|
钻瓜专利网为您找到相关结果 56527个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201711381180.2有效
-
陈富信;林鑫成;林永豪;林信志
-
世界先进积体电路股份有限公司
-
2017-12-20
-
2022-04-29
-
H01L29/778
- 该半导体结构包括:基底、第一III‑V族化合物层、第二III‑V族化合物层、第三III‑V族化合物层以及第四III‑V族化合物层。基底的上方包括第一区域以及第二区域。第一III‑V族化合物层设置于第一区域内,第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上。第一载子通道形成于第一III‑V族化合物层以及第二III‑V族化合物层之间,第二III‑V族化合物层具有第一厚度。第三III‑V族化合物层设置于第二区域内,第四III‑V族化合物层设置于第三III‑V族化合物层上。第二载子通道形成于第四III‑V族化合物层与第三III‑V族化合物层之间,第四III‑V族化合物层具有小于第一厚度的第二厚度。本发明能够降低生产成本以及电路面积。
- 半导体结构及其制造方法
|