专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基于模型预估算法的硅钢边部滞后控制方法-CN201811219869.X有效
  • 刘洪宇;刘俊清 - 辽宁科技大学
  • 2018-10-19 - 2020-06-30 - B21B37/40
  • 本发明属于冷轧硅钢轧制过程控制技术领域,尤其是涉及一种基于模型预估算法的硅钢边部滞后控制方法,其特征在于包括如下步骤:(1)工作辊窜辊液压伺服控制系统的设计;(2)边降闭环控制系统设计;(3)模型自适应算法;(4)模型边部滞后预估控制。本发明通过反馈控制、前馈控制以及在反馈控制中引入抗滞后的模型预估控制,对硅钢边部滞后进行了有效控制;工作辊窜辊利用锥度辊在带钢边部进行定位,完全具备对取向硅钢边部的控制功能;边部滞后反馈控制和模型预估算法对边部闭环控制系统中的时间滞后问题具有良好的动态控制品质
  • 基于模型预估算法硅钢边部减薄滞后控制方法
  • [发明专利]一种碱基板玻璃及其方法-CN202111146719.2在审
  • 王答成;兰静;曾召;孔令歆;郭静 - 彩虹显示器件股份有限公司
  • 2021-09-28 - 2022-01-04 - C03C3/091
  • 一种碱基板玻璃,以质量百分数计,包括58.9%~62.5%的SiO2,14.2%~18.4%的Al2O方法包括以下步骤,将上述碱基板玻璃浸入氢氟酸、冰醋酸表面活性剂以及余量的水组成的化学侵蚀液中,使碱基板玻璃至0.4mm~0.5mm,将该碱基板玻璃取出,超声清洗烘干;然后置于磨抛机的研磨盘上,机械抛光,使所述碱基板玻璃至0.3mm~0.35mm,得到柔性基板玻璃。该碱基板玻璃成分合理,制得碱玻璃的比模量值适中,使玻璃具有较好的柔韧性,其方法操作便捷,通过化学刻蚀以及机械抛光两种方式的结合,对本发明中得到的厚度为0.7mm的碱基板玻璃进行,得到表面光滑
  • 一种碱基玻璃及其方法
  • [发明专利]一种厚壁金属管尘切割装置-CN202110993745.2有效
  • 赵兴科;赵增磊 - 北京科技大学顺德研究生院
  • 2021-08-27 - 2023-04-18 - B23K26/142
  • 本发明公开了一种厚壁金属管尘切割装置,包括围绕待切割金属管外圆周侧铺设的环形轨道和设置于环形轨道上的行走小车以及设置于行走小车上的切割本体,切割本体包括用于将待切割金属管壁厚均匀至1mm以下的机构和用于在机构后再进行切割的切割机构,切割机构和机构沿切割方向依次设置于行走小车上;待切割金属管的壁厚小于10mm。本发明采用上述结构的厚壁金属管尘切割装置,通过机构配合切割机构,可利用机构先将金属管件沿圆周方向均匀切割,使其残留壁厚小于1mm,而后再借助切割机构完全切割金属管,从而实现了小于10mm的金属管激光汽化切割
  • 一种金属管切割装置
  • [发明专利]快速透射电镜样品的轰击反应方法-CN200510011289.8无效
  • 韩勇;魏然;李池 - 中国地质大学(北京)
  • 2005-01-31 - 2006-08-09 - G01N1/28
  • 本发明属于高能离子束加工领域,特别涉及采用轰击反应法快速透射电镜样品技术。本发明的方法采用高能离子束喷溅样品表面,高能离子与样品表面原子发生碰撞与反应,使样品均匀,速度快、区大(几十~几百微米范围),利于进行透射电子显微镜直接观察其内部结构信息。本发明具有工艺简单、重复性好,大面积区,易于操作控制和推广应用。本发明特点是兼备轰击与反应的双重作用,样品应力无机械损伤,样品时速度快、效率高,制备出的样品质量高。
  • 快速透射样品轰击反应方法
  • [发明专利]基于纳米金刚石颗粒的大规模芯片方法-CN201611198428.7有效
