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[发明专利]双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法-CN201210348006.9有效
发明人：王晓亮;王翠梅;肖红领;彭恩超;冯春;姜丽娟;陈竑 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂高迁移率层，该非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂插入层上面；一非有意掺杂氮化铝插入层，该非有意掺杂氮化铝插入层制作在高迁移率层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管制作方法

[发明专利]具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法-CN201310048977.6有效
发明人：王晓亮;彭恩超;王翠梅;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非有意掺杂氮化铝空间层，该非有意掺杂氮化铝空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在非有意掺杂氮化铝空间层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面
具势垒层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构制作方法

[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法-CN201110401468.8有效
发明人：王晓亮;毕杨;王翠梅;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面；一非有意掺杂铟铝氮势垒层，该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层，该非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在非有意掺杂铟铝氮势垒层上面。一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面。
氮化镓基高电子迁移率晶体管制作方法

[发明专利]基于姿势的进入控制系统的预编程场景数据的建模-CN201810396309.5在审
发明人： K.斯里瓦斯塔瓦;P.费尔南德斯-奥雷拉纳;D.马尼肯坦施拉;A.蒂瓦里;A.屈恩兹;Y.诺沃哲内茨 -专利权人：开利公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：一种训练基于姿势的进入控制系统的方法包括由移动设备的用户重复地执行指示有意姿势类型的有意姿势。有意姿势表示用户获得进入的意图。然后，应用根据有意姿势的重复执行来形成所选择的有意姿势类型的模型。该模型被配置为由基于软件的应用采用以确认有意姿势的未来执行。
姿势控制系统场景数据基于软件移动设备用户重复重复执行预编程建模应用配置

[发明专利]具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法-CN201310054863.2无效
发明人：王翠梅;王晓亮;彭恩超;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法，该结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂高阻层的上面；一复合空间层，该复合空间层制作在非有意掺杂高迁移率沟道层的上面；一非有意掺杂势垒层，该非有意掺杂势垒层制作在复合空间层的上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层，该非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层的上面。
具有复合间层氮化场效应晶体管结构制作方法

[发明专利]双异质氮化镓基场效应晶体管结构及制作方法-CN201610594320.3在审
发明人：王翠梅;冯春;王晓亮;王权;肖红领;姜丽娟;殷海波 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种双异质氮化镓基场效应晶体管结构，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面；一Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层制作在成核层上面；一非有意掺杂高质量铝镓氮外延层制作在Fe有意掺杂铝镓氮掺杂层上面；一非有意掺杂氮化镓沟道层制作在非有意掺杂高质量铝镓氮外延层上面；一氮化铝插入层制作在非有意掺杂氮化镓沟道层上面；一非有意掺杂铝镓氮势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓盖帽层制作在非有意掺杂铝镓氮势垒层上面，本发明可以提高外延材料的晶体质量，达到高电子限阈和高晶体质量的双赢
双异质氮化场效应晶体管结构制作方法

[发明专利]纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法-CN201611255799.4在审
发明人：王晓亮;姜丽娟;冯春;王权;肖红领;王翠梅 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了纵向调制掺杂氮化镓基场效应晶体管结构及其制作方法，晶体管结构包括一衬底，在衬底上依次生长形成成核层、第一有意掺杂层、第一非有意掺杂层、第二有意掺杂层、第二非有意掺杂层、非有意掺杂高迁移率层、非有意掺杂氮化铝插入层、非有意掺杂铝镓氮势垒层和非有意掺杂氮化镓盖帽层。
纵向调制掺杂氮化场效应晶体管结构及其制作方法

[外观设计]手链（吉象有意）-CN202230482615.8有效
发明人：刘宣 -专利权人：刘宣
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手链（吉象有意）。2.本外观设计产品的用途：用于穿戴。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
手链有意

