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[实用新型]一种用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置-CN202121248613.9有效
发明人：巩铁建;陶为银;蔡正道;张伟 -专利权人：河南通用智能装备有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置，涉及半导体装置技术领域，具体为一种用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置，包括底座和纵向柱，连接槽的内顶壁固定连接有第二弹簧。该用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置，通过支撑环和支撑块的设置，使该用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置具备了支撑膜边缘处的效果，通过第二弹簧和纵向柱的配合设置，在使用的过程中可以使压膜环压紧膜的边缘处，达到了揭膜去边效果好的目的，通过限位板的设置，使该用于半自动晶圆贴膜设备的晶圆揭膜去边装置具备了防止切割晶圆的效果，通过第一弹簧和第一连接盘的配合设置，达到了保护晶圆的目的。
一种用于半自动晶圆贴膜设备晶圆揭膜去边装置

[实用新型]一种薄膜检测装置以及贴膜与揭膜机台-CN202123327920.9有效
发明人：邵辉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜检测装置以及贴膜与揭膜机台，所述贴膜与揭膜机台包括晶圆传送盒和机台门，所述机台门设置在所述晶圆传送盒的晶圆取放口处且能够沿第一方向往返滑动，所述第一方向垂直于所述晶圆传送盒内待检测晶圆的待检测表面；所述薄膜检测装置包括：检测发射单元、检测接收单元和终端处理器；其中，所述机台门带动所述检测发射单元和所述检测接收单元沿所述第一方向对所述晶圆传送盒内的所述待检测晶圆进行检测；所述终端处理器接收信号，并根据所述信号与预设值，检测所述待检测晶圆是否覆盖薄膜。本实用新型提供的薄膜检测装置以及贴膜与揭膜机台解决了因机台、人员等问题引起的工艺流程卡签署错误问题，从而减少了晶圆报废频率。
一种薄膜检测装置以及机台

[发明专利]减薄工艺的揭膜方法-CN201810024846.7有效
发明人：郁新举 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种减薄工艺的揭膜方法，包括步骤：步骤一、提供晶圆，晶圆的正面结构会形成台阶。步骤二、在晶圆的正面贴上正面保护膜，贴膜后在台阶的侧面和正面保护膜之间会形成气泡。步骤三、对晶圆进行背面减薄。步骤四、将减薄后的晶圆放进一个密封的腔体内并抽真空；利用台阶侧面的气泡和腔体的真空环境形成的压力差将正面保护膜的部分区域剥离以减少粘性力。步骤五、在正面保护膜的揭除机器中将粘性力减小后的正面保护膜揭除。本发明能降低揭膜过程中的碎片率。
工艺方法

[发明专利]一种晶圆贴揭膜方法-CN202211480343.3在审
发明人：陈育锋;李明芬;梁志忠 -专利权人：安徽积芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆贴揭膜方法，利用静电的吸附原理特性，无需使用人工及压平器具以外力压迫抚平晶圆，可以使晶圆是在自然的环境中，由晶圆的圆周中心逐步向外平稳且逐步的摊平无需外力干预，所以晶圆的贴或揭膜的过程中晶圆的安全系数可以大大的提高；利用温度加热器的提高温度，促使晶圆结构稍微柔软，如此能降低晶圆应力的强度使其柔软，晶圆在静电吸附的抚平过程中，晶圆会更加的柔和与安全，避免晶圆破碎，还能够使有黏性的胶膜黏贴在晶圆上更加的牢固，并降低或减少黏性胶膜与晶圆之间的空气残留所形成的气泡
一种晶圆贴揭膜方法

[实用新型]一种减少晶圆损伤的揭膜装置-CN202222342693.5有效
发明人：朱焱均;王尧林;燕强;刘康华;赵大国;李雨庭 -专利权人：乂易半导体科技（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种减少晶圆损伤的揭膜装置，涉及半导体封装技术领域，该揭膜装置包括用于为晶圆揭膜的揭膜组件和用于承载晶圆的承载台，揭膜组件可左右滑动地置于承载台的上方，还包括用于抽吸承载台上颗粒物的真空吸尘组件本实用新型的揭膜装置增加了真空吸尘组件，滑动过程中，其能够吸除承载台上的颗粒物，揭膜组件在揭膜过程中，晶圆由于受到真空负压力以及向下压力的作用，颗粒物与晶圆直接接触，避免了造成颗粒物对晶圆背面的损伤，降低晶圆的报废率
一种减少损伤装置

