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[实用新型]一种集精准超声锻造的复合增材制造装置-CN202020076133.8有效
发明人：王强;查俊康 -专利权人：北京隆源自动成型系统有限公司
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本实用新型一种集精准超声锻造的复合增材制造装置，将熔覆头和超声波锻打头集成设计到一个成形平台上，通过精准红外测温仪测量的温度数据，控制超声波锻打头的锻打位置，超声波锻打头在锻打成形件的同时对凝固熔池内晶粒的生长起超声振动干预，阻碍晶粒生长，亦或是破坏成形的晶粒形态，从而产生更多形核质点，最终改变凝固后材料的晶粒形态为等轴晶，提高材料的综合力学性能。
一种精准超声锻造复合制造装置

[发明专利]一种碳化钨原始粗大晶粒的快速检测方法-CN202210952333.9在审
发明人：林高安;竭正强;周喜诚;路博识;钟志超;陈瑞女;黄建建;林镓和;吴桐;李中洲 -专利权人：厦门金鹭特种合金有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化钨原始粗大晶粒的快速检测方法，S1、将WC粉末与粘接相粉末混合；S2、将预先溶好的成型剂溶液缓慢加入S1得到的混合粉末中，搅拌均匀；S3、将S2中搅拌均匀的溶液烘干，擦筛制粒；S4、将S3中的粒料压制成3个压坯样品；S5、将S4中的压坯样品烧结成合金样块；S6、用金相显微镜观察烧结后的合金样块的晶粒尺寸，分别测量不同晶粒尺寸范围内的晶粒个数，取每个样块检测结果的平均值；大尺寸的晶粒数量越多，则碳化钨当中的原始粗大晶粒就越多。本发明用搅拌替代长时间球磨，可有效避免碳化钨中的原始粗大晶粒被破碎，使原始粗大晶粒在合金烧结中更快速生长，能更直接、更准确的判断碳化钨中是否存在粗大晶粒以及粗大晶粒的数量。
一种碳化原始粗大晶粒快速检测方法

[发明专利]一种多晶硅的铸锭方法-CN201310122991.6有效
发明人：任军海;曹丽;姜超 -专利权人：衡水英利新能源有限公司
申请日： 2013-04-10 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅的铸锭方法，涉及硅的生长制造技术领域。所述方法包括以下步骤：碎硅片准备→硅片准备→坩埚装料→控制加热条件，使坩埚上面硅料熔化→控制碎硅片部分熔化→长晶阶段→退火阶段→冷却阶段。所述方法使用碎硅片生产硅锭，大大降低了生产成本；因使用碎硅片作为晶体生长的籽晶，可以生长得到具有结构均匀的小晶粒硅锭，晶粒之间的大小不会出线较大的差异，不会导致电池PECVD镀膜出现较大的色差，继而不会影响到后续太阳能电池组件的制造
一种多晶铸锭方法

[发明专利]液相基底表面新型金属薄膜的制备技术-CN200510060461.9无效
发明人：叶高翔 -专利权人：浙江大学
申请日： 2005-08-23 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：一种在液相基底表面生长金属薄膜的技术，其特征是以饱和蒸气压小于真空蒸发气压的液相材料为基底，采用磁控浅溅射或热蒸镀方法，用高速运动的氩离子或被电流加热后的钨丝的能量使金属原子蒸发，然后被蒸发的金属原子沉积到液相基底表面，再通过扩散、成核、旋转、凝聚，生长成晶粒结构(多晶)金属薄膜，制备工艺简单，成本低，所生长的薄膜具有独特的微观结构，薄膜中晶粒尺寸从10¹～10²nm可调，
基底表面新型金属薄膜制备技术

[发明专利]一种制造有机无机钙钛矿晶体薄膜的方法-CN201510503651.7在审
发明人：李世彬;李杭倩;陈乐毅;王美娟;陈志 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明的这些实施例中，在DMF或DMSO蒸汽气氛下进行退火处理，在这种溶剂热退火过程中，可以使小晶粒不断萎缩，而相对较大的晶粒不断长大，使得有机无机钙钛矿晶体薄膜的晶粒平均尺寸不断增加，并且可以得到更多[220]晶向的晶粒，因此可以延长其载流子寿命，促进晶粒的生长，使晶粒尺寸更大，减少晶界复合，从而提高有机无机钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
一种制造有机无机钙钛矿晶体薄膜方法