[发明专利]基于单通道脑电信号的有意眨眼识别方法及装置-CN201911242401.7在审
发明人：吴全玉;张文强;刘美君;王烨;李姝;潘玲佼;陶为戈;刘晓杰 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单通道脑电信号的有意眨眼识别方法及装置，其中，有意眨眼识别方法中包括：S10获取单通道EGG信号；S20根据预设的幅度阈值对EGG信号中的有意眨眼特征进行提取；S30根据提取的有意眨眼特征对EGG信号中的有意眨眼进行识别。有效对单通道脑电信号中的有意眨眼进行识别，为以后单通道脑电信号的分类应用研究提供了新的思路。
基于通道电信号有意眨眼识别方法装置

[发明专利]一种提取有意义串的方法及装置-CN201710627611.2有效
发明人：徐波 -专利权人：广州多益网络股份有限公司;多益网络有限公司;广东利为网络科技有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： G06F16/9535 文献下载
摘要：本发明提供一种提取有意义串的方法，包括以下步骤：获取原始语料并进行处理；提取重复串；对重复串的前后缀进行匹配；过滤噪声，生成有意义串；将有意义串进行匹配，获取匹配度最高的有意义串。相比于现有技术，本发明通过提取粗粒度的有意义串，匹配出话题的关键句，可以让使用者在进行舆情分析的时候，更快速更准确地挖掘出当前发生的热点话题，从而制定相应的决策，引导舆论的发展。另外，本发明还提供了一种用于实现上述方法的提取有意义串的装置。
一种提取有意义方法装置

[发明专利]信号干扰检测系统和车辆-CN202210930891.5在审
发明人：伍才鲲;何天翼;颜建林;陈生林 -专利权人：北斗星通智联科技有限责任公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H04B17/345 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种信号干扰检测系统和车辆，该系统包括：衰减器，用于衰减车载系统输出的有意发射信号；综测仪，用于放大车载系统输出的有意发射信号；耦合电容，用于将车载系统或经衰减器处理或经综测仪处理后输出的有意发射信号进行耦合输出；频谱仪，用于检测有意发射信号的发射功率以及检测敏感信号端子的信号状态。本发明实施例通过衰减器和综测仪多次调整有意发射信号的发射功率的大小，再通过频谱仪所检测的敏感信号端子所输出的信号的状态参数的变化情况，来确定敏感信号端子是否受到当前的有意发射信号的干扰，以及确定有意发射信号产生干扰的发射功率范围
信号干扰检测系统车辆

[发明专利]铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法-CN201210467084.0有效
发明人：王晓亮;彭恩超;王翠梅;肖红领;冯春;姜丽娟;陈竑 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面，其厚度为0.01-0.50μm；一非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面；一氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率层上面，其厚度为0.7-5nm；一非有意掺杂势垒层制作在氮化铝插入层上面；一非有意掺杂氮化镓或铝镓氮盖帽层制作在非有意掺杂势垒层上面，其厚度为1-5nm。
铝镓氮做高阻层双异质结氮化 hemt 制作方法

[发明专利]氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法-CN200610112889.8有效
发明人：马志勇;王晓亮;冉军学;胡国新;肖红领;王翠梅;罗卫军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-06 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变
氮化镓基异质结场效应晶体管结构制作方法

[发明专利]氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法-CN200710064383.9有效
发明人：王晓亮;马志勇;冉学军;肖红领;王翠梅;胡国新;唐健;罗卫军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-03-14 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种氮化镓基双异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一低温氮化镓或高温氮化铝层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓或高温氮化铝成核层的上面；一氮化铝第一插入薄层，该氮化铝第一插入薄层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一非有意掺杂氮化镓基沟道层，该非有意掺杂氮化镓基沟道层制作在氮化铝第一插入薄层的上面；一氮化铝第二插入薄层，该氮化铝第二插入薄层制作在非有意掺杂氮化镓基沟道层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂Al_xIn_yGa_zN层，该Al_xIn_yGa_zN
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构制作方法

[发明专利]宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法-CN200610127920.5有效
发明人：王晓亮;马志勇;胡国新;肖红领;冉军学;王翠梅;罗卫军 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝(铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入层的上面。
宽带氮化镓基异质结场效应晶体管结构制作方法

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