[实用新型]揭膜治具-CN202320435801.5有效
发明人：王世燕;闫世亮;刘盛华;张雷;李彦霖 -专利权人：上海北芯集成电路技术有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种揭膜治具，用于晶圆的揭膜工艺，包含：第一定位模块和揭膜模块。其中，晶圆固定在第一定位模块上；揭膜模块将晶圆上的薄膜揭除。本实用新型采用半自动化的手段，大大提高了揭膜效率，降低了生产成本。
揭膜治具

[实用新型]一种新型揭膜系统-CN202022542723.8有效
发明人：梅雪军;钱伟 -专利权人：海太半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型揭膜系统，包括晶圆、保护膜、揭膜胶带、滚轮，所述保护膜一面贴合在晶圆上，所述揭膜胶带与保护膜的另一面通过揭膜加热头粘合，所述滚轮设置在晶圆上方位于揭膜胶带上方，所述揭膜加热头为椭圆形，尺寸为50mm*4mm，所述晶圆上方设有摄像头，揭膜加热头尺寸变更后，揭膜无脱落现象，摄像头对指定区域进行图像成像，实时监控揭膜状态，操作人员可以直观的观察膜的状态，解决了难判定膜的位置以及状态的问题
一种新型系统

[发明专利]一种晶圆刻蚀清洗设备及方法-CN202211513686.5在审
发明人：方铭国;张少波 -专利权人：深圳泰研半导体装备有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆刻蚀的技术领域，特别是涉及晶圆背面减薄金属化工艺的一种晶圆刻蚀清洗设备及方法，其提高镀膜膜层粘附性，减少晶圆变形量；包括以下步骤：步骤1、对晶圆无需金属镀膜的正面进行贴膜保护；步骤2、对晶圆需要金属镀膜的背面进行研磨；步骤3、通过真空等离子对研磨后的晶圆背面进行刻蚀，使晶圆背面表面粗糙化，同时降低应力；步骤4、对刻蚀后的晶圆进行清洗；步骤5、将清洗后的晶面正面保护膜揭除；步骤6、对刻蚀清洗后的晶圆背面进行金属镀膜。
一种刻蚀清洗设备方法

[发明专利]一种晶圆片的揭膜装置-CN202310887001.1在审
发明人：岳希宝;刘娜;王冬冬;杨杰 -专利权人：合肥大网格技术合伙企业（有限合伙）
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆片的揭膜装置，涉及晶圆片生产设备技术领域。本发明包括真空箱；真空箱的内部装设有旋转机构以及水平设置的移位机构；旋转机构上连接有承载机构；旋转机构上连接有与承载机构相对应的揭膜机构。本发明通过承载机构将贴附有保护膜的晶圆片定位在旋转机构上，当真空箱的内部处于真空环境后，利用气泡和真空箱内的真空环境之间的压力差来将将保护膜的部分区域剥离，然后利用旋转机构经承载机构带动晶圆片高速旋转，促使保护膜在离心力的作用下进一步从晶圆片上剥离开，然后在旋转机构带动晶圆片停止旋转后利用揭膜机构将保护膜从晶圆片上揭下来，提高了揭膜效率。
一种晶圆片装置

[发明专利]晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件-CN202210064011.0在审
发明人：杨凌辉;黎哲;邓方圆;吴荣成;刘晗 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件，晶圆单面化学镀方法包括：提供一侧形成Taiko环的晶圆；将两个所述晶圆的Taiko环端面相对并紧密相连；将所述紧密相连的两个所述晶圆进行化学镀处理；分离所述化学镀处理后的两个所述晶圆。利用该单面化学镀方法可进行采用Taiko减薄工艺减薄后的晶圆单面化学镀处理，省去了现有化学镀工艺前后的贴膜和揭膜工序，且化学镀时可两片晶圆为一组同时作业，有效提高了化学镀的作业效率，也避免了原有化学镀贴膜工艺漏液的发生
单面化学方法半导体器件制造