[发明专利]一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜-CN201710239668.5在审
发明人：任庆荣;李良坚;刘政 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜，其中，该多晶硅薄膜制作方法包括沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜，本发明实施例通过在对第一非晶硅层进行处理得到晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层，改善了多晶硅薄膜晶粒生长的初始状态，使得后续对第二非晶硅进行处理形成多晶硅薄膜的过程更加可控，保证了多晶硅薄膜晶粒的大小和取向
一种多晶薄膜制作方法

[发明专利]单晶式多晶体纳米金刚石复合薄膜及制备方法-CN201210591153.9有效
发明人：刘学杰;张素慧;任元;魏怀;陆峰 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明薄膜是由晶粒相和界面相构成，界面相将晶粒相分隔为纳米尺度晶粒，晶粒之间形成规则的界面相。此纳米金刚石复合结构属于单晶式多晶体复合结构。此单晶式多晶体纳米金刚石复合薄膜的制备包括在基底表面植入有序分布的晶种，利用微波等离子气相沉积形成金刚石晶核，共同沉积晶粒相和界面相粒子和生长纳米金刚石复合薄膜，以及进行热处理消除薄膜应力和均化晶粒尺寸
单晶式多晶体纳米金刚石复合薄膜制备方法

[发明专利]具有用于增强耐磨性的受控晶粒尺寸和结构的涂层-CN200410038503.4有效
发明人：萨卡里·鲁皮 -专利权人：山高刀具公司
申请日： 2004-04-26 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：可以通过优化晶粒尺寸和微观结构来显著提高现有技术的Ti(C，N)层的耐磨性。例如在许多碳钢中可以通过改变现有技术MTCVD Ti(C，N)涂层的晶粒尺寸和结构来获得明显更好的耐磨性。可以通过采用CO、CO₂、ZrCl₄和A1C1₃或这些的组合进行掺杂来确保对晶粒尺寸和形状的控制。必须小心控制掺杂以便保持柱状结构，并且还避免纳米晶粒结构和氧化。优选的晶粒尺寸应该在其晶粒宽度为30至300nm的亚微区域中。长宽比应该大于5，优选大于10，并且该涂层沿着422或331应该具有强优选生长晶向。XRD谱线展宽应该较弱。
具有用于增强耐磨性受控晶粒尺寸结构涂层

[发明专利]制造晶体半导体材料的方法和制作半导体器件的方法-CN03125563.9无效
发明人：德拉姆·P·戈塞恩;町田晓夫;中野一志;藤野敏夫;佐藤淳一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2003-08-22 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：使用从XeCl准分子激光器发出的脉冲激光束(能量束)同样地照射非晶体膜150次，以在部分熔化关于衬底的垂直方向具有{100}取向的晶粒和熔化非晶膜或者具有非{100}取向的晶粒的温度下，加热非晶膜。具有{100}取向的硅晶体新出现在氧化硅膜和液相硅之间，并且彼此随机结合在一起，以新形成具有{100}取向的晶粒。重复这样的晶粒形成步骤，形成具有关于衬底的垂直方向优先在{100}方向上生长的晶粒并因此具有清晰的正方形晶粒边界的晶体膜。
制造晶体半导体材料方法制作半导体器件

[发明专利]一种硅基光子材料器件制备方法-CN201710660667.8在审
发明人：仝香 -专利权人：南京大学
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基光子材料器件制备方法，具体包括以下步骤a)通过特殊方式加工制作出具有高密度和小尺寸的有序硅纳米晶粒；b)通过光刻工艺的方式对晶粒进行加工；c)采用UHV/CVD在硅衬底上生长Ge量子点；d)对加工过后的晶粒掺杂化学混合元素；e)利用步骤d)制备得到的晶粒形成光开关阵列构成光波导开关；f)化学研磨与物理成型；g)对加工出的硅基光子电路板进行晶粒探针测试。
一种光子材料器件制备方法

