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[发明专利]金属量子点核壳异质结材料及其制备方法-CN202010931831.6在审
发明人：梁凯旋;蒋畅 -专利权人：合肥福纳科技有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请涉及半导体纳米材料领域，具体而言，涉及一种金属量子点核壳异质结材料及其制备方法。金属量子点核壳异质结材料的制备方法，包括：将金属盐、油胺和有机磷溶于有机溶剂中得到第一混合液；对第一混合液进行加热分散，并排除第一混合液中的水和氧；在保温的状态下，向第一混合液中加入硫醇、硫化亚铜胶体反应采用金属盐形成金属量子点核壳异质结材料，由于形成了核壳结构提高了抗水氧能力，稳定性大大提高；通过调节金属离子与量子点中金属离子之间的阳离子交换，利用金属离子局域表面等离子体激元增强效应，有效提高了载流子的复合效率
金属量子点核壳异质结材料及其制备方法

[发明专利]具有光热灭菌功能的MIL基光催化复合膜及其制备方法和应用-CN202310365572.9在审
发明人：薛金娟;吴振波;王明新;张家倩 -专利权人：常州大学
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B01J31/22 文献下载
摘要：通过静电纺丝法制备了有机纳米纤维底膜，再通过水热法制备MIL金属有机骨架/聚苯胺(MIL/PANI)异质结。然后将带有邻苯二酚官能团的粘结剂与MIL/PANI异质结混合均匀，通过真空抽滤的方式沉积并固载到底膜上制得MIL基光催化复合膜。本发明制得的复合膜在可见光光照下能够产生活性氧物种，底膜上固载的MIL/PANI异质结降低了光生载流子的复合率，扩大了光吸收范围并协同发挥光热转换效应，对水体中有害的革兰氏菌表现出高效的光催化灭活效率，
具有光热灭菌功能 mil 光催化复合及其制备方法应用

[发明专利]一种具有纳米异质结的一维纳米线复合光催化剂的制备方法-CN201810699614.1有效
发明人：张晶;赵伟杰;赵文辉;裘剑锋;牛建涛 -专利权人：台州职业技术学院
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：一种具有纳米异质结的一维纳米线复合光催化剂的制备方法，它涉及一种纳米复合光催化剂的制备方法。本发明的目的是要解决现有的光催化剂存在可见光条件下对有机物降解效率低的问题。制备方法：一、制备钛酸锶纳米线；二、复合得到具有纳米异质结的一维Ag3PO4@SrTiO3异质结的一维Ag3PO4@SrTiO3纳米线复合光催化剂作为可见光催化剂降解有机物
一种具有纳米异质结复合光催化剂制备方法

[发明专利]具有阴极缓冲层的聚合物体异质结有机太阳能电池-CN201210027613.5无效
发明人：高志强;密保秀;黄维;赵新彦;王海珊 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2012-02-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用六-7-氮杂吲哚四锌合氧配合物[Zn4O(AID)6]材料作为阴极缓冲层的有机聚合物体异质结太阳能电池结构。该结构由下至上依次包括：衬底、阳极、阳极缓冲层，体异质结活性层、阴极缓冲层和阴极组成。其中所述的衬底采用石英片、玻璃片、聚苯乙烯或聚乙烯等透明材料，阳极采用功函数大于阴极的金属、金属氧化物、炭黑或导电聚合物，体异质结活性层由电子给体材料和电子受体材料混合而成，其中电子给体层采用P3HT或其他聚合物给体材料除阳极外各层可采用真空蒸镀、旋涂、喷涂、打印等各种沉积有机薄膜的方法制备。
具有阴极缓冲聚合物体异质结有机太阳能电池

[发明专利]一种高频高线性多级多沟道T-Gate Fin-HEMT结构及制备方法-CN202310384509.X在审
发明人：王凯;吴畅;郭涛;刘捷龙;李程程 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频高线性多级多沟道T‑Gate Fin‑HEMT结构，该结构从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层、缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状。
一种高频线性多级沟道 gate fin hemt 结构制备方法

[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法-CN202010523672.6在审
发明人：陶科;姜帅;贾锐;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法，异质结背接触太阳能电池包括但不限于半导体衬底、第一钝化层及异质结。第一钝化层形成于半导体衬底的背表面上，异质结可形成于第一钝化层背面，异质结包括N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层结构。该异质结背接触太阳能电池的形成方法包括：在半导体衬底的背表面上形成异质结，异质结包括依次形成的N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，其中，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层。本发明能够在不降低电池效率的前提下有效降低异质结背接触太阳能电池的生产成本，而且本发明光能转换效率比较高。
一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法

[发明专利]一种利用铁电性和压电光电子学效应提高BLFO/ZnO异质结光电性能的方法-CN202010619045.2在审
发明人：郑海务;张远征;蒋俊华;丁震宇;张亚菊;种榉 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：一种利用铁电性和压电光电子学效应提高BLFO/ZnO异质结光电性能的方法，涉及铁电半导体异质结器件领域，通过对BLFO/ZnO异质结器件施加脉冲偏压，调用BLFO铁电性，BLFO/ZnO异质结器件调用BLFO的铁电性后，对BLFO/ZnO异质结器件施加压应变引入压电光电子学效应，达到同时调用铁电性和压电光电子学效应的目的，以增强载流子的总驱动力，本发明采用溶胶‑凝胶法和水热法制备了BLFO/ZnO异质结器件，研究了压电光电子学效应和铁电效应对其光伏特性的影响，利用压电光电子学效应调制载流子输运行为，显著改善了BLFO/ZnO异质结器件的开路电压和短路电流，在压应变的基础上引入外电场极化，调用压电光电子学效应和铁电性，调制异质结能带结构和载流子的总驱动力，从而提高了异质结的光电性能。
一种利用铁电性压电电子学效应提高 blfo zno 异质结光电性能方法

