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[发明专利]互补金属氧化物半导体结构及其制作方法-CN200710167205.9有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-11-01 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：该CMOS结构包括位于使用半导体基板内的第一有源区的第一器件，其中第一有源区是平坦的并具有第一晶体学取向。该CMOS结构还包括位于使用半导体基板内的第二有源区的第二器件，其中第二有源区是非平的且具有不存在第一晶体学取向的第二晶体学取向。第一晶体学取向和第二晶体学取向典型地对于电荷载流子迁移率，为第一器件和第二器件提供了性能优化。非平的第二有源区也具有单一厚度。该CMOS结构可以使用晶体学选择蚀刻剂形成非平的第二有源区来制作。
互补金属氧化物半导体结构及其制作方法

[发明专利]检测单个晶体结构中的异常的方法-CN202010030751.3在审
发明人：杰奎琳·格瑞菲斯;斯科特·杜菲维尔;纳西莎·C·平扎里乌;卡洛斯·爱德华多·梅斯基塔弗里亚斯 -专利权人：劳斯莱斯有限公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G01N23/2055 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测晶体学结构中的异常的方法，所述方法包括：在相对于所述晶体学取向的已知方向上利用x射线辐射对所述结构进行照明；对所述结构进行定位使得所述结构的晶体学取向是已知的；对透射穿过所述结构的衍射的所述x射线辐射的图案进行检测；基于相对于所述晶体学取向的所述已知方向来生成模拟的所述图案；将所检测图案与在所述已知方向上进行照明的x射线辐射的模拟图案进行比较；以及基于所述比较来检测所述晶体学结构中的所述异常
检测单个晶体结构中的异常方法

[发明专利]一种基于生成对抗网络的晶体结构预测方法-CN202110310358.4在审
发明人：王鹏;柳书博 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于生成对抗网络的晶体结构预测方法，属于材料结构技术领域，包括导入晶体结构数据、数据预处理、数据增广、模型训练、数据后处理和模型验证；本发明通过将生成的结构模型输入原子尺度材料模拟的计算机程序包进行自洽计算通过从已有晶体学结构数据中进行数据挖掘的方式，让机器提取现有晶体学结构数据中的规律，完成晶体学新结构预测任务，保证晶体学预测成功率，通过将人工智能数据挖掘技术引入新材料、新晶体结构的预测任务中来，将原有的第一性原理“从头算”的思路，改为从已有数据中进行数据挖掘，使得晶体学新结构预测所需的时间显著降低，同时保证了预测的精度和准确度。
一种基于生成对抗网络晶体结构预测方法

[发明专利]一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法-CN201910736340.3在审
发明人：陈国清;王雅琨;付雪松 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明提供一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法。本发明方法，包括如下步骤：获取所述晶体材料待测区域内的二维组织形貌和EBSD花样；将其通过三维图像分析软件进行三维图像合成，获取三维形貌；提取特征形貌在三维形貌所在坐标系中的三维取向；通过三维取向转换到EBSD获得的晶体学坐标系中，获得所述特征形貌的晶体学取向。本发明可以精确地同时解析各种材料特征组织结构的取向和晶体学取向，对材料晶体生长取向和生长行为研究具有重要意义。
晶体学取向取向三维三维形貌形貌三维图像分析三维图像合成材料晶体材料特征待测区域晶体材料取向转换生长取向特征形貌提取特征行为研究重要意义组织结构组织形貌二维解析花样生长

[发明专利]一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法-CN201110309984.8有效
发明人：张鸥;徐学东;张海;张登宇;安栋 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G01N27/83 文献下载
摘要：一种基于金属原位晶体学及磁畴表征金属磁记忆检测的方法，属于金属磁记忆无损检测研究领域。将金属材料本身作为研究对象，在不同应力状态下(拉伸不同阶段或者疲劳不同次数)，利用bitter粉纹法测得对应的磁畴图，利用SEM-EBSD系统测得SEM形貌和取向等晶体学信息。从而得到金属材料的晶体学信息、磁畴与应力的关系。本发明结合金属材料本身得到材料微观尺度磁信号大小和磁矩的方向以及晶体学信息，去除了材料本身以外其他因素的干扰，具有良好的可靠性，克服了上述实际应用中的误差。
一种基于金属原位晶体学表征记忆检测方法

