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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示器件-CN201110362261.4有效
发明人：刘宸;赵吉生;李琳;陆金波;王雪岚 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该阵列基板制造方法为：通过第一次构图工艺在基板上形成包括栅电极和栅线的图形；通过第二次构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极、像素电极和沟道区域的图形；通过第三次构图工艺形成公共电极的图形。减少了构图工艺处理次数，从而简化了制造流程，降低了制造成本。本发明实施例用于ADS型阵列基板制造。
一种阵列及其制造方法显示器件

[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201410438315.4有效
发明人：宁策 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置，该方法包括通过一次构图工艺在基板上形成包括公共电极、公共电极线、栅线和数据线的图形；形成绝缘层；通过一次构图工艺形成有源层的图形；形成栅绝缘层，并通过一次构图工艺在所述栅绝缘层上形成对应于所述栅线、数据线和有源层的过孔；通过一次构图工艺形成包括像素电极、栅极和源漏极的图形，所述栅极通过过孔与所述栅线电连接，所述数据线通过过孔电连接，所述源漏极通过过孔与所述有源层电连接。本发明的方法只需要四次构图工艺，就可以制备出包含顶栅型薄膜晶体管的阵列基板，简化了工艺，节省了成本。
一种薄膜晶体管阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置-CN201310031370.7有效
发明人：徐传祥;姚琪;齐永莲;陆金波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、液晶显示装置，方法步骤包括：提供一基板，在基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图案；进而形成金属薄膜，通过构图工艺形成包括公共电极线、栅电极线、数据线、源电极和漏电极的图案；进而形成半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括半导体层的图案；进而形成栅极绝缘层薄膜，通过构图工艺形成包括栅极绝缘层和过孔的图案；在形成上述图案的基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极和公共电极的图案在基板的同一层同步形成TFT的数据线、栅电极线、源电极和漏电极，源电极和漏电极之间形成半导体层，该过程可控性好，工艺性能稳定。
一种阵列及其制作方法液晶显示装置

[发明专利]薄膜晶体管和阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置-CN201810040432.3有效
发明人：王珂;胡合合;杨维;卢鑫泓 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该薄膜晶体管的制备方法包括：通过一次构图工艺形成第一半导体有源层；形成第一绝缘层并通过一次构图工艺形成位于有效显示区的遮光层以及第一栅极；形成第二绝缘层并通过一次构图工艺形成贯穿于第一绝缘层和第二绝缘层的过孔；通过一次构图工艺形成通过过孔与第一半导体有源层相接触的半导体保留图案、位于半导体保留图案上的第一源极和第一漏极、正对遮光层的第二半导体有源层、以及与第二半导体有源层相接触的第二源极和第二漏极；通过一次构图工艺形成保护层以及正对第二半导体有源层的第二栅极本公开可减少构图工艺次数，提高产能并节约成本。
薄膜晶体管阵列制备方法显示装置

[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置-CN201610278253.4有效
发明人：宁策;杨维 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、其制作方法及显示装置，通过一次构图工艺形成有源层、源漏极以及刻蚀阻挡层的图形，所述刻蚀阻挡层覆盖所述有源层且位于所述源漏极之间，即通过一次构图工艺同时完成了有源层、源漏极和刻蚀阻挡层三个图形的构图，减少了薄膜晶体管制作过程中的构图次数，简化了生产工艺，节约了生产成本。
一种薄膜晶体管阵列制作方法显示装置

[发明专利]一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法-CN201210088843.2有效
发明人：张学辉;薛建设;刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括以下步骤：通过构图工艺分别形成包括栅电极、栅线、绝缘层、有机半导体层、阻挡层、源电极、漏电极以及数据线的图形，其中，所述有机半导体层和阻挡层的图形通过一次构图工艺形成本发明所述有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法与现有技术相比，能够进一步减少构图工艺次数，即只需采用四次构图工艺，因而提高了生产效率，降低了生产成本。
一种有机薄膜晶体管阵列制作方法

[发明专利]一种有机发光二极管器件的制造方法-CN201110151973.1无效
发明人：陈之磊;蔡纶;卢昶鸣;陈鹏聿 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机发光二极管器件的制造方法，包括：提供一绝缘基板，在基板上沉积无机层；采用构图工艺对无机层进行构图；继续沉积ITO膜，同时形成第一凹陷；在ITO膜上沉积平坦层，并采用构图工艺对平坦层进行构图，以形成第二凹陷；依次沉积空穴注入层和空穴传输层；通过喷墨印刷工艺于第二凹陷内形成挡墙；通过喷墨印刷工艺于第一凹陷内形成发光层。
一种有机发光二极管器件制造方法

[发明专利]一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置-CN202010685703.8在审
发明人：朱亚威;曹鑫;金兴植;王子峰;樊浩原 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示基板的制作方法、显示基板及显示装置，本发明通过一次构图工艺形成第一类过孔和第二类过孔，因此相比于现有技术中两类过孔分别通过两次构图工艺形成的工艺，本发明中显示基板的制作过程可以减少一次构图工艺
一种显示制作方法显示装置

