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[发明专利]一种离子型凝胶光子晶体的制备方法-CN201410467443.1有效
发明人：陈诚;朱志刚 -专利权人：上海第二工业大学
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C08J9/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种离子型凝胶光子晶体的制备方法，其包含步骤1将单分散的胶体微球分散在水中配制成悬浮液，经透析形成光子晶体阵列悬浮液；步骤2配制聚乙烯醇溶液；步骤3将所得的溶液混合，形成凝胶光子晶体前驱体溶液；步骤4将所得溶液注射入模具内，得到凝胶光子晶体模板；步骤5将离子型单体、交联剂以及引发剂溶解于水中形成凝胶前驱体溶液；步骤6将所得凝胶光子晶体模板浸于所得溶液中引发聚合；步骤7，将所得产物去除聚乙烯醇凝胶模板，最后得到离子型凝胶光子晶体。本发明提供的离子型凝胶光子晶体的制备方法，克服了现有技术存在的凝胶强度差、使用材料受限等问题，能够广泛应用于生化检测、环境监测等领域。
一种离子凝胶光子晶体制备方法

[发明专利]一种高速单晶生长装置及方法-CN201610037736.5有效
发明人：刘立军;丁俊岭;赵文翰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速单晶生长装置及方法，主要涉及一种晶体冷却方式和输送反应物进行化学反应的反应筒。该反应筒采用耐高温材料，由进气筒和排气筒组成。进气筒开设有通道，通入参与反应的反应物和保护气体。反应物经由进气筒后，喷射到生长中的高温晶体表面，发生化学反应吸热，快速移除晶体表面的热量。排气筒用于将反应不完全的反应物以及反应产物气体排出炉体。进气筒和排气筒连为一个整体，固定在炉壁上。本发明首次将化学吸热反应应用于晶体生长中的强化冷却，能够快速移除晶体表面的热量，显著提升晶体内部的轴向温度梯度，从而提高晶体的生长速度。
一种高速生长装置方法

[发明专利]通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉-CN201610854677.0有效
发明人：刘立军;丁俊岭;赵文翰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，主要涉及输送反应物并在其内部进行化学吸热反应的反应装置。该反应装置由石墨筒和反应筒组成。反应筒采用惰性材料制成。反应物由进口通入，在高温下的反应筒中发生化学吸热反应，降低反应装置表面及其附近氩气区域的温度，快速移除晶体表面的热量，反应不完全的反应物和反应产物由出口排出炉体。本发明装置通过化学吸热反应强化冷却生长中的晶体，快速移除晶体表面的热量，显著提升晶体内部的轴向温度梯度，从而提高晶体的生长速度，达到降低晶体制备成本的目的。
通过化学强化冷却技术实现晶体快速生长单晶炉

[发明专利]坎地沙坦酯C－型晶体的制备方法-CN200510020833.5有效
发明人：姜维平;贾春荣;王宗玉 -专利权人：重庆圣华曦药业有限公司
申请日： 2005-04-30 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： C07D403/10 文献下载
摘要：坎地沙坦酯C－型晶体的制备方法。将相应的非C－型晶体原料物完全溶解于除C₁－C₃的低级醇和丙酮以外能与水混溶的有机溶剂，搅拌下向该溶液中加入水，使晶体析出，收集析出的晶体产物即为坎地沙坦酯C－型晶体。该方法的操作简便，对有机溶剂的使用量少，坎地沙坦酯C－型晶体的一次性收率可接近理论计算值，且结晶体的纯度高，外观和质量好。
沙坦酯晶体制备方法

[发明专利]一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件-CN202111497826.X有效
发明人：庞超;龚政;胡诗犇;潘章旭;郭婵;王建太;邹胜晗;李育智;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种铜铟硒纳米晶体、纳米薄膜及其制备方法和电子器件，涉及半导体技术领域。该铜铟硒纳米晶体由铜铟硒纳米晶体的制备方法制备而成，该铜铟硒纳米薄膜由铜铟硒纳米薄膜的制备方法制备而成，其中电子器件包括上述的铜铟硒纳米薄膜。由铜铟硒纳米薄膜的制备方法能够减少副产物的产生，并且通过第一前驱体及第二前驱体制备的铜铟硒纳米晶体会使得纳米晶体表面富含硫元素，进而减少有机长链配体，以实现减少粒子之间的间距，载流子以更短的粒子间距通过相邻纳米晶体之间的势垒，因此其能够增强电子耦合并改善电传输特性，能使得由铜铟硒纳米晶体制备的纳米电子器件的性能得到增强。
一种铜铟硒纳米晶体薄膜及其制备方法电子器件

