“构图工艺”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1423211个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体凸块及其制备方法、封装器件-CN202010499693.9在审
发明人：孙彬 -专利权人：厦门通富微电子有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：制备方法包括：提供基底；在基底上形成种子层；在种子层上通过一次构图工艺形成第一层凸块和第二层凸块，以制备得到半导体凸块，第一层凸块面积小于第二层凸块面积。本发明通过一次构图工艺形成半导体凸块，可以简化半导体凸块的制备工序，有效降低制作成本。在与其他器件进行封装压合时，由于第一层凸块面积小于第二层凸块面积，该第一层凸块可以有效降低或减缓半导体凸块对保护层的应力，另外，由于第一层凸块和第二层凸块通过一次构图工艺形成，两者之间结合力较好，并且第二层凸块在与其他器件进行压合时
半导体及其制备方法封装器件

[发明专利]一种光屏障基板的制备方法-CN201410081024.4有效
发明人：张小祥;刘正;郭总杰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种光屏障基板的制备方法，包括如下步骤通过第一次构图工艺，在衬底上形成金属电极图形；在衬底及金属电极图形上方形成绝缘层薄膜；使用半色调掩膜技术，通过第二次构图工艺，在绝缘层上形成金属电极过孔本发明借助于半色调掩膜版和灰化工艺，使得绝缘层和透明电极层的形成由现有技术中的两道掩膜工艺减少为一道掩膜工艺，工艺得到了简化，制备效率得到提高，并且减少了一块掩膜版的使用，降低了光屏障基板的制备成本。
一种屏障制备方法

[发明专利]一种高保形硅基复合结构的制备方法-CN202310148859.6在审
发明人：贾世星;禹淼;罗冬雪;陈迪;夏燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高保形硅基复合结构的制备方法，属于MEMS工艺技术领域，包括步骤如下：步骤一、在硅衬底表面涂覆正性光刻胶，前烘，形成光刻胶掩膜；步骤二、完成其中一个硅结构图形的曝光、显影、坚膜，干法刻蚀，氧等离子体处理光刻胶表面钝化层；步骤三、重复步骤二，直至完成剩余硅结构图形的制备；步骤四、去除剩余的光刻胶掩膜。本发明基于一次涂胶和多次曝光的技术，能有效缩短工艺步骤，降低工艺难度，实现硅基刻蚀复合深槽结构三维尺度的精确控制。
一种高保形硅基复合结构制备方法

[发明专利]一种TFT阵列基板及制作方法、显示装置-CN201210564613.9有效
发明人：谢振宇 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种TFT阵列基板及制作方法、显示装置，涉及显示领域，可以减少进行构图工艺的次数，降低工艺复杂度及制作成本。所述制作方法，包括在基板上制作包括栅极的图案，带有过孔的栅绝缘层图案，包括有源层的图案，包括源漏电极的图案，包括第一电极的图案，其中，形成所述带有过孔的栅绝缘层图案和包括有源层的图案通过一次构图工艺完成
一种 tft 阵列制作方法显示装置

[发明专利]平板显示器件的制造方法及制造装置-CN200410102771.8有效
发明人：金容凡;金珍郁 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2004-12-27 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明涉及一种适合于采用不需要照相工艺的构图工序的平板显示器件及其制造方法，从而降低其处理时间和使构图缺陷最小化。
平板显示器件制造方法装置

[发明专利]掩模挡板及其制造方法-CN201410303046.0有效
发明人：高玉杰;朴相镇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩模挡板及其制造方法，其中该掩模挡板的制造方法包括：步骤S1、在透明衬底上形成遮光层；步骤S2、通过预先形成的掩膜装置对所述遮光层进行构图工艺形成遮光图案，所述掩膜装置包括公用掩膜板和至少一块遮光板本发明的技术方案在不但实现了掩模板的共用化设计，而且由于在进行构图工艺时仅需要进行一次曝光工艺，因此可有效的缩短生产工艺的时间，提升生产效率。
挡板及其制造方法

[发明专利]显示基板及制备方法、显示装置-CN201611082981.4有效
发明人：程磊磊;周斌 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：对所述像素界定层进行氧化处理，其中，所述像素界定层的远离所述衬底基板的一侧被部分氧化，由此使得所述像素界定层包括靠近所述衬底基板的主体层和远离所述衬底基板的氧化层；对所述像素界定层进行固化成型处理，并对所述像素界定层进行构图工艺以形成像素界定层图案像素界定层图案通过一次成膜工艺和构图工艺形成，简化了其制备工艺并降低了制备成本，且形成的像素界定层图案内部不存在界面问题，可提高像素界定层图案结构的稳定性。
显示制备方法显示装置

[实用新型]电路板-CN03264922.3无效
发明人：何昆耀;宫振越 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2003-06-13 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电路板，其核心层为基础层，该核心层为一核心导电层，或为一核心介电层搭配双导电层，并依照核心层的组成上的差异，而制作出三或四层已构图的导电层的电路板。此外，还可利用此两种电路板作为电路板单元，来制作出超过四层已构图的导电层的电路板。由于此电路板制作工艺利用传统价廉的迭合的制作工艺及设备来取代昂贵的增层法的电路板制作工艺，故可有效地简化电路板的制作步骤、降低电路板的制作成本及缩短电路板的制作工艺周期。
电路板