[发明专利]用于烃类异构体分离的锆基金属有机框架膜及制备方法-CN202310465472.3在审
发明人：刘新磊;从深震 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01D71/06 文献下载
摘要：根据烃类异构体分子动力学直径大小差异，选择分子尺寸筛分窗口介于同碳数烃类异构体分子之间的锆基金属有机框架膜对烃类异构体进行分离；或选用晶体学孔径尺寸在被分离的物质之间的多晶膜对被分离物质进行分离。对二甲苯和邻二甲苯选用晶体学孔径尺寸#imgabs0#的UiO‑66多晶膜进行分离。对正己烷和2‑甲基戊烷选用晶体学孔径尺寸#imgabs1#的xBr‑UiO‑66来分离。对正丁烷和异丁烷选用晶体学孔径尺寸#imgabs2#的MOF‑801多晶膜或窗口的晶体学孔径尺寸#imgabs3#的xNH2‑UiO‑66来分离。
用于烃类异构体分离基金有机框架制备方法

[发明专利]焊缝金属中有效阻碍脆性裂纹扩展的显微组织定量化方法-CN202210514770.2在审
发明人：王学林;王智权;谢振家;尚成嘉;郭福建;袁胜福;刘文乐 -专利权人：北京科技大学;阳江合金材料实验室
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01N23/203 文献下载
摘要：本发明涉及金属材料裂缝扩展领域，提供了一种焊缝金属中有效阻碍脆性裂纹扩展的显微组织定量化方法及系统；该方法包括：S1利用EBSD对焊缝金属样品进行显微组织晶体学数据采集；S2提取晶体学数据及实验{100}极图；S3晶体学数据计算和母相奥氏体晶粒重构，确定显微组织变体类型；S4获取显微组织晶体学结构单元图像，进行边界化处理，获得Bain单元；S5完成焊缝金属中有效阻碍脆性裂纹扩展的显微组织定量化。本发明规避了以往从形貌学角度定量化焊缝组织的精准度不足问题，同时也避开了仅从EBSD获取的晶界取向差角度来计算所表现的笼统性问题；精确实现焊缝金属中可有效阻碍脆性裂纹扩展的显微组织表征及单元尺寸定量化。
焊缝金属有效阻碍脆性裂纹扩展显微组织量化方法

[发明专利]具有热致荧光变色性质的铜（Ⅰ）‑卤簇基化合物及其制备方法-CN201610922435.0在审
发明人：辛丙靖;李鹏;罗力莎;李光华 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C07F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有热致荧光变色性质的铜(I)‑卤簇基化合物及其制备方法，该化合物的化学式为C16H32N4Cu6I6Br2，化合物属于三斜晶系，晶体颜色为无色，空间群为p‑1，化合物为由若干非对称结构单元构成的两重互穿的三维结构；每个非对称结构基元由三个晶体学独立的Cu原子、三个晶体学独立的I原子、一个晶体学独立的Br原子和二分之一个晶体学独立的配体分子组成；结构中Cu原子采取四配位模式，Cu(1)和Cu(3)的配位模式相同，
具有荧光变色性质卤簇基化合物及其制备方法

[发明专利]测定电工钢和铁芯的磁感的方法-CN200710053052.5有效
发明人：李长一;周顺兵;陈方玉;李立军;陈士华;冯大军;张新仁;谢晓心;黄璞;张友登 -专利权人：武汉钢铁（集团）公司
申请日： 2007-08-28 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种测定电工钢及铁芯的磁感的方法，该方法根据晶体学织构分析原理，采用首先用X－射线衍射技术测量测定被测件若干不同晶体学方向的轴密度ρ_uvw，然后以ρ_{uvw晶体学方向的数目，α_uvw是被测件的晶体各向异性常数，B_uvw是被测件的不同晶体学方向的磁感应强度。}
测定电工方法

[发明专利]一种基于晶体结构数据库的材料解析方法、系统及应用-CN202180009006.3在审
发明人：潘锋;李舜宁;董成;张文韬;侯晨昕;陈历涛;潘俊杰;郑世胜;林原;林海 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：一种基于晶体结构数据库的材料解析方法、系统、计算机可读存储介质及应用。上述材料解析方法包括，将待测样本检测的实验图谱信息与晶体结构数据库中材料结构数据计算的理论图谱信息进行比对，通过智能分析获得待测样本的晶体学信息及物相成分；晶体学信息包括空间群、晶胞参数、晶胞中原子具体坐标；晶体结构数据库具有实验测量和/或理论预测得到的材料结构数据，包含化学式、空间群、晶胞参数，和晶胞中原子具体坐标。上述方法，采用材料基因大数据研究新范式，通过晶体结构数据库实现自动化的晶体学信息及物相成分分析，是一种新型材料解析方法；基于该方法，可实现大规模高通量高精度的材料解析，为搭建材料学图谱数据挖掘分析平台奠定了基础
一种基于晶体结构数据库材料解析方法系统应用

