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[发明专利]成像元件、成像元件的制造方法以及电子设备-CN201780037908.1有效
发明人： 佐藤尚之;大津枝理子 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种能够抑制光入射在电荷保持部上的背面照射型成像元件、成像元件的制造方法以及电子设备。所述成像元件设有：光电转换部；电荷保持部；半导体基板；配线层；绝缘膜层；第一遮光膜；和第二遮光膜。所述绝缘膜层、所述第一遮光膜和所述配线层从所述半导体基板的第二表面侧处按顺序层叠在所述第二表面上，所述第二表面是光入射到其上的第一表面的相对侧。所述第二遮光膜设有：第一遮光部，所述第一遮光部配置在所述光电转换部和所述电荷保持部之间并从所述半导体基板的第一表面延伸到所述半导体基板的中间位置；第二遮光部，所述第二遮光部配置在所述光电转换部和所述电荷保持部之间并贯穿所述半导体基板；和第三遮光部，所述第三遮光部覆盖所述半导体基板的第一表面的一部分。例如，本技术可以适用于CMOS图像传感器。
成像元件制造方法以及电子设备

[发明专利]固态摄像元件、制造方法和电子装置-CN201680040629.6有效
发明人： 佐藤尚之;松本良辅;山元纯平 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及能够有效地并排设置贯穿电极和包围固态摄像元件的各个像素部的沟槽结构的固态摄像元件、制造方法和电子装置。根据本发明的第一方面的固态摄像元件包括形成在半导体基板的各个像素部中的光电转换部、由在所述半导体基板的深度方向上形成的绝缘膜的壁限定并包围各个像素部的沟槽结构以及在与沟槽结构重叠的位置处形成为贯穿半导体基板的贯穿电极。本发明例如能够应用于后侧照射型CMOS摄像元件。
固态摄像元件制造方法电子装置

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110694615.9有效
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110693434.4在审
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110693437.8在审
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110694549.5在审
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110694583.2在审
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN202110694618.2在审
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置及电子装置-CN201680011099.2有效
发明人：田舎中博士;秋山健太郎;坂野赖人;大井上昂志;萩本贤哉;松村勇佑;佐藤尚之;宫波勇树;上田洋一;松本良辅 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-02-12 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本技术涉及能够减少噪声的固态图像感测装置及电子装置。所述固态图像感测装置包括：光电转换单元；电荷保持单元，用于保持从光电转换单元转移的电荷；第一转移晶体管，用于将来自光电转换单元的电荷转移到电荷保持单元；和遮光部，包括第一遮光部和第二遮光部，其中第一遮光部布置在与作为光电转换单元的光接收表面的第一表面相对的第二表面和电荷保持单元之间并覆盖第二表面，且形成有第一开口，以及第二遮光部包围光电转换单元的侧表面。本技术适用于例如背面照射型固态图像感测装置。
固态成像装置电子

[发明专利]固态成像装置和电子设备-CN202011284077.8在审
发明人：桝田佳明;佐藤尚之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固体成像装置和电子设备。其中，固态成像装置可包括：普通像素，其生成像素信号；以及相位差检测像素，其生成用于像平面相位差AF的相位差信号，其中，所述普通像素和所述相位差检测像素均包括光电转换层和将入射光聚集至所述光电转换层上的透镜，所述相位差检测像素包括具有开口部的遮光层，所述开口部具有相对于所述透镜的光轴偏离的开口，在所述遮光层上形成有防反射部，以用于防止由所述透镜聚集的所述入射光的反射，并且所述防反射部是锥形部，在所述锥形部中，所述遮光层沿朝向所述开口部的方向变薄。
固态成像装置电子设备

