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[发明专利]一种晶圆用化学镀镍液及其制备方法-CN202210359117.3在审
发明人：洪学平;姚玉 -专利权人：江苏矽智半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C18/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆用化学镀镍液及其制备方法，涉及化学镀镍技术领域。本发明制备的晶圆用化学镀镍液，主要是由硫酸镍、次磷酸钠、4‑戊基邻苯二甲腈、4‑(2‑甲酸基‑3‑丙酸基)邻苯二甲腈、8,9‑二氨基苯并噻唑、水等混合得到；在后续对预处理的晶圆进行化学镀的过程中，形成双亲性酞菁和咪唑；本发明制备的晶圆用化学镀镍液要在光照条件下给预处理的晶圆镀镍；其中，预处理的晶圆是将晶圆进行脱脂、除尘、表面喷砂、酸洗、超声清洗处理得到。本发明制备得到晶圆用化学镀镍液的稳定性较强，且晶圆用化学镀镍液制备的镀镍晶圆的镀层耐腐蚀性、镀层结合力、光亮性较强。
一种晶圆用化学镀镍液及其制备方法

[实用新型]晶圆镀镍用的辅助装置以及晶圆镀镍设备-CN202223059731.2有效
发明人：孙文杰;孙雪峰;谭笑;肖凌峰 -专利权人：晟盈半导体设备（江苏）有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及的晶圆镀镍用的辅助装置以及晶圆镀镍设备，该辅助装置包括辅助槽、进液管路、出液管路、镀镍液处理单元，其中镀镍液处理单元包括阳极、阴极、电源，镀镍液在进液管路、出液管路、辅助槽、镀镍槽之间循环流动，阳极和阴极同步浸没在位于辅助槽内的镀镍液中，且镀镍液中析出的杂质能够吸附于阴极上。本实用新型通过辅助槽和镀镍液处理单元构成一个独立的电解槽，将镀镍槽中的镀镍液引入辅助槽中实施电解反应以将有机污染物吸附于阴极上，这样一来，有效去除镀镍液中的杂质，优化晶圆表层镀镍质量；同时能够保持长期连续进行晶圆镀镍，从而降低停机更换和补充镀镍液的频率，简化操作，提高生产效率。
晶圆镀镍用辅助装置以及晶圆镀镍设备

[发明专利]半导体晶圆自动化学镍钯金化镀工艺及化镀设备-CN202310530488.8在审
发明人：吴攀 -专利权人：广东芯华镁半导体技术有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23C28/02 文献下载
摘要：本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆自动化学镍钯金化镀工艺及化镀设备，包括以下步骤：(1)采用酸性除油剂对晶圆的表面进行清洗；(2)采用过硫酸钠与硫酸对晶圆的表面进行微蚀处理；(3)利用酸性液体对晶圆的表面进行酸洗；(4)浸锌，使晶圆的表面涂覆有锌金属层；(5)化学镀镍，于所述晶圆的铜层上形成镍层；(6)化学镀钯，于晶圆上的镍层上化学沉淀钯层；(7)化学浸金，于晶圆的铜层上形成镍钯金镀层。(8)超声波冲洗，下料；本发明提供的晶圆化镀工艺中，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性，保证每个晶圆化镀工艺的作业模式相近，产品质量水平稳定，提高生产效率。
半导体自动化学镍钯金化镀工艺设备

[发明专利]一种硅表面二次镀镍前处理方法-CN202211038017.7在审
发明人：金会义;卜路霞;徐晓萍;张淑娟;尹立辉;石军;廉文静 -专利权人：天津农学院
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅晶圆表面二次化学镀镍前处理的方法，包括：先将经过一次镀镍的硅晶圆浸入去离子水中，用超声波清洗仪清洗0.5～2h，然后浸入过氧化氢溶液氧化1～30s，取出后用去离子水浸洗三次就可用于二次化学镀镍本发明使用绿色氧化剂处理一次镀镍硅表面，对表面保护效果良好，生产排污压力减小。
一种表面二次镀镍前处理方法

[实用新型]晶圆焊垫的化学镀镍凸块结构-CN202122648119.8有效
发明人：林功艺 -专利权人：万闳企业有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆焊垫的化学镀镍凸块结构，其中该化学镀镍凸块结构包含多个晶种层，各该晶种层是利用化学镀镍方式在一晶圆上的多个光阻层的多个盲孔内对应形成多个以化学镀镍构成的化学镀镍凸块，有效地解决现有利用化学镀镍的无电解金属方式所产生的凸块会有凸块的大小
晶圆焊垫化学镀镍凸块结构

