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[发明专利]有机场效应晶体管阈值电压的调制方法-CN200910311849.X有效
发明人：商立伟;刘明;姬濯宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机场效应晶体管阈值电压的调制方法，该方法包括：提供有机场效应晶体管；根据所需阈值电压利用光源辐照有机场效应晶体管的有机半导体层；对有机场效应晶体管施加电压脉冲；经过预定时间后先后或同时撤销电压脉冲与光源通过本发明的上述技术方案，解决了目前的有机半导体场效应管的调制方法复杂，自由度低的问题，并且调制后有机场效应晶体管的阈值电压可以保持较长时间，该方法自由度大，易于调整有机场效应晶体管。
有机场效应晶体管阈值电压调制方法

[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法-CN200710118153.6无效
发明人：于贵;狄重安;郭云龙;徐新军;刘云圻;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了有机场效应晶体管及其制备方法。本发明所提供的有机场效应晶体管，包括衬底，和设于衬底上的栅极电极、绝缘层、有机半导体层、源电极和漏电极，其中，有机场效应晶体管为上电极结构，源电极和漏电极均为铜。本发明以低功函、低成本的铜为晶体管的源漏电极，得到具有良好性能的上电极结构的有机场效应晶体管，很大程度上降低了有机场效应晶体管的成本，并且工艺简单，成本低廉；本发明上电极结构的有机场效应晶体管具有和金为源漏电极的晶体管相当的高性能，同时，由于铜在无机工艺广泛应用性，使得本发明有机场效应晶体管具有更好的无机工艺兼容性，应用范围更加广泛。
一种有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管-CN201710163841.8有效
发明人：汉斯·克勒曼;格雷戈尔·施瓦茨 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管。更具体而言，本发明涉及一种制备垂直有机场效应晶体管的方法，其中具有层配置的垂直有机场效应晶体管被制备在衬底上，所述层配置包含晶体管电极、电绝缘层(25；34)和有机半导体层(28)，晶体管电极也就是第一电极另外，本发明还提供了一种垂直有机场效应晶体管，其包含衬底(21)上的具有晶体管电极的层配置。
制备垂直有机场效应晶体管方法

[发明专利]有机场效应晶体管及制造方法和含该晶体管的平板显示器-CN200510055145.2有效
发明人： M·雷德克;J·费希尔;A·马西 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管、一种制造该有机场效应晶体管的方法、以及一种包括该有机场效应晶体管的平板显示器件。该有机场效应晶体管包括有机半导体层、栅电极和载荷子阻挡层。该载荷子阻挡层置于栅电极和有机半导体层之间，且包含半导体材料。
有机场效应晶体管制造方法平板显示器

[发明专利]一种CMOS反相器及其制备方法-CN202211103037.8在审
发明人：韩江丽;荣欣;段炼;董桂芳 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS反相器，由位于同一绝缘基底上的1个或多个p型有机场效应晶体管和相同数量的n型有机场效应晶体管通过导电线连接构筑而成；p型有机场效应晶体管和n型有机场效应晶体管的漏源电极均由同一种导电金属或者导电金属氧化物薄膜和涂覆在所述漏源电极表面的分子或聚合物修饰层构成；p型有机场效应晶体管的修饰层材料为第一修饰材料，用于提高漏源电极的功函数；n型有机场效应晶体管的修饰层材料为第二修饰材料，用于降低漏源电极的功函数；p型有机场效应晶体管和n型有机场效应晶体管的有机半导体层的材料为同一种双极性的有机小分子或者双极性的有机聚合物
一种 cmos 反相器及其制备方法

[发明专利]光稳有机场效应晶体管-CN202110968502.3有效
发明人：李立强;王中武;陈小松;于丽;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了光稳有机场效应晶体管，在所述光稳有机场效应晶体管的导电沟道内或在所述导电沟道的上方/下方分布有极性粒子，其中，所述导电沟道为光稳有机场效应晶体管内有机半导体层靠近介电层一面起向远离该介电层方向厚度为1～3个有机半导体分子的全部或部分有机半导体层。本发明的光稳有机场效应晶体管在辐照高达410mW/cm2下也可保持有机场效应晶体管电学性能的稳定，晴朗天气的太阳光辐照光功率密度大概为138mW/cm2，本发明光稳有机场效应晶体管所获得的光稳数据远超已报道的光稳定有机场效应晶体管耐受光功率密度最高值和太阳光辐照强度，保证了基于有机场效应晶体管的可穿戴电子设备在光照环境中的稳定运行
有机场效应晶体管

[发明专利]有机场效应晶体管及制备方法、电子电路-CN201610440163.0在审
发明人：孙向南;祝向伟;郭立丹;孙素;从川波;刘云圻 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机场效应晶体管及制备方法、电子电路。所述有机场效应晶体管包括：栅极；位于所述栅极上的介电修饰层；位于所述介电修饰层上的有机半导体层，所述有机半导体层为有机小分子材料；位于所述有机半导体层上的源极和漏极。本发明还提供了用于制备上述有机场效应晶体管的制备方法，以及包括上述有机场效应晶体管的电子电路。本发明提供的有机场效应晶体管在多次屈挠后仍能保持较高的载流子迁移率。
有机场效应晶体管制备方法电子电路

[发明专利]有机场效应晶体管存储器的编程方法-CN201110065340.9无效
发明人：刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-17 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器的编程方法。该编程方法中，在对有机场效应晶体管存储器进行编程时施加光照，这有助于增加有机场效应晶体管存储器中存储的载流子数目和增大沟道的开态电流，从而可以提高有机场效应晶体管存储器的存储窗口和电流开关比。
有机场效应晶体管存储器编程方法