[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200810102426.2有效
发明人：王章涛;邱海军;刘翔 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，制造方法包括：在基板上沉积栅金属层，通过第一次构图工艺形成栅电极和栅线图形；连续沉积栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层，通过第二次构图工艺形成源电极、漏电极、数据线和掺杂半导体层图形，并形成TFT沟道；沉积钝化层，通过第三次构图工艺形成钝化层和半导体层图形，并形成钝化层过孔；沉积透明导电层，通过第四次构图工艺形成像素电极，且像素电极通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接与现有技术采用狭缝光刻工艺的四次构图工艺相比，本发明可显著减少由狭缝光刻工艺所带来的各种像素不良，提高了TFT-LCD阵列基板的生产成品率和产品质量。
tft lcd 阵列及其制造方法

[发明专利]TFT阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置-CN201510882175.4在审
发明人：周志超 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种TFT阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置，该制备方法包括：通过构图工艺在衬底上形成栅极；在形成栅极的衬底之上沉积栅极绝缘层；在栅极绝缘层之上沉积IGZO层；通过构图工艺在IGZO层上形成蚀刻阻挡层；通过构图工艺在蚀刻阻挡层上形成源、漏极图案层，源漏极图案层与IGZO层连接，源极和漏极之间的位置对应的IGZO层为沟道区；通过构图工艺在源、漏极图案层之上以及沟道区对应的位置处形成钝化层；通过构图工艺将
tft 阵列制备方法显示装置

[发明专利]阵列基板及其制造方法和电子纸显示器-CN201010577854.8有效
发明人：李文波;张卓;马占洁;王刚 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和电子纸显示器，方法包括：在第一衬底基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极和数据线的图案；再沉积半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括半导体层的图案；再沉积栅绝缘层薄膜和栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅绝缘层、栅电极和栅线的图案；再沉积栅极保护层薄膜，通过构图工艺形成包括栅极保护层和过孔的图案；最后沉积像素电极薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的图案
阵列及其制造方法电子显示器

[发明专利]阵列基板及其制造方法和电子纸显示器-CN201010585779.X有效
发明人：李文波;武延兵;张卓;王刚 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和电子纸显示器，方法包括：在第一衬底基板上沉积源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括源电极、漏电极和数据线的图案；沉积半导体层薄膜，通过构图工艺形成包括半导体层的图案；沉积栅绝缘层薄膜，通过构图工艺形成包括栅绝缘层和过孔的图案，过孔形成于栅绝缘层上对应漏电极的位置，且露出部分漏电极；沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅电极、栅线和像素电极的图案，像素电极通过过孔与漏电极连接；沉积栅极保护层薄膜，通过构图工艺形成包括栅极保护层的图案。
阵列及其制造方法电子显示器

[发明专利]一种传感器的制造方法-CN201210262564.3有效
发明人：徐少颖;谢振宇;陈旭 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种传感器的制造方法，包括：在衬底基板上形成数据线的图形、漏极的图形、源极的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形，以及透明电极的图形；通过一次构图工艺形成欧姆层的图形；通过一次构图工艺形成有源层的图形；通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形；通过一次构图工艺形成栅线的图形、栅极的图形和偏压电极的图形。本发明方法对比于现有技术，减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
一种传感器制造方法

[发明专利]一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置-CN201410289560.3在审
发明人：龙春平;梁逸南;刘政;田雪雁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，该阵列基板的制造方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极和栅线的图案；在形成有所述有源层、栅极绝缘层、栅极和栅线的基板上形成钝化层，并通过一次构图工艺在所述钝化层上形成过孔；通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的基板上形成数据线、源漏极及像素电极的图案，所述漏极通过所述过孔与所述有源层接触。本发明减少了低温多晶硅阵列基板制造工艺过程中的构图工艺的次数，从而降低了工序复杂度，在缩短制造工艺时间的同时降低了工艺成本。
一种阵列制造方法显示装置

[发明专利]一种盖板及其制作方法、显示面板及显示装置-CN201810912110.3有效
发明人：李伟;刘威 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明通过在第一衬底上通过构图工艺依次形成薄膜晶体管、光学传感器以及位于光学传感器上的第一电极，形成钝化层，在钝化层上通过构图工艺依次形成黑矩阵及贯穿钝化层的第一电极连接孔，在黑矩阵上通过构图工艺形成电极连接层，电极连接层包括同层设置的辅助阴极和第一电极连接线，且第一电极连接线通过第一电极连接孔与第一电极连接，通过构图工艺依次形成彩色滤光层、平坦层、支撑柱和第二电极。通过一次构图工艺形成辅助阴极和第一电极连接线，减小了制作工艺步骤，降低了制作成本，且辅助阴极和第一电极连接线同层设置，可节省盖板的占用空间。
一种盖板及其制作方法显示面板显示装置

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