[发明专利]半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺及电镀设备-CN202310530486.9在审
发明人：吴攀 -专利权人：广东芯华镁半导体技术有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C25D5/12 文献下载
摘要：本发明属于电镀工艺技术领域，尤其涉及一种半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺及电镀设备，包括以下步骤：(1)清理陶瓷基板预处理；(2)镀金；(3)镀钯；(4)镀镍；(5)碱性化学镀镍；(6)酸性化学镀钯；(8)超声波碱洗，(9)腐蚀调整；本发明提供的晶圆化镀工艺中，镍镀层、钯镀层和金镀层按预设顺序依次进行，通过控制每种镀层的电镀成型时间，多次电镀，进而确保晶圆镀层的均匀性的同时，保证每个晶圆化镀工艺的作业模式相近
半导体大功率陶瓷 dpc 自动电镀工艺设备

[发明专利]一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构-CN202210382208.9在审
发明人：徐召明 -专利权人：华天科技（南京）有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明属于封装技术领域，具体公开了一种晶圆级封装方法及晶圆级封装结构。在晶圆上方设置若干铝焊盘；在所有铝焊盘表面镀一层镍金，形成若干镍金层；将晶圆浸泡在液体助焊剂中，直至所有镍金层表面蘸满助焊剂后取出；将晶圆放入锡炉中，直至每个镍金层上形成一个互联的锡凸点后取出；将晶圆表面的助焊剂洗净；在洗净晶圆的锡凸点一面贴一层胶膜，然后进行塑封料填充。本发明通过先在铝焊盘上镀镍金，再包裹助焊剂，然后放入锡炉生成锡凸点，镍金层外的界面不会浸到锡，替代了复杂锡凸点制作工艺流程。晶圆浸锡完成后，整片晶圆进行助焊剂清洗，然后烘干进行晶圆塑封，漏出锡层焊点，替代传统锡凸点制作流程，提高了生产效率。
一种晶圆级封装方法结构

[实用新型]适用于GPP晶圆镀镍液的循环装置-CN202320576036.9有效
发明人：叶海峰;邱益东;张纪稳;蔡永军;金优;陈岩;王磊;唐琨 -专利权人：江苏环鑫半导体有限公司;ＴＣＬ环鑫半导体（天津）有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C25D17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于GPP晶圆镀镍液的循环装置，包括：镀镍槽，适用于为GPP晶圆提供镀镍环境，镀镍槽包括进液口和回液口；补液槽，一端与进液口连接用以向镀镍槽输送配备好的溶液，另一端与回液口连接接收镀镍槽的回流液；以及配液组件，与补液槽的另一端连接，配液组件被构造成向补液槽输入预设成分及温度的补充液，通过补液槽向镀镍槽内随时补入反应溶液，配液组件在补液槽完成配液，能够解决相关技术中镀镍槽体积小容置反应溶液少，导致的在化学镀镍过程中有效成分逐渐减少，化学镀镍反应速度逐渐降低、镀层品质下降的缺陷。
适用于 gpp 晶圆镀镍液循环装置

[发明专利]一种应用于IGBT功率器件领域晶圆铝铜基材的化学镍金工艺-CN202210154007.3有效
发明人：姚吉豪;洪学平;刘可 -专利权人：珠海市创智芯科技有限公司
申请日： 2022-02-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C23C18/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于IGBT功率器件领域晶圆铝铜基材的化学镍金工艺，该发明包括工艺流程、活化液配方、化学镍配方和化学金配方等内容。工艺流程为除油、水洗、微蚀、水洗、预浸、活化、水洗、真空水洗、干冰喷洗、电镀薄铜、水洗、化学镀镍、水洗、化学镀金；活化液配方组分为钌盐、铂盐、浓硫酸、表面活性剂、稳定剂、络合剂、分散剂；镀镍配方组分为镍盐该发明可以实现优异的IGBT功率器件领域晶圆铝铜基材的化学镀镍金工艺，包括稳定性优异、光亮平整、无漏镀渗镀、抗氧化性能好且可焊性好等特性。
一种应用于 igbt 功率器件领域晶圆铝铜基材化学金工

[发明专利]一种在半导体晶圆上电镀导电材质的方法-CN202110145839.4有效
发明人：肖笛 -专利权人：无锡华友微电子有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体晶圆上电镀导电材质的方法，涉及半导体制造工艺技术领域，包括在晶圆基体上形成导电镀层；上述导电镀层包括表面的电镀银镀层，和电镀银镀层与晶圆基体之间的钛镍银镀层；上述镍钛银镀层采用真空蒸镀技术制备，电镀银镀层采用挂镀技术制备；上述镍钛银镀层的厚度为2.1‑3.5μm，电镀银镀层的厚度为25‑35μm。本发明提供的电镀导电材质的方法克服以往技术中镀层厚度不均匀的不足，能提升镀液分散能力，提高电镀银镀层的厚度均匀性和硬度，增强镀层防变色能力和耐磨耗性能，增益导电性和延长机械寿命，加工过程能力指数高；导电材质在实际生产中还能包括但不限于金
一种半导体晶圆上电镀导电材质方法

