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[发明专利]在金刚石与基材之间具有晶粒生长抑制剂层的细的多晶金刚石复合片-CN201280048502.0有效
发明人：鲍亚华;S·L·赫曼 -专利权人：六号元素有限公司
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于切削工具和岩石钻具的多晶金刚石复合片，并且更特别地涉及具有晶粒生长抑制剂层和减少的异常晶粒生长的非常细的多晶金刚石复合片。一种制造这样的多晶金刚石材料的方法包括邻近于具有约1微米或更小的平均颗粒尺寸的金刚石颗粒的混合物放置纳米尺寸的晶粒生长抑制剂颗粒的粉末层并且在高压和高温下烧结以产生多晶结构的烧结金刚石晶粒。该烧结金刚石晶粒具有约1微米或更小的平均尺寸。
金刚石基材之间具有晶粒生长抑制剂多晶复合

[发明专利]固体陶瓷电解质-CN201380059262.9在审
发明人： J·L·布朗 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01M12/06 文献下载
摘要：一种固体陶瓷电解质可包括离子导电陶瓷和至少一种晶粒生长抑制剂。该离子导电陶瓷可为锂金属磷酸盐或其衍生物。晶粒生长抑制剂可为氧化镁和/或二氧化钛。固体陶瓷电解质的平均粒度可小于约2微米。晶粒生长抑制剂可占固体陶瓷电解质的约0.5摩尔％-约10摩尔％。
固体陶瓷电解质

[发明专利]一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法-CN201910809154.8有效
发明人：张景贤;段于森;刘宁 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷及其制备方法，所述表面晶粒定向生长的氮化硅陶瓷包括：主相为β‑Si3N4的氮化硅陶瓷基体、以及原位定向生长于氮化硅陶瓷基体表面的由长棒状β‑Si3N4晶粒形成的膜层，所述长棒状β‑Si3N4晶粒的直径为200nm～2μm，长度为2～5μm。
一种表面晶粒定向生长氮化陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种超细石膏粉的连续生产方法-CN201610606171.8在审
发明人：董发勤;谭宏斌;贺小春;何平;刘金凤;何花 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种超细石膏粉连续生产的方法，它是将石膏、水、预处理剂，同时喂入陶瓷球磨机头部，从球磨机尾部流出的石膏浆流入储浆罐；在储浆罐中加入硫酸（调节浆料pH值）和晶面选择生长控制剂并混合均匀后，将混合浆料连续输入晶粒生长器的头部，从晶粒生长器尾部出来的石膏晶粒，连续进入超细磨进行粉粹和烘干，从超细磨出来的石膏晶粒，用袋收尘器进行收集，得到超细石膏晶粒粉体。
一种石膏粉连续生产方法

[发明专利]一种轴类件铸造方法-CN202011046550.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：广东金志利科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： B22C9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种轴类件铸造方法，属于金属铸造领域，它首先通过注液管让液态金属由下至上、由内向外的缓慢完成浇注，使晶粒的凝固向着一定的方向进行，提高轴类件的强度，通过在铸造模具中放置圆盘形的冷却控制件让液态金属实现局部快速冷却，提高晶粒生长的方向性，进而提高铸件性能，液态金属从注液管中流出时先与内环接触，进而将内环熔化，经冷藏降温的惰性气体使最内部的液态金属先结晶，随着液态金属向外的流淌，外环逐个被熔化，实现单层平面上晶粒由内向外方向的生长，随着浇注的进行，下层生长的结晶不断被上层新的结晶所覆盖，实现晶粒由下至上方向的生长，这样整个铸件晶粒生长的方向性被提高，进而有效提高了轴类铸造件的强度。
一种轴类件铸造方法

