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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于制作组织阵列的装置-CN200610126736.9无效
发明人： R·瓦尔特;R·梅茨纳 -专利权人：莱卡显微系统努斯洛赫股份有限公司
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：描述了一种用于制作组织阵列的装置，其具有至少一个施主体(2)，该施主体具有待检验的组织(3)。为了将空心针(5)关于施主体(2)进行定位，设置了一个瞄准器(12)。
用于制作组织阵列装置

[发明专利]有机发光器件及其制造方法-CN201580041967.7有效
发明人： U·邓克;J·伯恩斯托克;G·安德森;E·斯潘;O·菲尔南德斯;I·葛里兹 -专利权人：剑桥显示技术有限公司;诺瓦德有限公司
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机发光器件，包括：包含发光聚合物的发光层；和在所述发光层上的电子传输层，并且所述电子传输层包含电子传输材料和n‑施主材料。所述电子传输层包含至少20重量％的n‑施主材料。通过使用包含至少20重量％的n‑施主材料的电子传输层，可以实现具有小于20nm厚度的电子传输层的器件。
电子传输层施主材料有机发光器件发光层电子传输材料发光聚合物制造

[发明专利]一种基于网络性能的室分系统预警方法与装置-CN201910853865.5在审
发明人：李双凤;蔡发中;徐颂;周靖东;夏江波;江伟;熊文彬;臧金龙;李曙康 -专利权人：上海肯汀通讯科技有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H04W24/04 文献下载
摘要：本发明涉及网络通讯技术领域，具体为一种基于网络性能的室分系统预警方法及装置；所述的室分系统预警方法包括：采集各小区施主天线的性能指标数据,剔除掉性能指标数据低于平均数60%的小区性能指标数据；当某小区的性能指标数据低于平均数60%时，此时该小区的施主天线的性能有故障，不能作为参考数据；从而获取更加准确的周围小区性能的数据；采集室分系统中施主天线的性能指标数据；将室分系统中施主天线的性能指标数据与各小区施主天线的性能指标数据进行对比判断
一种基于网络性能分系统预警方法装置

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN202080038918.9在审
发明人：吉田浩介;吉村尚;泷下博;内田美佐稀;根本道生;菅沼奈央;洼内源宜 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其具有上表面和下表面，且包含氧；氢化学浓度的第一峰，其配置在半导体基板的下表面侧；以及平坦部，其配置于比第一峰更靠半导体基板的上表面侧的位置，并包含氢施主，且在半导体基板的深度方向上的施主浓度分布实质上(大致)为平坦，表示氧的氧化学浓度中有助于生成氢施主的氧化学浓度的比例的氧贡献率为1×10‑5以上且7×10‑4以下，在平坦部中，有助于生成氢施主的氧的浓度低于氢化学浓度，平坦部的氢施主浓度为2×1012/cm3以上且5×10
半导体装置制造方法

[发明专利]碲化铋基热电材料类施主效应的消除方法-CN202110043761.5有效
发明人：苏贤礼;陶奇睿;唐新峰;张政楷 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-01-13 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化铋基热电材料类施主效应的消除方法，其特征在于采用碲化铋基单晶材料通过烧结制备碲化铋基热电材料块体，在烧结步骤之前采用保护气氛将碲化铋基单晶材料研磨成粉体并退火，然后再进行烧结，从而得到消除类施主效应的碲化铋基热电材料本发明提出了消除碲化铋基热电材料中类施主效应的解决方案，有助于材料内载流子浓度的稳定。相比于产生类施主效应的样品，类施主效应得以抑制的样品的载流子浓度显著降低，基本与样品破碎前保持一致，处于碲化铋基热电材料的最优载流子浓度区间；同时Seebeck系数的绝对值和功率因子均显著提升，总热导率显著降低
碲化铋基热电材料施主效应消除方法

[发明专利]形成复合功能材料结构的方法-CN201110285648.4无效
发明人：张轩雄;杨帆 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：该方法包括：步骤A，高能量离子注入于施主晶片表层，在离子注入投影射程位置形成脆弱区，其中，离子注入的能量介于60KeV至500KeV之间；步骤B，将施主晶片和衬底晶片进行键合，形成包括施主晶片和衬底晶片的复合结构；步骤C，对键合后形成的复合结构进行退火处理，使得施主晶片在脆弱区发生剥离，从而在衬底晶片表面附着施主晶片薄层结构，形成复合功能材料结构。
形成复合功能材料结构方法

[发明专利]一种形成复合功能材料结构的方法-CN201110086465.X无效
发明人：张轩雄;杨帆 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：所述方法，包括如下步骤：注入原子种类作用于施主晶片，在离子注入投影射程周围形成脆弱区；将施主晶片和衬底晶片进行键合；对键合后的结构在低真空下进行两步退火热处理，使得脆弱区从施主晶片剥离，在衬底晶片上形成薄层结构；对于剥离后的施主晶片和含有薄层结构的衬底晶片进行处理，得到所要求厚度的施主材料和所需要的复合功能材料结构。
一种形成复合功能材料结构方法

[实用新型]可调控光照环境的光伏设施农业系统-CN201821287530.9有效
发明人：秦文军;汤洋;侯孟婧;朱海明;宗龙 -专利权人：国家能源投资集团有限责任公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： A01G9/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可调控光照环境的光伏设施农业系统，包括：农业设施主体，农业设施主体包括框架和设置在框架上的透明墙体，透明墙体至少部分具有可打开的第一位置和可关闭的第二位置；光电转换机构，光电转换机构包括光伏组件和驱动件，光伏组件设置在农业设施主体上，驱动件设置在农业设施主体上并与光伏组件连接，以驱动光伏组件相对农业设施主体的位置调整；控制组件，控制组件与驱动件连接以控制驱动件。
农业设施设施农业系统光伏组件光伏驱动件光电转换机构本实用新型光照环境控制组件透明墙体可调控太阳能发电控制驱动件第二位置第一位置位置调整可打开可关闭内植物有效地采光遮挡驱动