[发明专利]晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件-CN202210407375.4在审
发明人：杨凌辉;黎哲;邓方圆;吴荣成;刘晗 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆单面化学镀方法、半导体器件制造方法及半导体器件，晶圆单面化学镀方法包括：提供一侧形成Taiko环的晶圆；提供刚性支撑板；将Taiko环的端面与刚性支撑板紧密相连；将紧密相连的晶圆以及刚性支撑板进行化学镀处理；分离化学镀处理后的晶圆与刚性支撑板。利用该单面化学镀方法可进行采用Taiko减薄工艺减薄后的晶圆单面化学镀处理，省去了现有化学镀工艺前后的贴膜和揭膜工序，避免了原有化学镀贴膜工艺漏液的发生；采用刚性支撑板与晶圆的Taiko环的端面进行粘接，有助于减小单面化学镀时晶圆的翘曲度，可以显著降低晶圆单面化学镀后片内色差，对产品的外观及应用的可靠性都有所提升。
单面化学方法半导体器件制造

[实用新型]一种晶圆片揭膜辅助工具-CN202320179533.5有效
发明人：陈育鑫;闵源 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提出了一种晶圆片揭膜辅助工具，包括载台、UV灯组件、机械臂和切割刀；载台包括透明桌板，晶圆片的正投影落入透明桌板内，透明桌板设置有放置待揭膜的晶圆片的承载区；UV灯组件设置于承载区的下方，用于发出UV光以降低膜的粘性；机械臂可移动至承载区的上方；切割刀设置于机械臂朝向承载区的一端，且可被机械臂传动至承载区的上方并对晶圆片的膜进行切割。本申请将UV光照和切割组件整合于一台工具，机械化标准度较高，并且可以降低划伤晶圆片而导致晶圆片报废的风险。
一种晶圆片揭膜辅助工具

[发明专利]圆片研磨切割方法-CN200610116671.X无效
发明人：许海渐 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种圆片研磨切割方法，具体步骤是：1.研磨前圆片贴膜，2.圆片切割前贴片；3.贴片作业后揭膜，4.揭膜后圆片在切割机上进行作业。本发明取消了研磨作业后揭膜的动作，直接进行切割前贴片，之后进行揭膜，杜绝了研磨后圆片裸露的机会，有效避免划伤、碎裂的发生，因为膜的韧性保证了圆片在切割前贴片不会产生压伤，即使圆片碎裂也能保持圆片布局完好
研磨切割方法

[发明专利]适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置-CN201010517200.6有效
发明人：张明星;周曙国 -专利权人：上海技美电子科技有限公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，在贴膜时，提供一压力将晶圆推向薄膜，使薄膜与晶圆粘贴在一起。本发明中的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置，采用对晶圆施加压力，使其贴向薄膜。晶圆受到的压力可以将晶圆与薄膜牢固粘贴在一起。在贴膜时，薄膜可以为晶圆提供支撑力，防止晶圆变形过大而破裂。因此，利用本发明方法和装置贴膜，可有效避免超薄晶圆破裂的问题。
适于超薄晶圆贴膜方法装置

[发明专利]改善晶圆翘曲度的方法-CN201210552256.4有效
发明人：程晋广 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善晶圆翘曲度的方法，包括如下步骤：准备具有不同热胀系数的贴膜材料；对翘曲晶圆进行曲率测试；根据晶圆的翘曲度选择贴膜材料及贴膜环境温度；将贴膜环境、贴膜材料及晶圆的温度升高到贴膜环境温度；在贴膜环境温度下，将所选贴膜材料贴到晶圆表面上；将贴膜后的晶圆冷却至室温；在晶圆上完成器件工艺；器件工艺完成后将贴膜材料去除。本发明能改善晶圆翘曲度，降低晶圆翘曲器件工艺的不利影响，且工艺简单、成本低廉。
改善晶圆翘曲度方法

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