[发明专利]一种铜镉锡硒半导体纳米晶体的制备方法-CN201310045833.5无效
发明人：魏调兴;陈鑫;刘玉峰;董文静;黄婵燕;张云;孙艳;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜镉锡硒半导体纳米晶体的制备方法，该方法是通过将硒粉溶解在高沸点油性溶剂中形成硒前驱体，然后快速注入到高温的由铜盐、镉盐、锡盐、高沸点烷基胺和高沸点油性溶剂组成的金属前驱体中，反应到预定时间后取出反应混合物注入沉淀剂中使产物沉淀，最终得到高质量的铜镉锡硒半导体纳米晶体。本发明的优点在于：纳米晶体的制备方法简单，操作过程安全，所用的反应原料成本低廉，制备的纳米晶体形貌均匀、尺寸一致、结晶性好。该发明制备的纳米晶体可作为热电器件材料。
一种铜镉锡硒半导体纳米晶体制备方法

[发明专利]可调节工作循环电路-CN201410211406.4在审
发明人：弗雷德里克·博叙;安东尼·弗兰西斯·塞戈里亚 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2008-11-09 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H03K3/017 文献下载
摘要：在一实施例中，并联晶体管耦合在NAND门与电源电压之间。选择性地启用所述并联晶体管会调节所述NAND门的开关点，借此允许控制输出信号的脉冲宽度。在一替代实施例中，选择性地变化所述NAND门中的PMOS晶体管对NMOS晶体管的大小以实现相同效果。本发明进一步揭示将所述技术应用于校准接收器以使经测量的二阶互调产物和/或残余边带最小化。
调节工作循环电路

[发明专利]具有改进的栅电介质表面的有机薄膜晶体管-CN03805321.7无效
发明人：特伦斯·P·史密斯;拉里·D·伯德曼;蒂莫西·D·邓巴;马克·J·佩勒瑞特;汤米·W·凯利;道恩·V·梅耶斯;丹尼斯·E·沃格尔;基姆·M·沃格尔 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2003-02-11 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机薄膜晶体管，该晶体管包括插入在栅电介质和有机半导体层之间的自组装单层。单层为栅电介质与自组装单层母体反应的产物。本发明还提供了制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的集成电路。
具有改进电介质表面有机薄膜晶体管

[发明专利]一种碲纳米晶体的制备方法-CN201010262202.5有效
发明人：袁求理;聂秋林 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种碲纳米晶体的制备方法。目前方法不能有效控制碲纳米晶体的形貌。本发明方法首先根据制备的碲纳米晶体所需的形貌配置正碲酸水溶液，然后将还原剂一水合肼加入到正碲酸水溶液中，形成黑色悬浮溶液，倒入水热反应釜中进行水热反应，反应温度100～120℃，反应时间12～24小时；水热反应结束后，将反应物进行离心分离，将固体产物洗涤、干燥后得到碲纳米晶体。本发明方法通过改变反应体系中正碲酸水溶液的浓度即可对碲纳米晶体的形貌进行控制，可以分别得到纳米颗粒、短纳米棒、长纳米棒等不同形貌的碲纳米晶体。本发明方法工艺简单，反应体系稳定，所得碲纳米晶体具有较好的均匀性，并且可以有效控制所得碲纳米晶体的形貌。
一种纳米晶体制备方法

[发明专利]一种还原型辅酶Q10的制备方法及其装置-CN201410161850.X有效
发明人：王兵;高鑫磊;杨德辉;刘欣怡;戴学良;王涛 -专利权人：北京泰克美高新技术有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： C25B3/04 文献下载
摘要：所述方法包括如下步骤：用有机溶剂溶解纯度大于99％的辅酶Q10；再加入导电剂搅拌溶解，得到产物A；将电极通电并在无氧条件下保护后，将产物A连续注入反应器内，温度为0-50℃之间，加载电压为-600～-3000mV，从反应器底部连续流出产物B；收集产物B，然后在无氧条件下将产物B过滤、洗涤、萃取、色谱分离、结晶，得到纯品还原型辅酶Q10晶体，将其在无氧条件下保存。由于本发明的制备方法只有3个步骤，中间没有其他杂质产物，故生产工艺简单，生产成本低。
一种原型辅酶 q10 制备方法及其装置

[发明专利]二苯基羟基乙酸的合成-CN201810695971.0在审
发明人：温沅楹;郝小萌;杜佳璇 -专利权人：烟台智本知识产权运营管理有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C07C59/48 文献下载
摘要：圆底烧瓶中加入二苯乙二酮2.5‑3.6g与15mL 95％乙醇，加热溶解，滴加氢氧化钾2.7g溶于5‑10mL水的溶液，磁力搅拌反应并回流30‑60min，然后将反应混合物转移到小烧杯中，在冰水浴中放置析出二苯乙醇酸钾盐的晶体，抽滤，并用少量冷乙醇洗涤晶体，将过滤出的钾盐溶于70‑90mL水中，滴加2‑5滴浓盐酸，少量未反应的二苯乙二酮成胶体悬浮物，加入活性炭脱色约两平勺，趁热过滤，滤液冷却至室温，用5％的盐酸酸化至刚果红试纸变蓝，保持搅拌保证产物松散，在冰水浴中冷却使结晶完全，抽滤，用冷水洗涤几次以除去晶体中的无机盐和盐酸，产物在85℃烘箱中干燥至恒重。
二苯基羟基乙酸二苯乙二酮冰水浴钾盐抽滤滴加合成烘箱无机盐二苯乙醇酸活性炭脱色胶体悬浮物析出趁热过滤磁力搅拌加热溶解冷水洗涤滤液冷却氢氧化钾盐酸酸化圆底烧瓶刚果红冷乙醇浓盐酸小烧杯乙醇恒重试纸水中盐酸洗涤过滤冷却松散并用保证

