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[发明专利]晶体生长炉和晶体生产工艺-CN202010948862.2在审
发明人：陈翼;刘奇;黄末;刘林艳;高海棠 -专利权人：徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长炉和晶体生产工艺，晶体生长炉包括炉体、坩埚组件、加热组件和隔热组件，坩埚组件包括第一坩埚、第二坩埚和第三坩埚，第一腔室适于构造成原料下料区，第三腔室适于构造成晶体生长区，加热组件包括第一加热器和第二加热器根据本发明的晶体生长炉，有利于生产无缺陷晶体。
晶体生长晶体生产工艺

[实用新型]四槽循环流动晶体生长装置-CN94240897.7无效
发明人：鲁智宽;高樟寿;李义平 -专利权人：山东大学
申请日： 1994-07-04 - 公布日： 1995-05-31 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：四槽循环流动晶体生长装置。本实用新型属于晶体生长技术领域。本实用新型的主要技术特征在原来由生长槽、溶解槽、过热槽组成的三槽循环流动晶体生长装置的基础上又增加了过热平衡槽构成四槽循环流动晶体生长装置，它解决了目前三槽循环装置存在的溶液过热不充分，杂质进入生长槽，影响晶体生长的问题。本实用新型由于采用四槽循环，在晶体生长过程中可更换部件，滤去溶液中不溶杂质，消除溶液中的微生物，而不影响晶体生长，用较小体积生长容器生长出大晶体。
循环流动晶体生长装置

[实用新型]碳化硅晶体生长装置及系统-CN202222145245.6有效
发明人：周荣国;邹路;刘鹏 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域，在坩埚组件内设置有筒状的过滤组件，过滤组件的外壁与坩埚组件的内壁之间形成有用于放置碳化硅原料的环形原料腔；本实用新型中环形原料腔靠近坩埚组件内壁设置，保证原料区域温度的均匀性，避免碳化硅原料在传质过程中产生重结晶；而且过滤组件能对石墨化颗粒进行阻挡，减少碳包裹物的产生；导流环的材质为石墨，且其下表面形成有平面阻挡区，在碳化硅晶体生长初期，富硅气相组分与导流环下表面接触时本实用新型还公开一种碳化硅晶体生长系统，包括加热炉以及上述的碳化硅晶体生长装置。
碳化硅晶体生长装置系统

[发明专利]一种提高KDP晶体生长速度及利用率的装置及其生长方法-CN202210668338.9有效
发明人：张娜娜;柴向旭;黄宝美 -专利权人：绵阳师范学院
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高KDP晶体生长速度及利用率的装置及其生长方法，本发明将KDP晶体常规快速生长及传统生长方法有机结合，提出了一种先横向快速生长后纵向传统生长的复合式生长方式，生长过程中通过精细控制过饱和度的方式实现快速生长向传统生长的转换；该生长方式充分发挥了常规快速生长和传统生长的优势，通过精细控制过饱和度的方式实现快速生长向传统生长的平稳转换，可以大幅缩短大尺寸优质KDP单晶的生长周期，减少“帽区”和柱锥交接区，提高晶体生长质量和利用率
一种提高 kdp 晶体生长速度利用率装置及其生长方法

[实用新型]一种生产大尺寸TGG、GGG晶体的双壁坩埚结构-CN201820679897.9有效
发明人：罗毅 -专利权人：安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及晶体制造技术领域，尤其涉及一种生产大尺寸TGG、GGG晶体的双壁坩埚结构，包括双壁坩埚，其材质为铱，包括外层坩埚和内层坩埚，内层坩埚通过支撑架固定于外层坩埚内，内层坩埚与外层坩埚之间形成空腔本实用新型采用双壁坩埚，该双壁坩埚采用外层坩埚和内层坩埚相结合，并在结合处形成空腔，空腔即形成加料区以及熔化区。在拉制TGG、GGG晶体时。依据晶体生长情况的原料溶液的损耗，通过空腔位置持续添加原料达到初始状态时的液面高度，这样就实现了一边加料一边生长晶体，一方面解决了现有晶体生长中由于液面下降，导致的晶体的传热性能改变而带来的晶体生长变形，螺旋等不良；另一方面有益生长出等径较长的TGG/GGG晶体。
坩埚外层坩埚内层双壁晶体生长晶体的空腔本实用新型坩埚结构支撑架固定传热性能空腔位置液面下降原料溶液加料拉制加料区结合处熔化区无底面生长等径底面液面变形生产制造

[发明专利]具有非对称源极/漏极的半导体器件-CN201610262462.X有效
发明人：郑钟基;姜明一;金伦楷;李宽钦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。
具有对称半导体器件

[发明专利]具有非对称源极/漏极的半导体器件-CN201710281354.1有效
发明人：郑钟基;姜明一;金伦楷;李宽钦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。
具有对称半导体器件

[发明专利]以碲化铋为基的热电材料的制备方法-CN201410768207.3在审
发明人：吴燕青;贺贤汉;荒木暉 -专利权人：上海申和热磁电子有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明以碲化铋为基的热电材料的制备方法，包括如下步骤：第一步，将原材料在真空气氛下合成；第二步，将合成所获得的多晶体封接在安瓿瓶中；第三步，将安瓿瓶放入晶体生长装置内，旋转安瓿瓶，并对晶体生长装置进行抽气本发明以碲化铋为基的热电材料的制备方法采用安瓿瓶真空绝热、Bi₂Te₃合金材料旋转的方法进行晶体区熔生长，有效地防止了因周向传热不均，生长界面发生倾斜，使装有Bi₂Te₃合金材料的安瓿瓶在晶体生长过程中始终处在真空状态下，阻断了晶体材料表面与环境间对流方式的热交换，使晶体生长地过程中热流的传递方向得到了有效的控制，热流沿晶棒生长轴方向导出，生长界面更趋于平坦，有效地抑制斜向结晶的现象。
碲化铋热电材料制备方法

