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[实用新型]一种鞋楦样板跟高对比教学模板-CN201720880543.6有效
发明人：吴长青;胡李秀;谢丹映 -专利权人：温州鞋革职业中等专业学校
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G09B19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种鞋楦样板跟高对比教学模板，包括鞋楦样片和展示固定板，该鞋楦样片为鞋样外侧面轮廓样片，鞋楦样片包括平跟鞋楦样片、低跟鞋楦样片、中跟鞋楦样片以及高跟鞋楦样片，通过转轴转动连接在展示固定板上，从下至上依次排列，展示固定板下端面向前延伸有水平设置的挡板，鞋楦样片还包括用于演示鞋楦尺码与鞋楦鞋跟坡度变化的鞋楦调整演示板，该鞋楦调整演示板由楦前尖部、楦中段以及楦后段组成，楦前尖部通过活动钉与展示固定板转动连接
一种样板对比教学模板

[实用新型]一种应用于冷轧样片标定的辅助装置-CN202021385407.8有效
发明人：张闯;顾跃千;左正权;金元元;吕海龙 -专利权人：华峰铝业有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：一种应用于冷轧样片标定的辅助装置，包括固定支座、回转机构、限位机构、支臂、样片放置架；固定支座包括固定杆和杆固定件；回转机构包括第一转动件、第二转动件，第一转动件可转动地安装于固定杆上，第二转动件可转动地安装于第一转动件上；限位机构包括第一限位件、第二限位件、第三限位件；支臂的两端分别与第二转动件和样片放置架连接；样片放置架水平设置且其上开设有透孔。样片无需直接夹取，采用水平转动的样片放置架将样片水平送入测厚仪中进行标定，保证了样片干净平整，不会因变形而产生测量误差，可重复使用；操作人员平稳站立即可进行操作，操作便捷且安全，减小了测厚仪窗口薄膜损坏和样片掉入地坑的风险
一种应用于冷轧样片标定辅助装置

[发明专利]用于高纯锗单晶DLTS检测的电极制备工装以及电极制备方法-CN202310855873.X在审
发明人：顾小英;牛晓东;赵青松;狄聚青 -专利权人：安徽光智科技有限公司
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：座体具有第一表面、第二表面、第一凹槽、第二凹槽以及通孔，第一凹槽从第一表面向第二表面凹入，第二凹槽从第一凹槽向第二表面凹入，通孔沿厚度方向以恒定的横截面从第二凹槽贯通至第二表面，第二凹槽用于收容DLTS样片，通孔用于镀膜以形成肖特基电极，第一凹槽用于收容盖板。欧姆电极治具由石墨环构成，石墨环的内腔设置成与DLTS样片的外轮廓互补，石墨环用于置于比石墨环的外周轮廓大的铜片上、将与DLTS样片相同面积的锡箔收容在内以及将已形成肖特基电极的DLTS样收容在内、退火以使锡箔形成欧姆电极
用于高纯锗单晶 dlts 检测电极制备工装以及方法

[发明专利]一种非接触式光刻机调平调焦系统、方法和光刻机-CN201310716930.2有效
发明人：杨若夫;敖明武 -专利权人：成都虹博宇光电科技有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G03F7/207 文献下载
摘要：发明公开了一种非接触式光刻机调平调焦系统，包括至少三个光谱共焦位移传感器，用于采集光刻机的掩膜版下表面与位于光刻机上的样片表面的光刻胶层的上表面之间的间隙距离数据；信号处理电路，用于根据所述光谱共焦位移传感器采集的所述间隙距离数据计算处理，输出控制信号到光刻机的承片机构和升降机构，实现对样片的调平与调焦控制，使样片表面的光刻胶层的上表面与所述掩膜版的下表面之间的间隙距离保持在预定工作距离内。
一种接触光刻平调系统方法

[实用新型]一种酒精耐磨试验机-CN202222463664.4有效
发明人：周军;李发彪 -专利权人：惠州市锦惠添五金制品有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及涂料质量测试设备技术领域，且公开了一种酒精耐磨试验机，包括固定机构，所述固定机构外部设置有试验机构；所述固定机构包括支撑台，所述支撑台上表面固定连接有直导轨，所述直导轨外部活动连接有导块，所述直导轨一端设置有伺服电机，所述支撑台上表面设置有定位板，所述导块内侧固定连接有滑动卡板，所述支撑台上表面中部固定连接有真空吸盘。该酒精耐磨试验机，通过支撑台对两个直导轨固定支撑，进行酒精耐磨试验时，将测试样片放置在真空吸盘上表面，真空吸盘通过上表面的多个小气孔，将测试样片吸附固定，通过螺栓将定位板与支撑台的定位孔固定连接，将定位板固定在真空吸盘上表面适当的位置，测试样片放置于定位板的内侧，通过伺服电机驱动直导轨。
一种酒精耐磨试验

