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[发明专利]一种深紫外多波长MSM窄带光电探测器及其制备方法-CN202011085614.6在审
发明人：高娜;陈俊鑫;黄长峰;朱啟芬;黄凯;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：所述的光电探测器包括衬底、缓冲层、至少两组超短周期超晶格层、金属叉指电极，每组超短周期超晶格层的分子层数不同；超短周期超晶格层的上表面沉积金属纳米颗粒阵列；不同的超短周期超晶格层对应沉积不同尺寸、形状及周期的金属纳米颗粒阵列；金属叉指电极设置在超短周期超晶格层上表面，形成肖特基接触。本发明通过将多组不同尺寸、形状及周期的金属纳米颗粒阵列设置在超短周期超晶格层上，能够针对超短周期超晶格层的特定窄带光吸收进行有效地局域表面等离激元增强，进一步提高对深紫外光的吸收效率，最终改善多波长MSM
一种深紫波长 msm 窄带光电探测器及其制备方法

[发明专利]紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器-CN201810162471.0在审
发明人：高娜;冯向;黄凯;葛树成;李书平;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外‑红外双波段集成p‑i‑n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。
超短周期超晶格红外双波段非掺杂光电探测器量子能级外露区域上表面价带跃迁红外光载流子光信号探测载流子吸收紫外光照射层叠设置红外波段信号通过光吸收缓冲层光子衬底导带入射掺杂探测协同侧面响应

[实用新型]一种紫外-红外双波段集成p-i-n型光电探测器-CN201820271210.8有效
发明人：高娜;冯向;黄凯;葛树成;李书平;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种紫外‑红外双波段集成p‑i‑n型光电探测器，包括由下至上层叠设置的衬底、缓冲层、n型超短周期超晶格、非掺杂i型超短周期超晶格、p型超短周期超晶格；n型超短周期超晶格在非掺杂i型超短周期超晶格的侧面具有一外露区域；外露区域的上表面设置n型欧姆接触电极，p型超短周期超晶格的上表面设置p型欧姆接触电极；非掺杂i型超短周期超晶格既能满足载流子在价带与导带量子能级间的光吸收跃迁，也能通过先紫外光照射再协同红外光入射的方式使得价带内载流子吸收光子并进行带内量子能级间的跃迁，实现针对紫外和红外双波段的光信号探测识别；红外波段的光信号通过改变p型超短周期超晶格的掺杂浓度实现响应探测。
超短周期超晶格红外双波段非掺杂光电探测器量子能级外露区域上表面价带跃迁红外光载流子本实用新型光信号探测载流子吸收紫外光照射层叠设置红外波段信号通过光吸收缓冲层光子衬底导带入射掺杂探测协同侧面响应

[实用新型]一种基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器-CN201921000730.6有效
发明人：高娜;朱啟芬;冯向;黄凯;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器，其结构从下至上包括：衬底、缓冲层、超短周期超晶格及金属电极；超短周期超晶格包括设置在超短周期超晶格的纳米孔阵，以及金属纳米颗粒；金属纳米颗粒注入在纳米孔阵空隙或沉积于超短周期超晶格上表面，颗粒尺寸可调控；金属电极设置在超短周期超晶格上，形成肖特基接触。本实用新型通过在有序分布的纳米孔阵中形成金属纳米颗粒再在其上设置金属电极，避免了超短周期超晶格吸收层载流子隧穿能力较弱问题，又利用产生的局域表面等离激元效应，增强深紫外光的吸收，最终提高深紫外MSM探测器的量子效率
一种基于局域表面离激元效应深紫 msm 探测器

[发明专利]正弦啁啾超晶格结构-CN03104980.X无效
发明人：杨昌喜;高士明 -专利权人：清华大学
申请日： 2003-03-04 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：正弦啁啾超晶格结构，属于光电子学以及光通信领域。本发明的目的在于设计一种新型的正弦啁啾超晶格结构来增加波长转换器件的转换带宽，同时提高转换响应的平坦度。本发明主要由一系列极化周期组成，每个极化周期包含极化方向相反的两个极化区域，其特征在于：所述极化周期长度Λ的表达式为I式,其中Λ0表示周期超晶格结构的极化周期长度，L表示结构总长度，M表示正弦函数的周期数，a表示平移系数，r表示啁啾系数，x表示所求极化周期在超晶格中的位置。本发明使得各个波长的信号光相位失配趋于均衡，转换带宽明显增大，平坦度也明显好于现有的其它超晶格结构。
正弦啁啾晶格结构