[发明专利]含有晶体的材料-CN98813521.3无效
发明人： G·J·达维斯;R·A·查普曼;A·斯特瓦特;L·K·赫德格斯;M·M·阿迪亚 -专利权人：德比尔斯工业钻石部股份有限公司
申请日： 1998-12-10 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种制备在基体中包括晶体块(优选为金刚石晶体)的结合凝聚材料的方法。步骤包括：提供所需生长类型的晶体源，它们基本上没有宏观小平面的表面；通过使源晶体与适宜的溶剂/催化剂进行接触得到反应物料；将反应物料置于一高温/高压装置的反应区中适宜于晶体生长的高温和高压的条件下制得所述材料并从该反应区中移出，选择晶体生长的条件使得源晶体转化为发展出低米勒指数的宏观小平面的晶体。
含有晶体材料

[发明专利]一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置-CN202210124257.2有效
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置。该模拟晶体的生长方法包括：建立晶体生长计算流体力学模型，其中，所述晶体生长计算流体力学模型的虚拟晶体生长环境模拟实际晶体生长环境；虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整；虚拟晶体每生长第一预设时间，将调整之后的长晶工艺参数作为所述虚拟晶体继续生长的长晶工艺参数。本发明实施例提供的技术方案实现了一种可以准确模拟晶体生长全程的情况，并且对于实际晶体生长的全过程的长晶工艺参数具有指导价值的模拟晶体的生长方法。
一种模拟晶体生长方法装置

[发明专利]一种大尺寸碳化硅晶体的生长装置及生长方法-CN202211112618.8有效
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种大尺寸碳化硅晶体的生长装置及生长方法，所述生长装置包括由内而外依次嵌套设置的晶体生长单元、加热单元、隔热箱和腔室；所述加热单元对晶体生长单元的顶部、外周和底部进行加热；所述晶体生长单元的底部设置有旋转驱动组件所述生长方法包括控制加热单元的功率以达到下述条件：（1）晶体生长单元内部空间的径向温度梯度小于第一设定值；（2）晶体生长单元内部未充满碳化硅粉料空间的生长轴向温度梯度等于第二设定值；（3）晶体生长单元内部已充满碳化硅粉料空间的粉料轴向温度梯度等于第三设定值本发明通过改进生长装置的结构及生长条件，精确调控了晶体生长的温度场，提高了大尺寸碳化硅晶体生长的质量、效率和成品率。
一种尺寸碳化硅晶体生长装置方法

[发明专利]KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法-CN201810620203.9有效
发明人：齐红基;陈端阳;邵建达;谢晓义;范永涛;王斌;王虎 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：一种KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，包括晶体生长槽、位于晶体生长槽内部的载晶架，载晶架通过载晶架连杆与位于晶体生长槽外部的旋转电机相连，晶体生长槽的侧壁开有观察窗，载晶架连杆上安装有编码器该用于KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，可以实时准确得到晶体的尺寸、生长速度以及过饱和度，有利于科研人员掌握KDP类晶体的生长规律，优化KDP类晶体生长工艺和提高晶体质量，助力ICF装置的顺利完工
kdp 晶体生长参数实时测量系统及其测量方法

[发明专利]一种自动生长低温敏感人工晶体材料加热功率控制方法-CN202210998971.4在审
发明人：陈川贵;何晔;张晟;白涛;李金;于光波 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动生长低温敏感人工晶体材料加热功率控制方法，先采集晶体生长速度，计算每个采样时刻晶体生长加速度；如果晶体生长加速度出现拐点，则判断是否同时满足以下两个条件：a、距离上一次加热功率调控时间达到加热功率调控的最短时间；b、晶体生长速度大于设定值；如是，则将加热功率调控信号输出给晶体生长加热单元，晶体生长加热单元执行新的加热功率。本方法不但能够实现对温度敏感又滞后晶体的自动生长，而且生长出来的晶体形状可控，晶体内部品质一致性较好。
一种自动生长低温敏感人工晶体材料加热功率控制方法

[实用新型]单晶炉-CN202221207675.X有效
发明人：高伟杰;张正;杨政;刘霞 -专利权人：双良硅材料(包头)有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉，包括炉体、X射线机头组件及与X射线机头组件连接反馈晶体生长状态的显示装置，X射线机头组件用于监控炉体内晶体生长状态。在本申请提供的单晶炉中，通过X射线机头组件监控晶体生长状态，通过显示装置及时得知晶体生长状态反馈，进而及时作出补偿动作，遏制了晶体生长中的位错、晶界等有害缺陷生长，进而提高了晶体生长质量。
单晶炉

[实用新型]一种同时精确控制多个氮化铝晶体生长的装置-CN202120486832.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨化兴软控科技有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：一种同时精确控制多个氮化铝晶体生长的装置，属于晶体生长领域。目的是为了解决晶体生长的方式产量较低，没法做到热场内各温区精确控制的问题，本实用新型实现同一炉次，多个晶体同时生长，并保证了晶体生长的温梯条件，结构简单、设计巧妙、操作方便、成本低廉，适于推广使用。
一种同时精确控制氮化晶体生长装置

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