[发明专利]一种针对湿法去胶后的晶圆的处理方法-CN202310082178.4在审
发明人：赵晗阳;杨云春;赵博 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种针对湿法去胶后的晶圆的处理方法。方法，包括：通过利用第一腐蚀溶液对镀镍晶圆的种子层进行第一清洗操作，其中，第一腐蚀溶液的溶质与种子层的材料具有对应关系；利用第二腐蚀溶液对清洗后的种子层进行第二清洗操作，以获得第一清洗层，其中，清洗后的种子层中包括镍的氧化物，第二腐蚀溶液是弱酸溶液，实现了利用第一腐蚀溶液、第二腐蚀溶液对金属种子层进行去除，使得经湿法去光胶后的镀镍晶圆可经过后处理满足植球工艺的需求，进而提高了植球成功率以及植球强度。
一种针对湿法去胶后处理方法

[发明专利]一种磁场作用下制备化学复合镀晶须增强镍基镀层的方法-CN200810046944.7无效
发明人：华林;金亚旭;许小芳;彭潜 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2008-02-28 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： C23C18/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种镍基化学复合镀层的制备方法。一种磁场作用下制备化学复合镀晶须增强镍基镀层的方法，其特征在于它包括如下步骤：1)镀件预处理；2)钛酸钾晶须预处理；3)含有经预处理过的钛酸钾晶须的镍基化学复合镀液的制备；4)磁场作用下化学复合镀镍：将所得的含有经预处理过的钛酸钾晶须的镍基化学复合镀液用稀硫酸或氢氧化钠溶液调节pH值为4.0～5.0，在交变磁场和机械搅拌条件下，按照一般化学镀的操作方法，将镀件于恒温施镀1.0～3.0小时，温度为85～95℃，所施加的交变磁场的励磁电压为30～70V，频率为10Hz；获得化学复合镀晶须增强镍基镀层
一种磁场作用制备化学复合镀晶须增强镀层方法

[发明专利]溅镀用晶圆夹表面处理工艺-CN200910025057.6无效
发明人：林尚涛 -专利权人：颀中科技（苏州）有限公司
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅镀用晶圆夹表面处理工艺，包括去除溅镀材料、喷砂、熔射处理、清洗、干燥等步骤。该处理工艺在将晶圆夹表面的溅镀材料去除后，又对晶圆夹表面进行了喷砂和熔射处理，使晶圆夹表面上不仅有一定的粗糙度，其上还附有一层铝材料，从而可以有效的增加晶圆夹与溅镀材料之间的附着力。因此可有效的延长晶圆夹的使用周期，从而可以降低溅镀用晶圆夹的清洗费用，提高生产效率，降低生产成本。
溅镀用晶圆夹表面处理工艺

[发明专利]晶圆焊垫的化镀镍凸块结构及其制造方法-CN201210232908.6有效
发明人：宋大仑;朱贵武;赖东昇 -专利权人：讯忆科技股份有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种晶圆焊垫的化镀镍凸块结构及其制造方法，包括：一晶圆，包含一表面、多个焊垫设在表面及一保护层形成于表面上并设有多个开口供对应显露多个焊垫；多个触媒层，利用凸块下金属化或锌化处理以在多个焊垫的表面上各形成一触媒层；多个化镀镍凸块，在设有光阻的状态下，利用无电解镍方式以在触媒层上各形成一预设高度以无电解镍构成的凸块；及多个外护层，利用选自化金制作过程、化银制作过程的族群中两个分开制作过程或同一制作过程，以在多个凸块的顶面及环侧面分开地或同时地各形成一外护层以完全包覆化镀镍凸块的外露表面；由此改良并降低化镀镍凸块的顶面硬度，避免化镀镍凸块的侧壁容易氧化的问题或因电子迁移而易造成凸块之间短路的缺点。
晶圆焊垫化镀镍凸块结构及其制造方法

[实用新型]晶圆焊垫的化镀镍凸块结构-CN201220325325.3有效
发明人：宋大仑;朱贵武;赖东昇 -专利权人：讯忆科技股份有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2017-08-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种晶圆焊垫的化镀镍凸块结构，包括一晶圆，包含一表面、多个焊垫设在表面及一保护层形成于表面上并设有多个开口供对应显露多个焊垫；多个触媒层，利用凸块下金属化或锌化处理以在多个焊垫的表面上各形成一触媒层；多个化镀镍凸块，在设有光阻的状态下，利用无电解镍方式以在触媒层上各形成一预设高度以无电解镍构成的凸块；及多个外护层，利用选自化金制作过程、化银制作过程的族群中两个分开制作过程或同一制作过程，以在多个凸块的顶面及环侧面分开地或同时地各形成一外护层以完全包覆化镀镍凸块的外露表面；由此改良并降低化镀镍凸块的顶面硬度，避免化镀镍凸块的侧壁容易氧化的问题或因电子迁移而易造成凸块之间短路的缺点。
晶圆焊垫化镀镍凸块结构

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