[发明专利]一种硬质合金材料和硬质合金样件-CN201910684705.2在审
发明人：卢洋;邓欣;赵哲;倪培燊;陈嘉星;胡子健 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硬质合金材料，由以下组分制成：金属粘接剂、石墨、碳化钨和晶粒抑制剂；晶粒抑制剂包括：VC、TiC、Cr₃C₂或TaC；金属粘接剂包括：钴或镍；本发明中，硬质合金材料中石墨的添加可以弥补碳元素的损失，晶粒抑制剂可以抑制WC晶粒超快的生长速度，从而降低超大WC晶粒、孔隙、η相的缺陷，使得硬质合金成型样件的硬度、耐磨性能、抗弯强度、断裂韧性得到提高
硬质合金材料硬质合金晶粒抑制剂样件金属粘接剂晶粒石墨成型粘接剂断裂韧性合金材料聚乙二醇耐磨性能石蜡碳化钨碳元素抗弯成型生长

[发明专利]多层结构膜及其制作方法-CN03823468.8无效
发明人：向井良一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：第一多晶下层(33)由彼此相邻的晶粒组成。第二多晶层(34)以大于第一多晶层(33)厚度的厚度延伸在第一多晶层(33)的表面上。第二多晶层(34)由从第一多晶下层(33)中的各个晶粒生长的晶粒组成。细小而均匀的晶粒能够被建立在第一和第二多晶层(33，35)中。此外，第一和第二多晶层(33，35)可以具有足够的厚度。细小而均匀的晶粒同样被建立在第一和第二磁性多晶层(35，36)中。
多层结构及其制作方法

[发明专利]一种透明微晶玻璃生产方法-CN200410059101.2无效
发明人：王长林;袁家裕;刘为军;李光亮;王海菊 -专利权人：河北邢台晶牛玻璃股份有限公司
申请日： 2004-08-11 - 公布日： 2005-03-23 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明微晶玻璃生产方法，本方法的微晶玻璃由于有P₂O₅和BaO的存在，利用P₂O₅和BaO对晶体生长速度的控制机理，生成大量的纳米级晶粒，由于纳米级的晶粒比可见光的波长小，光波可以绕过晶粒，所以可见透明，如果热处理过程中晶化温度过高，超过950℃，则晶体生长过大，从而失透。
一种透明玻璃生产方法

[发明专利]晶粒取向磁性片材的生产方法-CN201080063809.9有效
发明人： G·阿布鲁泽塞;斯特凡诺·西卡勒;S·福尔图纳蒂 -专利权人：材料开发中心股份公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C21D8/04 文献下载
摘要：本发明的目的是一种用于取向晶粒磁性片材的工序，该工序提供了硅钢板坯的特殊热轧操作条件，通过该工序有可能在很大程度上包含热轧片材重结晶的异质性。使用这些操作条件允许减小在处于最终厚度的片材的退火过程中结晶晶粒的生长趋势，该退火过程在二次取向重结晶之前。同时，根据本发明的热轧机特殊操作条件允许从基质中低于常规技术所提供的硫（S）和氮（N）的量开始，获得对控制晶粒生长有用的二次相的精细沉淀，并且其量因此在滚轧之前并且在低于1300°C的温度值下的板坯加热之后在金属固体溶液中是可处置的
晶粒取向磁性生产方法

[发明专利]一种片状纳米氧化镁粉体的制备方法-CN201811563607.5在审
发明人：尹荔松;周克省;陈敏涛;蓝键;马思琪;涂驰周 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： C04B2/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种片状纳米氧化镁粉体的制备方法，该片状纳米氧化镁粉体的制备方法所制得的纳米氧化镁粉体为片层纳米微片结构，排列规则有序，生长均匀，呈外延辐射状生长，微片彼此交叉生长，晶粒小，分散度高，活性高
制备纳米氧化镁粉体氧化镁粉体片状纳米生长晶粒彼此交叉排列规则微片结构分散度辐射状活性高片层微片