[发明专利]一种确定单晶三维方向的方法-CN201410373488.2在审
发明人：郭振琪;李飞;郭爱 -专利权人：陕西大仪科技有限责任公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G01N23/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种确定单晶三维方向的方法，包括单晶的一维方向确定和单晶的三维方向确定；其中，1)利用专利号为200620079376.7的实用新型专利提供的XRD样品台装置，确定单晶的一维方向；当晶体的一维方向确定后，在已确定的晶体学平面(h1k1l1)上标定一个二维坐标系，即可确定单晶的三维方向，具体是，首先确定在晶体学平面(h1k1l1)内二维坐标系的x轴，然后依照右手法则，在晶体学平面(h1k1l1)内作垂直于x轴的直线，即为y轴，三维坐标系的z轴为晶体学平面(h1k1l1)的法线方向[h1k1l1]，至此，完成单晶的三维方向确定。本发明仅需要对晶体一个晶面进行衍射实验，便可快速实现对晶体的三维定向，避免了定向过程中的盲目性和对晶体的浪费。
一种确定三维方向方法

[发明专利]半导体器件以及用于在具有晶体学（100）取向的基底中产生半导体器件的方法-CN201480071600.5在审
发明人： F.赫南德斯吉伦 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2014-10-06 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：按照本发明，基底（90）具有晶体学（100）取向。此外，还提供了一种用于在具有晶体学（100）取向的基底（90）中产生半导体器件（100）的方法。
半导体器件以及用于具有晶体学 100 取向基底产生方法

[发明专利]生产白油的方法-CN201010002520.8有效
发明人： S·J·米勒;S·M·阿伯内西;J·M·罗森鲍姆 -专利权人：雪佛龙美国公司
申请日： 2005-07-08 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C10G45/64 文献下载
摘要：生产一或多种白油的方法，包括：a.在高选择性和活性的石蜡加氢异构化催化剂上于足以生产出白油的条件下将含蜡原料进行加氢异构化脱蜡：其中高选择性和活性的石蜡加氢异构化催化剂含有：1)具有最小晶体学自由直径不低于3.9埃和最大晶体学自由直径不高于6.0埃的孔道且没有最大晶体学自由直径高于6.0埃孔道的1-D10元环分子筛；2)贵金属加氢组分；和3)耐高温氧化物载体，和b.从加氢异构化脱蜡步骤收集一或多种白油。
生产方法

[发明专利]半导体结构和制造半导体结构的方法-CN200610006361.2无效
发明人：朱慧珑;布鲁斯·B·多丽丝;陈华杰;帕特丽曼·M·穆尼;斯蒂芬·W·贝德尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-01-17 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有多晶体学取向的直接在绝缘体上的应变Si(SSDOI)衬底，及其制造方法。但是在具体方面，本发明SSDOI衬底包括：衬底；在衬底顶上的绝缘层；以及位于绝缘层顶上并与绝缘层直接接触的半导体层，半导体层包括第一应变Si区域和第二应变Si区域；其中第一应变Si区域与第二应变Si区域具有不同的晶体学取向，第一应变Si区域与第二应变Si区域具有相同或不同的晶体学取向。
半导体结构制造方法

[发明专利]一种同步辐射串行晶体学静电纺丝上样装置以及一种基于同步辐射的串行晶体学实验方法-CN202010562025.6有效
发明人：余立;孙波;王志军;汪启胜 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明提供一种同步辐射串行晶体学静电纺丝上样装置以及一种基于同步辐射的串行晶体学实验方法。样品母液和子液经过四通管被制备成同轴纺丝液；真空腔，包括：真空腔本体，入射窗口和衍射光出射窗口，电源电极针头和电源负极针头；高压电源；以及真空泵；其中，同轴纺丝液被输送到真空腔内，在高电压作用下形成静电纺丝射流，实现稳定可控的串行晶体学上样根据本发明，为同步辐射光束线站上的串行晶体学实验提供稳定连续的上样，通过抽真空大幅降低空气电离对腔内电场的影响，解决了静电纺丝上样装置在同步辐射线站X射线作用下空气电离干扰的问题，大幅提高了静电纺丝射流的稳定性
一种同步辐射串行晶体学静电纺丝装置以及基于实验方法

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