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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]阵列基板及其制备方法-CN201910494975.7有效
  • 夏玉明;卓恩宗 - 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司;滁州惠科光电科技有限公司
  • 2019-06-10 - 2022-05-03 - H01L27/12
  • 阵列基板包括：基板；第一电容极板，位于基板上；栅电极，位于基板上；第一栅绝缘层，覆盖第一电容极板以及栅电极，介电常数为ε1；第二栅绝缘层，覆盖第一栅绝缘层，介电常数为ε2；半导体有源层，位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧；第二电容极板，也位于第二栅绝缘层远离第一栅绝缘层的一侧，且与第一电容极板相对设置；ε1ε2，且第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，第二栅绝缘层与半导体有源层含有至少一种相同的原子。本申请第一栅绝缘层掺杂有第二栅绝缘层中的至少一种原子，使得第一栅绝缘层与第二栅绝缘层形成共价键，进而可以更加有效地提高存储电容的整体介电常数。
  • 阵列及其制备方法
  • [实用新型]背接触型太阳能电池-CN202320570774.2有效
  • 王尧;柳伟;黄宏伟;项建军;陈达明;张学玲 - 天合光能股份有限公司
  • 2023-03-22 - 2023-09-05 - H01L31/0224
  • 本申请提供了一种背接触型太阳能电池，包括：电池基体、正极栅线、多个正极绝缘层、多个正极绝缘层、负极栅线、多个负极绝缘层以及两条焊带。正极栅线包括正极主栅及多个正极细栅。正极绝缘层覆盖在正极细栅的一端。负极栅线包括负极主栅及多个负极细栅。负极绝缘层覆盖在负极细栅的一端。正极绝缘层的长度和负极绝缘层的长度满足如下公式：y1＝y2≥x+b，y1＝y2≤6x。在保证正极栅线与负极栅线之间绝缘性的情况下，对正极绝缘层及负极绝缘层的参数限定，以使正极绝缘层及负极绝缘层的覆盖细栅线的面积较小，即减少了制成正极绝缘层及负极绝缘层材料的使用，从而降低了产品的生产制造成本
  • 接触太阳能电池
  • [发明专利]用于显示设备的薄膜晶体管-CN201610985215.2在审
  • 赵成民;具奭勋 - 三星显示有限公司
  • 2016-10-25 - 2017-07-07 - H01L29/786
  • 示例性实施例提供了用于显示设备的薄膜晶体管，包括基板；半导体，被布置在基板上，并且包括沟道以及布置在沟道的相对侧的源区和漏区；栅绝缘层，包括布置在基板和半导体上的第一栅绝缘层以及布置在第一栅绝缘层上并与沟道重叠的第二栅绝缘层；布置在第二栅绝缘层上的栅电极；直接布置在第一栅绝缘层和栅电极上的层间绝缘层；以及布置在层间绝缘层上并连接到半导体的源电极和漏电极，其中栅绝缘层的与栅电极重叠的部分的厚度可大于栅绝缘层的与源区重叠的部分的厚度以及栅绝缘层的与漏区重叠的部分的厚度
  • 用于显示设备薄膜晶体管
  • [发明专利]MLED显示面板及其制备方法-CN202110504657.1在审
  • 程希 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2021-05-10 - 2021-08-24 - H01L27/12
  • 本申请实施例公开了一种MLED显示面板和一种MLED显示面板制备方法，MLED显示面板包括衬底、设置在衬底上方的栅绝缘层，栅绝缘层包括沿远离衬底方向依次层叠设置的第一子绝缘层、第二子绝缘层、第三子绝缘层，其中，栅绝缘层还包括补偿绝缘层，补偿绝缘层中氮原子数量与硅原子数量的比值至少大于第一子绝缘层/第二子绝缘层/第三子绝缘层中氮原子数量与硅原子数量的比值；通过在栅绝缘层内增设一补偿绝缘层，通过增大补偿绝缘层中氮原子与硅原子的比值，使补偿绝缘层的抗静电击穿能力大于栅绝缘层的其他膜层，提高了栅绝缘层的抗静电击穿能力。