[实用新型]一种多功能组合娱乐设施-CN202020027876.6有效
发明人：江奇斌 -专利权人：广州市新成长教育科技有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： A63G31/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能组合娱乐设施，涉及娱乐设施领域，包括设施主体，所述设施主体的一端设置有滑梯，且设施主体远离滑梯的一端设置有攀岩架，所述设施主体的一侧设置有楼梯，且设施主体的顶端设置有防护板，所述滑梯的一端设置有隔档板
一种多功能组合娱乐设施

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201280050659.7有效
发明人：水岛智教;小林勇介 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明的半导体装置具备施主层(3)，施主层(3)通过对利用质子照射形成的结晶缺陷进行热处理而形成在n^-型半导体基板(1)的n型漂移层(2)。施主层(3)具有由杂质浓度为极大的部位、以及从该杂质浓度为所述极大的部位朝向n型漂移层(2)的两主面侧下降到与n型漂移层(2)相同的杂质浓度为止的浓度梯度部位构成的杂质浓度分布。通过将上述施主层(3)设置在n型漂移层(2)，从而即使在为了提高施主层(3)的杂质浓度而提高利用质子照射形成的结晶缺陷密度的情况下，扔能抑制导通电压的上升以及漏电流的增加。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]通过共同注入和热退火获得质量改进的薄层的方法-CN200480021578.X有效
发明人： C·马勒维尔;E·尼雷特;N·本·穆罕默德 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2004-07-29 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造在衬底上的包括半导体材料薄层的结构的方法，包括如下阶段：·在必须由其制作薄层的施主衬底的表面下进行粒子注入，以便在施主衬底的厚度中生成脆化区，·在进行注入之后，将施主衬底的表面与支撑衬底紧密接触，·在脆化区处分离施主衬底，以将施主衬底的一部分转移到支撑衬底上并且在支撑衬底上形成薄层，其特征在于：·注入阶段进行至少两种不同原子种类的共同注入，以便使在分离之后获得的结构水平面处的低频粗糙度降低到最小
通过共同注入退火获得质量改进薄层方法

[发明专利]半导体装置及电力变换装置-CN201810203934.3有效
发明人：田中香次 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及的半导体装置具有n型阴极层(5)、p型阴极层(6)及包含施主杂质及受主杂质的p‑型阳极层(3)，n型阴极层(5)的厚度大于等于p型阴极层(6)的厚度，p型阳极层(2)的厚度大于等于p‑型阳极层(3)的厚度，n型阴极层(5)的施主杂质浓度大于等于p型阴极层(6)的受主杂质浓度，p型阳极层(2)的受主杂质浓度大于等于p‑型阳极层(3)的施主杂质浓度，p‑型阳极层(3)的受主杂质浓度大于等于p‑型阳极层(3)的施主杂质浓度，p‑型阳极层(3)的施主杂质浓度大于等于n‑型漂移层(1)的施主杂质浓度。
半导体装置电力变换

[发明专利]一种降低直拉单晶氧施主的方法-CN201410616737.6在审
发明人：马洋;陈康;王军磊;王建平;谷守伟;贾海洋;王永青;梁山;王岩;徐强;郝勇 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低直拉单晶氧施主的方法，包括引晶步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤、收尾步骤和控氧步骤。本发明采用降低炉压加快主泵抽气速率，增大氩气流量，更快的带走SiO挥发气体，减少进入熔硅中氧的含量；降低单晶生长的坩埚的转速，减缓熔硅与石英坩埚反应，减少进入熔硅中氧的含量，从而减少进入单晶中氧含量，从根源上降低P型单晶氧施主效应；增大籽晶的转速，加快结晶潜热释放，提高冷却速度，让单晶快速通过氧施主形成区域，降低氧施主效应。
一种降低直拉单晶氧施主方法

[发明专利]激光感应热成像装置和使用其制造有机发光二极管的方法-CN200610142214.8有效
发明人：鲁硕原;李城宅;金茂显;金善浩;宋明原;成镇旭;李在濠;姜泰旻;金镇洙;郭鲁敏 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： B41M5/40 文献下载
摘要：一种激光感应热成像装置和使用该装置制造有机发光二极管的方法，它能在真空状态下进行激光感应热成像时减少或防止受主衬底和施主膜之间杂质或孔隙的出现。一种激光感应热成像装置，包括：包含用于接收成像层的受主衬底的衬底台，该成像层在受主衬底上形成；电磁体；具有永磁体的、设置和层叠在衬底台上的施主膜，且电磁体与施主膜的永磁体形成磁力；用于将激光发射到施主膜的激光振荡器
激光感应成像装置使用制造有机发光二极管方法

[发明专利]多载波数字选频无线直放站系统及其多载波数字选频方法-CN200710030675.0无效
发明人：胡应添;张远见;杨林军;张跃军 -专利权人：京信通信系统（中国）有限公司
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H04B7/26 文献下载
摘要：多载波数字选频无线直放站系统，施主天线输出端依次通过施主终端双工器、下行射频接收机子系统、下行多载波数字中频处理子系统、下行射频发射机子系统、移动终端双工器与重发天线输入端连接；重发天线输出端依次通过移动终端双工器、上行射频接收机子系统、上行多载波数字中频处理子系统、上行射频发射机子系统、施主终端双工器与施主天线输入端连接。
载波数字无线直放站系统及其方法

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