[发明专利]一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法-CN201710043631.5在审
发明人：仪明东;张晨曦;陈艳;李焕群;凌海峰;解令海;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2017-01-19 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法，包括以下具体步骤首先制备具有聚合物修饰层的栅绝缘基片；对所述栅绝缘基片进行快速退火操作；在聚合物修饰层上蒸镀有机半导体层及源漏电极，制备有机场效应晶体管；测试所述晶体管的转移特性曲线，提取对应的迁移率，并计算平均迁移率。本发明进一步提出一种根据上述通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率的方法制备的有机场效应晶体管。本发明还提供了上述有机场效应晶体管的制备方法。本发明通过简单的溶液加工工艺，有效地提高有机场效应晶体管的迁移率，便于推广、应用。
一种通过快速退火提高有机场效应晶体管迁移率方法

[发明专利]一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法-CN200610089455.0无效
发明人：刘云圻;吴卫平;王鹰;孙艳明;狄重安;徐新军;于贵;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及有机场效应晶体管技术领域，公开一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法。包括衬底、栅极电极、绝缘层、插入半导体层、主体半导体层和源电极和漏电极。方法包括栅极金属的沉积；绝缘层的沉积；插入半导体层的沉积及有机主体半导体材料的沉积；器件测试。本发明有机场效应晶体管可以通过控制插入半导体层的厚度来控制导电沟道的性质，可实现同一个有机场效应晶体管的耗尽型和增强型双模式同时操作。与其它方法相比，可利用同一工艺制备得到可控掺杂半导体沟道的有机场效应晶体管。易于制备构筑由同质结或异质结构成的耗尽型或双模式场效应晶体管。在有机效应晶体管的可控制备和有机半导体逻辑门和集成电路中有应用价值。
一种双工模式有机场效应晶体管制备方法

[发明专利]光存储单元、光存储器及其制备方法-CN201110076540.4无效
发明人：刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L51/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的光存储单元、光存储器及其制备方法。本发明中，通过对有机场效应晶体管的有机半导体层中掺杂金属或金属氧化物纳米点存储层，光照时有机场效应晶体管中产生的载流子会存储到该纳米点存储层中，当光照撤掉后载流子依然存储在纳米点层中，不会消失，因此，回滞效应在光照撤掉后依然存在，从而开发了有机场效应晶体管在光存储器方面的应用。
存储单元存储器及其制备方法

[发明专利]低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法-CN200610089591.X无效
发明人：于贵;狄重安;徐新军;刘云圻;孙艳明;王鹰;朱道本 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2006-07-05 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明一种低成本高性能有机场效应晶体管及制备方法，涉及有机场效应晶体管技术，该有机场效应晶体管为下电极结构，其源漏电极，是由具有低功函的材料构成，包括银或铜，在源漏电极和有机半导体的接触面形成有有机电荷转移复合盐层；其制备方法是：在衬底上沉积栅极电极和绝缘层，再在绝缘层上沉积源漏电极；对源漏电极进行修饰，使其上表面覆着一有机电荷转移复合盐层；再在复合盐层上沉积有机半导体材料。本发明的有机场效应晶体管，其金属下电极与半导体有良好的接触，保证了载流子的有效注入，本发明方法可以实现高性能、低成本有机场效应晶体管制备。
低成本性能有机场效应晶体管制备方法

[发明专利]有机场效应晶体管-CN200880007765.0无效
发明人：罗纳德·厄斯特巴卡;卡尔-埃里克·维伦;托马斯·贝克隆德;尼克莱·凯霍维尔塔 -专利权人：罗纳德·厄斯特巴卡;卡尔-埃里克·维伦
申请日： 2008-01-23 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及有机场效应晶体管。本发明的有机场效应晶体管在有机半导体层(203)与栅极(204)之间包含聚合物膜(205)，该聚合物膜在沟道区与栅极之间具有离子传导空间区域(206)。由于该离子传导空间区域(206)，栅极与有机半导体层之间的距离可以比现有技术有机场效应晶体管中的更长。
有机场效应晶体管

[发明专利]有机场效应晶体管及包含其的半导体装置-CN200580047753.7有效
发明人：大泽信晴;平形吉晴;古川忍 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目标是提供一种有机场效应晶体管，其可以减小在与由有机半导体材料形成的半导体层的界面处的能垒(在本发明中称为“有机场效应晶体管”)。将包括有机化合物和金属氧化物的复合层用于该有机场效应晶体管的电极，换言之，该复合层被用于该有机场效晶体管内源电极或漏电极的至少一部分。
有机场效应晶体管包含半导体装置

[发明专利]一种双极型有机场效应晶体管及其制备方法-CN202111599208.6在审
发明人：王军;王新宇;詹国清;李栋;王桂东 -专利权人：上海应用技术大学;江苏亚邦染料股份有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及有机场效应晶体管器件技术领域，尤其是涉及一种双极型有机场效应晶体管及其制备方法。本发明中的双极型有机场效应晶体管由栅电极、绝缘层、第一修饰层、N型有机半导体层、第二修饰层、P型有机半导体层和源/漏电极组成；栅电极、绝缘层、第一修饰层、N型有机半导体层、第二修饰层、P型有机半导体层依次叠放；源/漏电极与栅电极、绝缘层、第一修饰层、N型有机半导体层、第二修饰层、P型有机半导体层构成底栅底、底栅顶、顶栅底或顶栅顶结构的双极型有机场效应晶体管。本发明制备得到的双极型有机场效应晶体管实现了真正的双极型OFET。
一种双极型有机场效应晶体管及其制备方法

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