔震台，结构简单，可用于真空或惰性气体环境中，既防止低温对试验台结冰造成的实验误差，也避免高温造成对压头和试件的氧化。纵向精密压入驱动模块实现压头精密压入，通过位移信号和力信号进行精密纳米压痕检测；横向磁加载模块随压头在纵方向同步移动确保压入时试件与压头区域横向磁场的稳定性；低温纵向磁场模块实现材料在低温场中，加载纵向磁场，并与横向磁加载模块共同实现对材料的双向磁场环境；高温电场模块主要实现在高温环境中对材料施加电场。
压头精密纵向磁场磁加载加载纳米压痕测试电场模块复合条件纳米压痕电磁场试件压入材料施加电场惰性气体环境本实用新型机电一体化高温环境精密仪器模块实现区域横向驱动加载驱动模块实验误差双向磁场同步移动位移信号试验台纵方向结冰隔震可用磁场检测

[发明专利]液晶取向剂、液晶取向膜以及液晶表示元件-CN202210349222.9在审
发明人：永井健太郎;铁谷尚士;石井秀则 -专利权人：日产化学株式会社
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C07C211/49 文献下载
摘要：根据本发明，能够提供一种具有被高效率地赋予取向控制能力、余像特性优异的横向电场驱动型液晶表示元件用液晶取向膜的基板、具有该基板的横向电场驱动型液晶表示元件以及提供其的化合物，更具体地说是少量添加即可在不影响取向性的情况下提高可靠性的新型二胺
液晶取向以及表示元件

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