  • mled显示面板及其制备方法
  • [发明专利]半导体器件-CN200710195976.9无效
  • 吴龙护 - 东部高科股份有限公司
  • 2007-12-14 - 2008-06-25 - H01L21/28
  • 在实施方式中，制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底上形成第一栅绝缘层；在第一栅绝缘层上执行第一等离子氮化；在第一栅绝缘层上形成第二栅绝缘层；在第二栅绝缘层上执行第二等离子氮化；在第二栅绝缘层上形成栅极金属材料；以及通过相继蚀刻栅极金属材料、第二栅绝缘层、以及第一栅绝缘层形成金属栅极图案。
  • 半导体器件
  • [发明专利]薄膜晶体管-CN201210102931.3有效
  • 许民庆;吴钊鹏;黎昔耀;曹岩 - 深超光电(深圳)有限公司
  • 2012-04-10 - 2012-09-12 - H01L29/786
  • 本发明提供一种薄膜晶体管，薄膜晶体管包括基板、栅极、栅绝缘层、主动层、源极、漏极，栅极设置于基板上，栅绝缘层覆盖栅极及基板，主动层设置于该栅绝缘层上，并位于栅极上方，源极和漏极分别设置于主动层上，且源极与源极相对设置；其中，栅绝缘层包括设置于栅极及基板上的第一栅绝缘层、在第一栅绝缘层之上的第二栅绝缘层，且第一栅绝缘层的膜质比第二栅绝缘层的膜质致密，因而，即使在切割或者制造过程中产生了静电，本发明的栅极与源极、漏极之间也不容易发生静电击穿的现象
  • 薄膜晶体管
  • [发明专利]薄膜晶体管、制作方法、驱动方法及显示面板-CN202111587882.2在审
  • 王航 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2021-12-23 - 2022-04-12 - H01L29/423
  • 薄膜晶体管包括：基板；底栅电极，设于基板上；底栅绝缘层，底栅绝缘层覆盖底栅电极和基板；金属层，设于底栅绝缘层上；金属氧化物半导体层，卡设于金属层中，且金属氧化物半导体层的一侧与底栅绝缘层接触；顶栅绝缘层，顶栅绝缘层覆盖底栅绝缘层和金属层，且顶栅绝缘层与金属氧化物半导体层的另一侧接触，顶栅绝缘层设有过孔，过孔暴露出金属层的一部分；顶栅电极，设于顶栅绝缘层上。本申请实施例中在金属氧化物半导体层的两侧分别设置第一沟道和第二沟道，底栅电极和顶栅电极交替打开，第一沟道和第二沟道交替使用，可有效减少阈值电压的漂移，使TFT器件的稳定性增加。
  • 薄膜晶体管制作方法驱动方法显示面板
  • [发明专利]双栅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板及其制备方法-CN201710407375.3有效
  • 胡锐钦 - 上海和辉光电股份有限公司
  • 2017-06-02 - 2021-11-16 - H01L29/786
  • 本发明实施例公开了一种双栅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板及其制备方法，其中，所述双栅薄膜晶体管包括基板，位于基板上的第一栅电极，位于第一栅电极上的第一栅绝缘层，位于第一栅绝缘层上的有源层，位于有源层上的第二栅绝缘层，位于第二栅绝缘层上的第二栅电极，位于第二栅电极上的层间绝缘层，位于层间绝缘层上的源电极和漏电极，源电极和漏电极通过层间绝缘层和第二栅绝缘层上的开口与有源层电连接。采用上述技术方案，通过向第一栅电极输入偏压信号，调节薄膜晶体管的阈值电压，避免阈值电压出现偏正或者偏负的情况。
  • 薄膜晶体管及其制备方法显示面板
  • [发明专利]主动元件及其制造方法-CN202111150973.X有效
  • 范扬顺;黄震铄 - 友达光电股份有限公司
  • 2021-09-29 - 2023-06-16 - H01L29/423