  • 冯雪;蔡世生;张长兴;李海成;张迎超;韩志远 - 清华大学
  • 2016-12-22 - 2019-08-09 - B24B37/04
  • 本发明公布了一种基于纳米金刚石颗粒的大规模芯片纯机械化学式方法,属于柔性可延展光子/电子器件、半导体以及微电子技术领域。本发明方法利用纳米金刚石颗粒作为磨削材料纯机械化学式各种芯片材料(电子、光子芯片等);在过程中,通过改变纳米金刚石的粒径来调控粗糙、中度、精细研磨以及抛光;通过调控芯片托盘的芯片槽的大小来实现不同尺寸芯片的大规模本发明方法适用于各种芯片材料大规模的,同时适用于到任意厚度,最终厚度可达到10μm左右,能够很好地契合柔性可延展光子/电子器件所需的器件厚度。
  • 基于纳米金刚石颗粒大规模芯片方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710735293.1有效
  • 张焕云;吴健 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
  • 2017-08-24 - 2021-08-06 - H01L21/8234
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括衬底和位于衬底上的鳍部,基底上形成有层间介质层,层间介质层内形成有露出部分基底的栅极开口,栅极开口侧壁上形成有侧墙;对远离基底一侧的部分高度的侧墙侧壁进行处理,未进行处理的侧墙的顶部至多与鳍部顶部齐平;在处理后,在栅极开口的底部和侧壁形成栅介质层;在栅介质层上形成定型硅层;形成定型硅层后,对基底进行退火处理;在退火处理后,去除定型硅层。本发明对远离基底一侧的部分高度的侧墙侧壁进行处理,且未进行处理的侧墙的顶部至多与鳍部顶部齐平,从而降低去除定型硅层后发生定型硅层残留问题的概率。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]应力设备-CN202310247723.0在审
  • 王解兵;袁争 - 东润万博科技(北京)有限公司
  • 2023-03-15 - 2023-06-23 - H01L21/67
  • 本发明公开了无应力设备,包括承接箱、蚀刻工作台与晶圆携持臂,所述蚀刻工作台通过支撑架设置在承接箱中,所述蚀刻工作台中设有蚀刻化学液盒,蚀刻化学液盒中有用于对晶圆进行蚀刻的化学液体,且蚀刻化学液盒外侧设有过滤框本发明中的应力设备为单面蚀刻设备,采用了关键的线性扫描蚀刻技术,可以提供出色的单面蚀刻性能,该技术几乎消除了所有与传输相关的及中心对称的不均匀性,从而在超薄大型基板上提供高均匀性和单面性,可广泛用于MEMS制造中晶圆的应力,以及其它行业中需要进行表面无应力的材料。
  • 应力设备
  • [发明专利]玻璃单面覆膜方法-CN202110128983.7有效
  • 张迅;易伟华;王志伟 - 江西沃格光电股份有限公司
  • 2021-01-29 - 2022-08-23 - C03C15/00
  • 本发明涉及一种玻璃单面覆膜方法,在玻璃面板保护面依次覆盖抗酸膜和单面胶带,保护面上对应抗酸膜的外周均有未覆盖有抗酸膜的裸露区域,并且与抗酸膜边缘粘接,单面胶带与玻璃面板的侧面通过UV胶粘合,UV胶与抗酸膜直接接触;然后对覆膜的玻璃面板进行处理。该玻璃单面覆膜方法抗酸性的单面胶带能够保护抗酸膜未覆盖的玻璃面板保护面裸露区域不受蚀刻液腐蚀,在处理之后容易分离,由于设置了单面胶带,使UV胶与抗酸膜直接接触,避免了由于UV胶与抗酸膜较强的粘结力,而在撕膜过程中导致玻璃破片,尤其适用于量大的玻璃面板的单面,能够加工厚度更小的玻璃制品。
  • 玻璃单面覆膜减薄方法

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