[发明专利]三维光子晶体和包含三维光子晶体的功能器件-CN200610142973.4无效
发明人：野林和哉;高木章成;星光;池本圣雄 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：周期性地堆叠了包括周期性折射率结构的多个层的三维光子晶体包括：具有设在第一矩形晶格和第二矩形晶格的晶格点处的孔的第一层；在面心矩形晶格的晶格点处具有柱状结构的第二层；具有与第一层的周期性结构相同的周期性结构、并被设在偏移位置处的第三层；以及具有与第二层的周期性结构相同的周期性结构的第四层。
三维光子晶体包含功能器件

[发明专利]基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器-CN201810708469.9有效
发明人：黄凯;阳超;高娜;卢诗强;康俊勇 -专利权人：厦门大学
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开基于纳米孔阵式超短周期超晶格的深紫外MSM光电探测器，其结构从下至上依次包括：衬底、缓冲层、纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格以及金属电极；通过纳米压印技术和感应耦合等离子体刻蚀微细加工手段，在平面超短周期超晶格上形成有序贯穿的纳米孔阵列；所述孔阵的最小单元形状、尺寸、周期及刻蚀深度可调控。所述金属电极设置在纳米孔阵贯穿型超短周期超晶格上，同时将金属注入到纳米孔间隙并与其下的超晶格吸收层形成肖特基接触。本发明避免了平面型超晶格吸收层中与表面较远处载流子隧穿能力较弱的问题，使得离表面较深处的超晶格吸收外深紫外光并将载流子被金属电极直接收集，有效增大了器件的光电流，最终提高深紫外MSM窄带光电探测器的外量子效率
超晶格光电探测器外量子效率超短周期金属电极纳米孔吸收层贯穿感应耦合等离子体刻蚀载流子纳米压印技术纳米孔阵列肖特基接触载流子隧穿金属注入深紫外光微细加工最小单元光电流缓冲层可调控平面型衬底刻蚀孔阵窄带吸收

[发明专利]一种小周期Z切压电晶片、薄膜、波导及其制备方法-CN202110963333.4在审
发明人：尹志军;叶志霖;吴剑波;倪荣萍;李胜雨;张虞;许志城 -专利权人：南京南智先进光电集成技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请公开一种小周期Z切压电晶片、薄膜、波导及其制备方法，所述小周期Z切压电晶体晶片，以及基于所述晶片制备的薄膜和波导均具有超晶格结构，并且，所述超晶格结构的周期可以达到6μm以下，甚至可达2μm，并且，所述超晶格结构均具有较为平整的电畴壁，所述超晶格结构通过在晶片上下表面设置具有套刻差的电极对制备，所述方法简便，易于操作，工艺条件易于控制。
一种周期压电晶片薄膜波导及其制备方法

[发明专利]超晶格梯度能带空穴势垒层结构以及红外探测器-CN202010997397.1有效
发明人：刘永锋;张传杰 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及空穴势垒层技术领域，提供了一种超晶格梯度能带空穴势垒层结构，包括n级超晶格层，每级超晶格层均包括由下向上依次生长的InAs层、第一GaSb层、AlSb层以及第二GaSb层，其中，所述InAs层的周期厚度为="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />所述AlSb层的周期厚度为C，所述第二AaSb层的周期厚度为处，即可实现能带渐变，无需改变超晶格的周期厚度，维持各层生长总时间不变
晶格梯度能带空穴势垒层结构以及红外探测器

[实用新型]非周期宽带响应电光调制器-CN201320400836.1有效
发明人：李俊;陈险峰;邹芸;邓学伟 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种电光调制领域的非周期宽带响应电光调制器，包括：非周期光学超晶格、偏振器和带有SMA接头的电阻，其中：非周期光学超晶格的前端设置偏振器，以控制入射光的偏振特性为晶体中的非常光，非周期光学超晶格右端串联带有SMA接头的电阻，通过控制导入微波的功率，即可实现光谱扩展可控的，非周期宽带响应的电光调制器。本实用新型利用光学超晶格的非周期性来提供丰富的倒格矢，来补偿不同频率微波与光波之间的相速度差，从而迫使该类电光调制器能够在适用带宽下的不同频率微波驱动下，获得效果一致的调制作用。
周期宽带响应电光调制器