[发明专利]二维材料异质结热电器件及其制备方法-CN202210158039.0在审
发明人：易典;王荣福 -专利权人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料异质结热电器件的制备方法及二维材料异质结热电器件。该二维材料异质结热电器件的制备方法包括如下步骤：在基材上形成二维材料异质结，二维材料异质结由包括两种不同的二维层状材料的原料经层叠形成；在基材上形成遮蔽二维材料异质结的光刻胶，光刻胶为电子束敏感的光刻胶；采用电子束照射光刻胶的预设区域，形成暴露部分二维材料异质结的蚀刻开口；通过蚀刻开口对二维材料异质结进行刻蚀；过蚀刻开口制备金属电极；及去除光刻胶。上述制备方法能够实现在尺寸较小的二维材料异质结之间形成金属电极，该金属电极可以用作触点并进一步通过引线电连接于外部的测试电路。
二维材料异质结热电器件及其制备方法

[发明专利]具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法-CN201910440263.7有效
发明人：段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法。该横向晶体管中，外延层对应于栅极下方的区域通过离子注入形成P型区；靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；栅极为结型栅，源极和漏极为欧姆接触。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气，从而使具有结型栅和AlGaN/GaN异质结的横向晶体管具有很低的导通电阻。氮化镓外延层与衬底之间的异质结优化了晶体管的纵向电场分布，提高了器件的击穿电压；同时，采用结型栅可以获得增强型器件。
具有结型栅 algan gan 异质结横向晶体管及其制作方法

[发明专利]微米/纳米ZnFe2-CN201911186487.6在审
发明人：贾军宝 -专利权人：广州市豪越新能源设备有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B01J23/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种光催化微米/纳米ZnFe2O4‑TiO2异质结复合涂层的制备方法、由上述方法制备的异质结复合涂层及其在光催化降解有机污染物中的应用。base:Sub>含量可调节的具有多孔、微米/纳米结构的ZnFe2O4‑TiO2异质结复合涂层本发明无需繁琐的提前靶材制备工序，制备得到的微米/纳米异质结构材料同时具有多孔结构；在感应等离子喷涂过程中通过调节两者液料输送速度来控制ZnFe2O4‑TiO2异质结复合涂层中ZnFe2O4的含量
微米纳米 znfe base sub

[发明专利]一种二元/三元纳米异质结及其一步法制备方法和应用-CN202310256118.X在审
发明人：袁斌霞;钱红;朱瑞;韩清鹏;刘建峰;李敏;王道累 -专利权人：上海电力大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B01J23/72 文献下载
摘要：本发明涉及一种二元/三元纳米异质结及其一步法制备方法和应用。制备方法包括以下步骤：将二价铜盐、有机还原剂和碱溶于水中，搅拌并滴加钛源；将搅拌后的溶液密封后，加热反应；将反应产物经离心、洗涤和干燥后，得到二元Cu2O/TiO2和/或三元Cu/Cu2O/TiO2纳米异质结。该纳米异质结应用于在可见光下对光催化分解水制氢和还原CO2中。Sub>2O/TiO2和三元Cu/Cu2O/TiO2纳米异质结复合材料
一种二元三元纳米异质结及其一步法制备方法应用

[发明专利]一种基于异质结的圆偏振光检测器-CN202010845756.1有效
发明人：邱龙臻;姚宏兵;王冠龙;张灿;赵丰胜 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质结的圆偏振光检测器，是通过在设有绝缘介电层的基底上设置两层有机半导体构成异质结，且处于上层的机半导体层在圆偏振光照射下可产生手性活性，从而实现圆偏振光的检测。
一种基于异质结偏振光检测器

[发明专利]非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法和用途-CN201710331977.5在审
发明人：金立川;洪彩云;张怀武;饶毅恒;杨青慧;钟智勇;文岐业 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：一种非互易自旋波异质结波导材料，包括GGG单晶基片；以及YIG/石墨烯异质结材料，所述YIG/石墨烯异质结材料通过在所述GGG单晶基片表面生长一YIG薄膜、并将单层石墨烯转移到所述YIG薄膜烘干处理形成本发明同时提供了非互易自旋波异质结波导材料的制备方法和用途。本发明制得的YIG/石墨烯异质结薄膜相对于单一YIG薄膜上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即YIG/石墨烯异质结材料的上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著改变。
非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法用途

[发明专利]异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-CN202010903144.3在审
发明人：张美荣;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池和制备异质结电池的方法，该异质结电池包括衬底层，在所述衬底层的受光面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，其中，所述第一掺杂层包括叠层设置的至少三层掺杂子层。本发明的异质结电池和制备异质结电池的方法，在制程中工艺温度低，更节能，可以增强非晶硅掺杂层的场钝化性能，能有效改善界面间的载流子传输行为，从而保证电荷有效传输，提高异质结电池的光电转换效率。
异质结太阳能电池制备方法

[发明专利]一种异质结、铁电隧道结及其制备方法和应用-CN201310258989.1有效
发明人：杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
一种异质结隧道及其制备方法应用