[发明专利]利用氨基酸发酵副产物生产饲料添加剂方法-CN202110270552.4在审
发明人：孙开济;胡炎华;吴涛;高鹏;龚华;李岩 -专利权人：廊坊梅花生物技术开发有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： A23K20/142 文献下载
摘要：本发明提供一种利用氨基酸发酵副产物生产饲料添加剂方法，在利用发酵法制备氨基酸的生产工艺中，在发酵结束后，将发酵液过滤去除菌体，然后经浓缩结晶或离子交换工艺制得食品级或医药级氨基酸晶体，同时得到发酵副产物即氨基酸发酵母液；氨基酸发酵母液依次经如下步骤处理：A、将氨基酸发酵母液使用三效蒸发器进行蒸发，最终将氨基酸发酵母液浓缩至干物质占比20‑60％；B、将浓缩后的氨基酸母液进行降温结晶，然后离心分离得到晶体；C、晶体经清洗后烘干，将终产品水分控制在10％以下，用作饲料添加剂。
利用氨基酸发酵副产物生产饲料添加剂方法

[发明专利]基于微流控的高聚物粘结炸药的制备系统及方法-CN202010883131.4在审
发明人：朱朋;闫樊钰慧;沈瑞琪;叶迎华;夏焕明 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B01F33/30 文献下载
摘要：包括计算机控制单元，流体驱动单元，三维混沌对流型微混合器，显微观测系统和产物收集单元；流体驱动单元驱动将溶有六硝基茋和粘结剂的二甲亚砜溶剂和去离子水反溶剂分别驱动汇集至三维混沌对流型微混合器，生成六硝基茋基高聚物粘结炸药悬浮液，流入产物收集单元；显微观测系统用于对晶体的生长状况进行观测。本发明基于微流控技术，通过合理设计实验条件和操作参数制备所得六硝基茋基高聚物粘结炸药晶体粒径分布窄，晶体形貌均匀且粘结剂包覆度高，并且避免了传统制备工艺的大容量混合制备，降低了制备过程中的危险性。
基于微流控高聚物粘结炸药制备系统方法

[发明专利]一种利用金刚线切割晶体硅废料制备硅铁合金的方法-CN201811155542.0有效
发明人：刘奎仁;邢延慧;李斌川;韩庆;陈建设 -专利权人：东北大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C21C7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用金刚线切割晶体硅废料制备硅铁合金的方法，其步骤包括：按质量百分比计，将21‑63wt％的晶体硅切割废料，1‑3wt％的钠基膨润土，3‑6wt％的改性水玻璃，3‑20wt％的铁粉以及30‑40wt％的水混料，然后压成料球；将料球在60‑90℃条件下脱水，至料球重量不再发生变化；将脱水的料球脱除有机物，并将脱出的有机物分解，分解产物经喷淋塔吸收后排入大气；将脱除有机物的料球在密闭容器中烧结；将烧结后的料球进行熔炼；将熔炼后的产物扒渣浇注得到合金，检测合金成分。本发明提供的一种利用金刚线切割晶体硅废料制备硅铁合金的方法，生产安全环保，且料球掉落强度及抗压强度良好。
料球硅铁合金晶体硅线切割制备脱除有机物烧结熔炼脱水合金晶体硅切割废料改性水玻璃后排入大气钠基膨润土有机物分解质量百分比扒渣浇注分解产物密闭容器生产安全喷淋塔掉落脱出水混铁粉检测吸收环保

[发明专利]一种在微波场中铬铁矿制备重铬酸钾晶体的方法-CN201710199936.5有效
发明人：代林晴;刘花;郭胜惠;彭金辉;段钰 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C01G37/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种在微波场中铬铁矿制备重铬酸钾晶体的方法，属于铬盐制备技术领域。首先将粒度小于0.75μm铬铁矿粉末与碳酸钠固体混合均匀，微波加热至温度为750℃反应大于60min，反应完成后自然冷却至室温得到氧化焙烧产物；将得到的氧化焙烧产物研磨至粉末状后加入水超声浸出得到铬酸钠溶液pH至7～8，过滤分离后得到去除杂质Al₂O₃的铬酸钠溶液；继续加入CH₃COOH调节pH至小于5，加入KCl固体，最后经蒸发冷缩、冷却晶体过滤、洗涤、干燥可得到重铬酸钾晶体。
一种微波铬铁矿制备重铬酸钾晶体方法