[发明专利]无后侵蚀地构图导线的工艺-CN99109554.5无效
发明人：大内雅彦 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-07-09 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：通过光刻及随后的干法腐蚀构图铝-铜合金层(13)，在干法腐蚀期间生长了含氯化铝的腐蚀残余物侧壁15，这会引起铝-铜合金线(13a/13b/13c)的后束侵蚀，其中侧壁(15)暴露于含离子水蒸汽的气体混合物中
无后侵蚀构图导线工艺

[实用新型]掩膜板及构图工艺系统-CN201520835309.2有效
发明人：马国靖;徐长健;王丹;任锦宇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种掩膜板及构图工艺系统，所述掩膜板，包括控制单元和液晶盒。所述控制单元用于根据控制指令控制所述液晶盒呈现预设的掩膜图案；所述控制指令为根据所述预设的掩膜图案确定的控制指令。不但省去了不同掩膜板的设计工作，而且由于不再使用多个掩膜板，因此也节省了掩膜板成本，最重要的是，需要不同掩膜图案的产品型号变更时不需更换掩膜板即可进行紫外光照射，使得掩膜板在其正常使用寿命范围之内不需卸载，工艺操作简单
掩膜板构图工艺系统

[发明专利]形成透明电极以及制造液晶显示装置的阵列基板的方法-CN201210220323.2有效
发明人：金容一;金正五;白正善;洪基相 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：所述形成透明电极的方法包括：在基底上形成第一透明导电材料层；对所述第一透明导电材料层进行等离子体工艺，以使所述第一透明导电材料层的上部变为半透明；在所述第一透明导电材料层上形成第二透明导电材料层；将所述第二透明导电材料层和所述第一透明导电材料层构图；以及将被构图的所述第二透明导电材料层和被构图的所述第一透明导电材料层退火，以使所述第一透明导电材料层的上部变为透明。
形成透明电极以及制造液晶显示装置阵列方法

[发明专利]对准管芯与柔性基板上互连金属的装置、方法及其产品-CN00136449.9有效
发明人： R·J·赛尔;K·M·杜罗切尔;J·W·罗斯;L·R·杜格拉斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2000-12-22 - 公布日： 2001-06-27 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明介绍了一种精确对准管芯与例如聚酰亚胺等柔性基板上的互连金属的方法和工艺过程。用于通孔形成的掩模首先构图于柔性基板的下表面上的金属层上。然后在柔性基板上侧施加例如管芯贴装粘合剂等的管芯贴装装置。高精度局部自适应对准管芯上键合焊盘与柔性基板上的构图金属通孔掩模。然后,通过等离子刻蚀或准分子激光烧蚀,穿过柔性基板上的现有对准金属掩模,形成向下到达管芯键合焊盘的通孔,然后淀积互连金属,并构图和腐蚀。
对准管芯柔性基板上互连金属装置方法及其产品

[发明专利]液体构图织物的装置和方法-CN89102332.1无效
发明人：乔迪·西格尔;赫谢尔·斯特莱比;蒂姆·Ｊ·康诺利;Ｊ·迈克尔·格林韦;Ｄ·Ａ·帕克;阿伦·Ｔ·西蒙 -专利权人： BBA无编织品辛普森维利公司
申请日： 1989-04-14 - 公布日： 1999-11-24 - 主分类号： D06C23/00 文献下载
摘要：一个液体构图装置将一块在形成有突出实位和凹下空位图案的支承表面的传送器（最好是筒形）上的织物沿机器的一个方向传送过构图工位，该装置还有一个或许多用于引导连续的液体幕向下冲击在织物上的、位于传送器之上的液体喷射喷嘴支管染有非牢度染料的织物通过减色工艺而被液体构图以得到带图案的水洗效果。另外，一个具有凸出部分的支承表面被用于在轻薄织物上得到纤维移距、网状效果。
液体构图织物装置方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200810144030.4无效
发明人：权田俊树 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：：在衬底上方形成抗蚀层；曝光所述抗蚀层，从而在所述抗蚀层上形成第一曝光图案和第二曝光图案，所述第二曝光图案用于形成一个或多个沟槽；将所述抗蚀层与显影液接触，从而形成与所述第一曝光图案相对应的具有开口的构图的抗蚀层，并且在所述构图的抗蚀层的表面层上形成与所述第二曝光图案相对应的一个或多个沟槽；以及在构图的抗蚀层上进行焙烧工艺。
半导体器件制造方法

[实用新型]一种用于隔离半导体芯片边缘和金属框架的绝缘隔片-CN201920970898.3有效
发明人：丁一明;胡耀军;王新;王天立 -专利权人：无锡明祥电子有限公司;上海一滴微电子技术有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于隔离半导体芯片边缘和金属框架的绝缘隔片，所述绝缘隔片为丝网或绝缘膜，所述丝网的网眼用于放置芯片的有源区域，网眼四周的丝径上涂抹有绝缘胶，用于覆盖芯片的终端结构图形区域；所述绝缘膜为可粘连的中空结构，四周边缘覆合芯片的终端结构图形区域。本实用新型针对封装过程中需要芯片背面的终端结构图形区域和金属框架绝缘封装，采用绝缘隔片进行封装具有种成本低，工艺简单，可靠性高等优点。
绝缘隔片图形区域终端结构芯片本实用新型金属框架绝缘膜丝网网眼隔离半导体封装过程绝缘封装四周边缘芯片边缘中空结构绝缘胶源区域粘连覆合涂抹封装覆盖

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top