[发明专利]一种基于InP基带隙可调的结构及光电转换器件-CN202110333443.2在审
发明人：芦红;姚金山;李晨 -专利权人：南京大学;南京磊帮半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于InP基带隙可调的结构，包括依次层叠设置的上电极层、超晶格功能层、下电极层和InP衬底，其中超晶格功能层作为光电转换器件光的吸收或发射区，超晶格功能层为晶格常数大于和小于InP衬底的晶格常数的半导体层交替堆叠生长组成的超晶格由于超晶格内部的应变补偿的方法，将两种大失配的半导体材料集成在一起，且无需考虑由于失配应变产生的位错缺陷导致超晶格的质量变差和引起器件暗电流等因素。同时，通过改变短周期超晶格的周期长度可以改变应变补偿短周期超晶格的光学带隙，拓展了结构的光电转换响应波长范围，使得近红外波段的光电转换器件可在同一材料体系中实现宽的可调响应范围。
一种基于 inp 基带可调结构光电转换器件

[发明专利]Si掺杂短周期(AlN)m-CN202310045348.1在审
发明人：王科;王中伟;李思琦;张荣;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种Si掺杂短周期(AlN)m(GaN)n超晶格结构，其特征在于所述超晶格结构存在多个周期，每个周期的结构特征为Si掺杂短周期(AlN)m(GaN)n超晶格在相似的电子迁移率的条件下具有更高的电导率，远高于Si掺杂的相同Al组分的并且硅掺杂短周期超晶格的电阻率相较于相同Al组分的AlGaN三元合金明显偏小。故本发明公开的Si掺杂短周期(AlN)m(GaN)n超晶格结构有利于提高电导率，可用于开发深紫外器件。
si 掺杂周期 aln base sub

[发明专利]一种LED外延接触层的生长方法-CN201811096911.3在审
发明人：张义;马旺;王建立;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种LED外延接触层的生长方法，依次生成衬底层、缓冲层、非掺杂GaN层、n型AlGaN层、n型GaN层、量子阱层、P型AlGaN层、P型GaN层以及生长超晶格接触层。第一超晶格叠加周期子层通入Mg源，不通入In源，第二超晶格叠加周期子层通入In源，不通入Mg源，第三超晶格叠加周期子层Mg源和In源均通入，以此规律将三个子层重复叠加，超晶格接触层生长结束经过一次升温稳定固化由于GaN、Mg3N2、InGaN的晶格不匹配和特殊的超晶格接触结构，从而诱发极化电场，使界面处积累大量空穴并进一步扩展，有效降低接触电阻，降低LED的驱动电阻，提高LED的性能品质。
一种 led 外延接触生长方法

[实用新型]一种复式周期亚波长孔洞阵列光谱调制器-CN202123373065.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：芯视界（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：本申请属于光谱调制器领域，特别涉及一种复式周期亚波长孔洞阵列光谱调制器。包括：半导体基板，所述半导体基板上设置有调制区域，所述调制区域内设置有多个复式晶格单元，所述复式晶格单元至少包括两种不同形状或尺寸的孔洞，所述孔洞的尺寸等于或小于目标光谱的波长，多个所述复式晶格单元中每种形状或尺寸的孔洞均呈周期排列本申请的复式周期亚波长孔洞阵列光谱调制器，通过在半导体基板设置至少包括两种不同结构的孔洞的复式晶格单元，形成光子的复式晶格势，从而调制出射光谱在不同波段的能量分布，复式晶格比简单晶格的自由度更高，因而能对光谱做出更复杂的调制
一种复式周期波长孔洞阵列光谱调制器

[发明专利]一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管-CN201310640163.1有效
发明人：赵灵智;刘咏梅;姜如青;李仕杰 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种锡化物超晶格势垒半导体晶体管，包括超晶格势垒层，所述超晶格势垒层为多个周期的薄膜层交替重叠组成，所述薄膜层由锡化物和另一掺杂的锡化物组成。通过利用新型锡的化合物及其化合物的掺杂来形成一种多周期的超晶格势垒层技术来获得较低位错密度、平滑的HEMT形貌、低的芯片方块电阻，实现高导电性能、高驱动电流与低MOS界面态密度，同时多周期的超晶格势垒层
一种锡化物超晶格半导体晶体管

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