[发明专利]一种应力测试的打磨装置-CN202211127460.1在审
发明人：牛瑞坤;贺赟晖;鲍锡松 -专利权人：金陵科技学院
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：，包括底板一侧安装有打磨组件，底板另一侧安装有吸尘装置，底板上方安装有圆盘，圆盘远离底板的一侧安装有主轴单元，主轴单元一侧安装有的滑轨装置，通过主轴单元驱动打磨组件和吸尘装置同步工作，使得一个或多个试样片表面既能够完成打磨工作又能够完成打磨时的吸尘工作，无需工作人员借助于辅助工具并花费一定时间手动对试样片表面进行打磨，降低人员劳动力，保证了后期试样片力学性能检测的准确性。
一种应力测试打磨装置

[发明专利]以SiC为基底的石墨烯制备方法-CN201210103184.5无效
发明人：郭辉;吕晋军;张玉明;张克基;邓鹏飞;雷天民 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了以SiC为基底的石墨烯制备方法，主要解决现有技术中制备的石墨烯表面不光滑、层数不均匀的问题。本发明中先对SiC样片进行标准清洗；将清洗后的SiC样片置于石英管中；利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管，在800-1100℃下SiC与气态CCl4反应，生成双层碳膜；再将生成的双层碳膜样片在Ar气中温度为本发明具有工艺简单，安全性高，双层石墨烯表面光滑，孔隙率低的优点，可用于对气体和液体的密封。
sic 基底石墨制备方法

[发明专利]一种蛇形排序连续切割路径优化方法-CN202210253450.6在审
发明人：朱志松;赵旭;王建英;高岚;解昆;邓光伟 -专利权人：南通大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G05B19/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种蛇形排序连续切割路径优化方法，通过蛇形排序方法，生成上下往复的切割顺序，避免切割路径杂乱无章，在蛇形排序过程中，搜索到目标样片后，通过优化样片的切入点和切出点，生成合理的加工过渡线，使重复路径长度与样片之间的过渡加工路径长度之和最小通过碰撞检测方法判断当前加工过渡线是否与其他样片轮廓相交，并根据判断结果优化样片切割顺序，尽量避免跨样片切割，保证加工路径满足连续加工约束。本发明的优化方法可以满足连续切割的路径约束要求，合理优化样片切入点，缩短刀具空行程，提高切割效率。
一种蛇形排序连续切割路径优化方法

[发明专利]抗干扰的锰铜分流器-CN201310008123.5有效
发明人：万晓东;张自有 -专利权人：浙江力辉电器有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G01R11/02 文献下载
摘要：本发明提供能够有效减小外界磁场干扰的锰铜分流器，包括两侧的导电片和锰铜采样片，锰铜采样片的两端分别设有用于连接采样线的接线柱，锰铜采样片的两端分别与两侧的导电片相连接，锰铜采样片具有在空间中呈两两相垂直的三个基准面，锰铜采样片两端呈以一个基准面为中心的两侧对称分布，锰铜采样片在该中心基准面上的投影面积大于锰铜采样片在另两个基准面上的投影面积。
抗干扰分流器

[发明专利]一种智能电能表用继电器组件-CN202310111376.9在审
发明人：吴项林;刘春华;高新梅;周书锋;周材金;魏贺军;翟岩涛 -专利权人：深圳市思达仪表有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01R11/02 文献下载
摘要：一种智能电能表用继电器组件包括PCB板和继电器，两个采样针固定在采样片的同一侧，采样片上设置有前后贯通的贯通槽，采样片在贯通槽的左右侧壁上均设置有凸柱；两采样针的上端固定在PCB板上，两采样针的下端铆焊固定在凸柱上；采样片包括位于铆焊点以上的正方向采样部分和位于铆焊点以下的负方向采样部分，两个采样针之间间隔设置，两个采样针之间的区域在PCB板的一侧表面的正投影面积为第一面积，负方向采样部分在PCB板的一侧表面的正投影面积为第二面积，正方向采样部分在PCB板的一侧表面的正投影面积为第三面积，第一面积与第二面积之和等于第三面积。
一种智能电能表继电器组件