[发明专利]一种波动退火工艺及用该工艺制备的钙钛矿太阳能电池-CN201810003748.5有效
发明人：于军胜;范谱;张晓华;杨根杰 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-01-03 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种波动退火工艺及用该工艺制备的钙钛矿太阳能电池，旨在解决现有技术中的持续退火工艺违背了钙钛矿晶粒的周期生长过程使得钙钛矿结晶过程中出现薄膜各个位置的晶粒生长差异进而导致制备的钙钛矿太阳能电池性能迟滞的问题本发明采用的波动热退火工艺为钙钛矿光活性层的退火温度在t1和t2之间以周期T呈梯度变化，退火周期T范围为10s～5min，t1范围为20℃～30℃，t2范围为90～110℃，钙钛矿光活性层的退火时长为25～30min，通过短暂的加热过程控制结晶的生长时间，使得钙钛矿活性层晶粒会相对有序生长，并在慢生长这一环节上，钙钛矿的晶粒之间可以形成自组装过程，使得晶粒和晶粒之间的接触更加致密和均匀；本发明适用于钙钛矿太阳能电池领域。
一种波动退火工艺制备钙钛矿太阳能电池

[发明专利]多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法-CN200510021463.7无效
发明人：张树人;刘敬松;杨成韬;袁颖 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2005-08-12 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法，涉及一种多元氧化物薄膜制备技术，特别是一种控制薄膜晶粒大小，实现生长的薄膜晶粒大小符合实际需要的方法，属于薄膜材料领域。本发明提供一种在制备多元氧化物薄膜时，对薄膜晶粒大小的控制方法，使生长的薄膜晶粒大小符合实际需要。本发明通过调整晶粒成核温度的保持时间与晶粒长大温度保持时间的比值来控制薄膜晶粒大小，晶粒粒径与比值负相关。发明的有益效果是，采用本发明的控制方法，能够满足不同需求，制备不同大小的晶粒，使粒径大小处于完全可控的状态。根据电子器件结构要求，设计特定的热处理工艺路线，能够得到晶粒大小符合器件结构设计要求的多元氧化物薄膜。
多元氧化物薄膜晶粒大小控制方法

[发明专利]一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法-CN202210221527.1在审
发明人：陈秀芳;仲光磊;谢雪健;彭燕;杨祥龙;胡小波;徐现刚 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高掺杂均匀性p型SiC的生长方法，该方法首先制备含掺杂元素的SiC晶粒或SiC多晶块，通过SiC晶粒或多晶块锁住掺杂元素法来实现掺杂元素的均匀持续释放，密封掺杂元素的SiC晶粒或多晶块作为生长源，可极大的提高掺杂元素在晶锭轴向和径向上掺入的均匀性，得到p型SiC，减缓生长过程掺杂元素的掺入不均匀性，提高晶体质量。
一种掺杂均匀 sic 生长方法

[发明专利]用于生长单晶金属的方法和装置-CN200680024342.0有效
发明人： J·R·丘利克;E·M·塔尔夫 -专利权人：得克萨斯系统大学评议会
申请日： 2006-05-03 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：公开了生长金属大单晶的方法。最初在非氧化性环境中将多晶态的金属样品加热。然后将最小塑性应变施加于加热的金属样品，以引发加热的金属样品内选择的晶粒生长。随后将另外的塑性应变施加于加热的金属样品，以使选择的晶粒蔓延生长，变成大单晶。
用于生长金属方法装置

[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法-CN200810081280.8无效
发明人：向井良一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-02-26 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种垂直磁记录介质及其制造方法，该磁记录介质包括：衬底；第一底层，其形成在衬底上方并由钌或钌合金形成，所述钌或钌合金的晶粒近似垂直于衬底生长并通过第一气隙以平面内方向彼此隔离；记录层，其设置在第一底层上方并由通过第二气隙以平面内方向彼此隔离的磁晶粒形成；以及晶粒尺寸差别防止层，其插入记录层和第一底层之间，该晶粒尺寸差别防止层包括钴基合金晶粒和氧化物，所述钴基合金晶粒近似垂直于衬底生长，该氧化物用于使钴基合金晶粒在平面内方向彼此隔离。
垂直记录介质及其制造方法