[发明专利]固态成像装置和电子设备-CN202011284427.0在审
发明人：桝田佳明;佐藤尚之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及固态成像装置和电子设备。其中，固态成像装置可包括：普通像素，其生成像素信号；以及相位差检测像素，其生成用于像平面相位差AF的相位差信号，其中，所述普通像素和所述相位差检测像素均包括光电转换层和将入射光聚集至所述光电转换层上的透镜，所述相位差检测像素包括具有开口部的遮光层，所述开口部具有相对于所述透镜的光轴偏离的开口，在所述遮光层上形成有防反射部，以用于防止由所述透镜聚集的所述入射光的反射，并且所述遮光层薄于形成在OPB区域中的遮光膜。
固态成像装置电子设备

[发明专利]固态成像装置和电子设备-CN201580001823.9有效
发明人：桝田佳明;佐藤尚之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种被设计成减少每个相位差检测像素的遮光层的侧壁面处的入射光的反射的固态成像装置以及一种电子设备。根据本发明的一个方面的固态成像装置包括：普通像素，其生成像素信号；以及相位差检测像素，其生成用于像平面相位差AF的相位差信号。在该固态成像装置中，普通像素以及相位差检测像素均包括光电转换层和将入射光聚集至光电转换层上的透镜；相位差检测像素包括具有开口部的遮光层，所述开口部具有相对于透镜的光轴偏离的开口；并且在遮光层上形成防止由透镜聚集的入射光的反射的防反射部。本发明可以应用于背面照射型CIS。
固态成像装置电子设备

[发明专利]固态摄像装置、其制造方法和电子设备-CN201580023505.2有效
发明人： 佐藤尚之 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2015-05-01 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够进一步降低反射率的固态摄像装置、制造该固态摄像装置的方法以及电子设备。固态摄像装置设置有半导体基板和防反射结构，在半导体基板中针对多个像素中的每个像素形成有光电转换单元，防反射结构是设置在光入射面侧上且形成有不同高度的多种类型的突起的结构，光从光入射面侧入射在半导体基板上。通过执行利用不同的处理条件以多个阶段挖掘半导体基板的光入射面的处理来形成防反射结构。在防反射结构中，在预定高度的第一突起之间形成有比第一突起低的第二突起。例如，本发明可应用于CMOS图像传感器。
固态摄像装置制造方法电子设备

[发明专利]固态摄像元件、固态摄像元件的制造方法以及电子设备-CN201880062598.3在审
发明人： 佐藤尚之 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种固态摄像元件包括：光电转换部；电荷保持部，构造成保持由光电转换部产生的电荷；半导体基板，形成有光电转换部和电荷保持部；布线层；绝缘膜层；第一遮光膜；第二遮光膜。在半导体基板的处于入射光的第一面的相对侧的第二面上，从靠近第二面的一侧开始层叠绝缘膜层、第一遮光膜和布线层。第一遮光膜设置成：至少覆盖电荷保持部的形成区域，在与第二遮光膜的形成位置对应的部分中具有在半导体基板侧突出的突出部。第二遮光膜具有：第一遮光部，放置在光电转换部与电荷保持部之间，并从半导体基板的第一面延伸至部分穿过半导体基板；第二遮光部，放置在光电转换部与电荷保持部之间，构造成比第一遮光部长；第三遮光部，覆盖第一面的一部分。
固态摄像元件制造方法以及电子设备

[发明专利]固体摄像器件、电子设备和制造方法-CN201480029724.7有效
发明人： 佐藤尚之 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及能够进一步提高转换效率的固体摄像器件、电子设备和制造方法。所述固体摄像器件包括这样的像素：在所述像素中，利用元件隔离区域来实现用于使构成所述像素的元件相互隔离的元件隔离。在所述固体摄像器件中，所述元件隔离区域包括具有沟槽结构的第一沟槽元件隔离区域和具有沟槽结构的第二沟槽元件隔离区域，在FD部与放大晶体管之间的区域中形成有所述第一沟槽元件隔离区域，在除了所述FD部与所述放大晶体管之间的所述区域以外的区域中形成有所述第二沟槽元件隔离区域。而且，所述第一沟槽元件隔离区域被形成为比所述第二沟槽元件隔离区域深。本技术能够适用于例如CMOS图像传感器。
固体摄像器件电子设备制造方法

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