[发明专利]一种智能电能表用锰铜分流器组件-CN202310111374.X在审
发明人：吴项林;刘春华;高新梅;周书锋;周材金;魏贺军;翟岩涛 -专利权人：深圳市思达仪表有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01R11/02 文献下载
摘要：一种智能电能表用锰铜分流器组件包括PCB板和分流器，两个采样针固定在采样片的同一侧，采样片上设置有前后贯通的贯通槽，采样片在贯通槽的左右侧壁上均设置有凸柱；两采样针的上端固定在PCB板上，两采样针的下端铆焊固定在凸柱上；采样片包括位于铆焊点以上的正方向采样部分和位于铆焊点以下的负方向采样部分，两个采样针之间间隔设置，两个采样针之间的区域在PCB板的一侧表面的正投影面积为第一面积，负方向采样部分在PCB板的一侧表面的正投影面积为第二面积，正方向采样部分在PCB板的一侧表面的正投影面积为第三面积，第一面积与第二面积之和等于第三面积。
一种智能电能表用锰铜分流器组件

[发明专利]荧光观察装置-CN201980094625.X在审
发明人：平译和胜;村越崇宏;鹿山贵弘;佐藤太加之 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：荧光观察装置(1)是进行从试样(S)切出的试样片(Sa)的荧光观察的装置，其具备：载置有试样片(Sa)的托盘(11)；产生向试样片(Sa)照射的激发光的光源部(12)；检测来自试样片(Sa)的荧光的检测部(13)；和基于来自检测部(13)的检测信号生成试样片(Sa)的荧光图像的图像生成部(14)，托盘(11)具备设置于该托盘(11)的中央区域(21)的周围的多个载置区域(22)，并且具备表示试样片(Sa
荧光观察装置

[发明专利]一种切胶取样装置和切胶取样工艺-CN201710790503.7在审
发明人：徐明 -专利权人：上海梓盟智能机器人有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： G01N1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种切胶取样装置和切胶取样工艺，用于在开炼机输出的胶片上裁取样片，其特征在于，包括上轧辊、下轧辊和模切刀；上轧辊与下轧辊相互平行且相互对应，上轧辊和下轧辊之间具有空隙，胶片穿过上轧辊和下轧辊之间，模切刀固定在下轧辊的周向表面上；下轧辊的两端具有移动气缸，移动气缸可带动下轧辊朝向或背向胶片移动；开炼机输出的胶片将带动上轧辊和下轧辊转动，模切刀将随下轧辊的转动在胶片上裁切样片。本发明的优点和有益效果在于避免了人工裁切样片的情况，提高了样片裁切的效率和平整度，降低了工人的疲劳强度，避免了材料的浪费；同时还降低了裁切取样过程中，由于工人疏忽大意而被烫伤的风险，提高了裁切样片工作的安全性
一种取样装置工艺

[发明专利]基于C注入的Ni膜辅助SiC衬底石墨烯纳米带制备方法-CN201210176437.1有效
发明人：郭辉;赵艳黎;张玉明;汤晓燕;张克基 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：其实现步骤是：先对SiC样片进行标准清洗；再制作由隔离带和离子注入带组成的掩膜板；然后对清洗后的SiC样片中离子注入带区域注入C离子；接着将SiC样片置于外延炉中通Ar气快速加热至1200-1300℃，恒温保持30~90min，使离子注入区域的SiC热解生成碳膜；再另取一Si片电子束沉积一层Ni膜；将生成的碳膜样片置于Ni膜上，并将它们一同置于Ar气中，在温度为900-1200℃下退火生成石墨烯纳米带；最后从石墨烯纳米带样片上取开Ni膜，在SiC衬底上得到隔离带和石墨烯纳米带相互交替组成的纳米材料。本发明工艺简单，安全性高，SiC热解温度较低，且生成的石墨烯纳米带表面光滑，连续性好，可用于制作微电子器件。
基于注入 ni 辅助 sic 衬底石墨纳米制备方法

[发明专利]基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法-CN201210480856.4无效
发明人：郭辉;赵艳黎;张玉明;汤小燕;雷天民;张克基 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：其实现步骤是：先对SiC样片进行清洗；再在SiC样片表面淀积一层SiO2，并在SiO2上刻出图形；将图形化的样片置于石英管中，通过气态CCl4与裸露的SiC反应，生成碳膜；然后将生成的碳膜样片置于缓冲氢氟酸溶液中去除剩余的SiO2；最后在碳膜上利用电子束沉积一层Ni膜，并将沉积有Ni膜的样片置于Ar气中退火，在图形位置生成图形化石墨烯。
基于 ni 退火 sic 衬底图形化石制备方法