  • 主动元件包括基板、切换底栅极、驱动底栅极、第一栅绝缘层、切换通道、驱动通道、第二栅绝缘层、切换顶栅极与驱动顶栅极。切换底栅极与驱动底栅极配置于基板上。第一栅绝缘层配置于基板上且覆盖切换底栅极与驱动底栅极。切换通道与驱动通道配置于第一栅绝缘层上。驱动通道具有一低电位端。低电位端电性连接驱动底栅极。第二栅绝缘层配置于第一栅绝缘层上且覆盖切换通道与驱动通道。第二栅绝缘层的厚度大于第一栅绝缘层的厚度。切换顶栅极与驱动顶栅极配置于第二栅绝缘层上。切换顶栅极电性连接切换底栅极。
  • 主动元件及其制造方法
  • [发明专利]一种双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其制备方法-CN201610021254.0在审
  • 张璇;唐莹;韦一;彭应全 - 中国计量学院
  • 2016-01-08 - 2016-06-15 - H01L51/05
  • 本发明提供的一种具有双栅结构的光敏有机场效应晶体管及其制备方法，其结构如图1所示，包括顶部栅电极(1)、顶栅绝缘层(2)、有机半导体层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、底栅绝缘层(6)、底部栅电极(7该双栅结构的有机光敏场效应晶体管中，顶部栅电极和底部栅电极可以分别控制晶体管的开启和关闭，也可同时控制晶体管的开启和关闭；底栅绝缘层覆于底栅之上，源漏电极覆于底栅绝缘层的两侧，中间部分形成沟道，有机半导体层覆于沟道及电极之上，顶栅绝缘层覆于有机半导体层之上，顶栅覆于顶栅绝缘层之上；底部栅电极和顶部栅电极材料相同，底栅绝缘层和顶栅绝缘层材料相同，材料结构对称。
  • 一种结构光敏有机场效应晶体管及其制备方法
  • [实用新型]一种双栅结构的光敏有机场效应晶体管-CN201620030937.8有效
  • 张璇;唐莹;韦一;彭应全 - 中国计量学院
  • 2016-01-08 - 2016-11-30 - H01L51/05
  • 本实用新型提供的一种具有双栅结构的光敏有机场效应晶体管，其结构包括顶部栅电极(1)、顶栅绝缘层(2)、有机半导体层(3)、源电极(4)、漏电极(5)、底栅绝缘层(6)、底部栅电极(7)。该双栅结构的有机光敏场效应晶体管中，顶部栅电极和底部栅电极可以分别控制晶体管的开启和关闭，也可同时控制晶体管的开启和关闭；底栅绝缘层覆于底栅之上，源漏电极覆于底栅绝缘层的两侧，中间部分形成沟道，有机半导体层覆于沟道及电极之上，顶栅绝缘层覆于有机半导体层之上，顶栅覆于顶栅绝缘层之上；底部栅电极和顶部栅电极材料相同，底栅绝缘层和顶栅绝缘层材料相同，材料结构对称。
  • 一种结构光敏有机场效应晶体管
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN200810127791.9有效
  • 金善日;朴永洙;朴宰澈 - 三星电子株式会社
  • 2008-02-05 - 2008-11-12 - H01L29/786
  • 具体而言，薄膜晶体管可以包括：栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的栅电极；形成在栅绝缘层上的沟道层；以及接触沟道层的源和漏电极。沟道层可以具有包含上层和下层的双层结构。上层可以具有比下层低的载流子浓度。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成沟道层；在衬底上形成源和漏电极；在衬底上形成栅绝缘层；以及在沟道层上方的栅绝缘层上形成栅电极。一种晶体管的制造方法可以包括：在衬底上形成栅电极；在衬底上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成沟道层；以及在栅绝缘层上形成源和漏电极。
  • 薄膜晶体管及其制造方法
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