[发明专利]具有含铁粘合剂的聚晶金刚石-CN202080078109.0有效
发明人： A·卡恩;X·张;I·佩特鲁沙;A·奥西波夫;D·斯特拉蒂丘克;V·土耳其维奇 -专利权人：六号元素(英国)有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C04B35/528 文献下载
摘要：本公开涉及一种聚晶金刚石(PCD)物体，其包含由相互生长的金刚石晶粒和含铁粘合剂形成的PCD材料，所述相互生长的金刚石晶粒形成金刚石网络。
具有粘合剂金刚石

[发明专利]一种可实现钢凝固枝晶生长和偏析的三维预测方法-CN202110410815.7在审
发明人：罗森;郭雅琪;王鹏;朱苗勇;王卫领 -专利权人：东北大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：一种可实现钢凝固枝晶生长和偏析的三维预测方法，所属冶金连铸技术领域，制备方法包括，收集待研究钢材的物性参数、各成分所占比重数据；计算三维相场及溶质场的控制方程：编写三维基于相场法计算的程序代码；将程序计算结果数据写入Tecplot可读文件，由Tecplot打开得到相场及溶质场的三维图像，不同计算时间的三维图像组合得到钢液中晶粒竞争生长过程。本发明方法将形核、长大、溶质扩散等机理引入数值模拟中，不仅能够真实地再现钢液凝固过程中晶粒竞争生长的微观形貌，而且能够准确预测晶粒竞争生长过程中的溶质再分配现象，提高钢液凝固过程中晶粒竞争生长预测的精准度
一种实现凝固生长偏析三维预测方法

[发明专利]一种应变诱导取向硅钢高斯晶粒生长方法-CN202310077238.3在审
发明人：祖国庆;厉思奇;马鹏光;赵宇;韩英;朱巍巍;冉旭 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C21D8/02 文献下载
摘要：一种应变诱导取向硅钢高斯晶粒生长方法，属于取向硅钢的生产技术领域。一种应变诱导取向硅钢高斯晶粒生长方法，该方法包括：冶炼浇铸，粗轧，热轧，常化退火，冷轧，脱碳退火，临界变形，高温退火，平整拉伸和细化磁畴。临界变形后的板材内部形成临界变形区，此区域内的Goss晶粒内部形成亚晶粒，亚晶粒在高温退火时以低畸变能为驱动力，晶界迁移速率加快，提高了Goss晶粒异常长大的稳定性，降低取向硅钢产品的废品率。
一种应变诱导取向硅钢晶粒生长方法

[发明专利]晶粒形核生长的仿真方法、装置及系统-CN201710783594.1有效
发明人：徐肖伟;彭尊;张海涛;黄泽杰;肖敏;张忠华 -专利权人：北京金恒博远科技股份有限公司
申请日： 2017-09-01 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶粒形核生长的仿真方法、装置及系统，涉及冶金与材料制备的虚拟仿真技术领域，该方法包括获取根节点模型和枝晶模型，根节点模型和枝晶模型均为三维立体模型；接收交互设备发送的动态数据，其中，动态数据为交互设备根据用户发送的操控指令生成的，操控指令用于操控晶粒形核的仿真阶段；基于动态数据控制根节点模型和枝晶模型的动态变化，以对晶粒形核生长过程进行仿真。本发明缓解了传统方法中存在的对晶粒形核生长过程展示效果较差的技术问题。
晶粒生长仿真方法装置系统

[发明专利]薄膜晶体管、半导体器件、显示器、结晶方法和薄膜晶体管的制备方法-CN200610084254.1有效
发明人：加藤智也;松村正清;中崎能彰 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：厚度小于50nm并且设置在绝缘衬底(1)上的非单晶半导体薄膜(3)用具有反峰构图光强分布的激光照射以在横向单向地生长晶体。因此，在晶体生长方向具有比宽度长的尺寸的带状晶粒(4)，在宽度方向彼此相邻地排列形成晶粒阵列(5)。形成TFT的源区(S)和漏区(D)，使得电流在包括该晶粒阵列(5)的多个晶粒(4)的区域内在所述晶体生长方向流过。
薄膜晶体管半导体器件显示器结晶方法制备