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[发明专利]一种功率模块封装结构-CN201711408785.6在审
发明人：张敏;麻长胜;聂世义;王晓宝;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：其包括基板，所述基板上钎焊两个直接敷铜基板，所述两个直接敷铜基板上钎焊IGBT芯片和二极管芯片，功率端子和控制功率端子通过钎焊或超声焊接于所述直接敷铜基板，两个所述直接敷铜基板均设置集电极、发射极和控制极，一个所述直接敷铜基板的集电极通过铝线或铜线连接另一个所述直接敷铜基板的发射极，一个所述直接敷铜基板的控制极连接另一个所述直接敷铜基板。
一种功率模块封装结构

[实用新型]一种功率模块封装结构-CN201721815994.8有效
发明人：张敏;麻长胜;聂世义;王晓宝;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：其包括基板，所述基板上钎焊两个直接敷铜基板，所述两个直接敷铜基板上钎焊IGBT芯片和二极管芯片，功率端子和控制功率端子通过钎焊或超声焊接于所述直接敷铜基板，两个所述直接敷铜基板均设置集电极、发射极和控制极，一个所述直接敷铜基板的集电极通过铝线或铜线连接另一个所述直接敷铜基板的发射极，一个所述直接敷铜基板的控制极连接另一个所述直接敷铜基板。
直接敷铜基板钎焊功率模块封装本实用新型发射极集电极控制极基板二极管芯片晶体管结构铝线参数差异超声焊接工艺结构功率端子控制功率铜线兼容性杂散生产

[发明专利]新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块-CN200910097410.1有效
发明人：刘志宏;金晓行;姚礼军;张宏波;沈华 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块，它包括基板、直接敷铜基板(DBC)、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、集电极和发射极组成。本发明具有兼容性好，应用的电流范围大，生产成本低的特点。
新型直接敷铜基板布局绝缘极性晶体管模块

[实用新型]新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块-CN200920116978.9有效
发明人：刘志宏;金晓行;姚礼军;张宏波;沈华 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型直接敷铜基板布局的绝缘栅双极性晶体管模块，它包括基板、直接敷铜基板(DBC)、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、集电极和发射极组成。本实用新型具有兼容性好，应用的电流范围大，生产成本低的特点。
新型直接敷铜基板布局绝缘极性晶体管模块

[发明专利]一种小功率绝缘栅双极性晶体管全桥模块-CN201410033919.0有效
发明人：吕镇 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种小功率绝缘栅双极性晶体管全桥模块，它主要包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片、功率端子、信号端子、外壳和卡环，所述基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合，功率端子和直接敷铜基板也通过钎焊结合，所述的基板采用铜基板并作为散热底板,所述的铜基板与外壳通过卡环以及密封胶结合固定；所述的铜基板分布有两块结构不同的直接敷铜基板，且两块直接敷铜基板在铜基板长度方向呈一字型排列且以其中心线对称分布；两块直接敷铜基板之间留有0.8-1.2mm宽的沟道；它具有散热性好，生产及材料成本低的特点。
一种功率绝缘极性晶体管模块

[实用新型]一种小功率绝缘栅双极性晶体管全桥模块-CN201420045596.2有效
发明人：吕镇 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：一种小功率绝缘栅双极性晶体管全桥模块，它主要包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片、功率端子、信号端子、外壳和卡环，所述基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合，功率端子和直接敷铜基板也通过钎焊结合，所述的基板采用铜基板并作为散热底板,所述的铜基板与外壳通过卡环以及密封胶结合固定；所述的铜基板分布有两块结构不同的直接敷铜基板，且两块直接敷铜基板在铜基板长度方向呈一字型排列且以其中心线对称分布；两块直接敷铜基板之间留有0.8-1.2mm宽的沟道；它具有散热性好，生产及材料成本低的特点。
一种功率绝缘极性晶体管模块

[发明专利]带门极电阻布局的功率MOSFET模块-CN200910097414.X有效
发明人：金晓行;刘志宏;胡少华;朱翔;李冯;沈华 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种带门极电阻布局的功率MOSFET模块，它主要包括基板、直接敷铜基板(DBC)、功率MOSFET晶体管芯片、门极电阻和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，门极电阻，功率MOSFET晶体管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、源极和漏极组成。本发明具有兼容性好，应用的电流范围大，均流性能好，生产成本低的特点。
带门极电阻布局功率 mosfet 模块

[实用新型]带门极电阻布局的功率MOSFET模块-CN200920116982.5有效
发明人：金晓行;刘志宏;胡少华;朱翔;李冯;沈华 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2009-04-02 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带门极电阻布局的功率MOSFET模块，它主要包括基板、直接敷铜基板(DBC)、功率MOSFET晶体管芯片、门极电阻和功率端子，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合，门极电阻，功率MOSFET晶体管芯片和直接敷铜基板(DBC)之间通过钎焊结合，基板和直接敷铜基板(DBC)通过钎焊结合。基板上钎焊有两组四块直接敷铜基板(DBC)，每块直接敷铜基板(DBC)都由门极、源极和漏极组成。本实用新型具有兼容性好，应用的电流范围大，均流性能好，生产成本低的特点。
带门极电阻布局功率 mosfet 模块

[发明专利]一种具有测温功能的双面散热功率半导体模块总成-CN202210469828.6在审
发明人：钟华;刘志强;赵慧超;王斯博;王宇;文彦东 -专利权人：中国第一汽车股份有限公司
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有测温功能的双面散热功率半导体模块总成，包括：第一功率端子、第二功率端子、冷却器、双面敷铜基板、散热铜板、测温电阻、半导体芯片、敷铜基板、绑定线和信号端子；所述冷却器上表面与所述双面敷铜基板连接，所述双面敷铜基板上表面与所述半导体芯片和所述第二功率端子连接，所述半导体芯片上表面与所述散热铜板连接，所述散热铜板上表面与所述敷铜基板和所述第一功率端子连接，所述敷铜基板上表面与所述测温电阻连接，所述绑定线将所述测温电阻和半导体芯片的电气信号引出至所述敷铜基板上，所述双面敷铜基板上表面还与所述信号端子连接，解决了现有技术中测温不准、散热能力差、杂散参数大的缺陷。
一种具有测温功能双面散热功率半导体模块总成

[实用新型]厚铜敷接陶瓷基板-CN201420654710.1有效
发明人：王坤;黄礼侃;冯家云 -专利权人：南京中江新材料科技有限公司
申请日： 2014-11-05 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本实用新型提供一种厚铜敷接陶瓷基板，包括陶瓷基板和厚铜，厚铜的上表面设有凹槽，陶瓷基板置于凹槽内，陶瓷基板的上表面和/或下表面敷接薄铜层，厚铜的厚度为0.7-5.0mm，陶瓷基板的厚度为0.3-1.0mm，薄铜层的厚度为0.1-0.5mm。避免了敷接过程中由于膨胀形变导致陶瓷基板产生微裂纹，甚至破碎的问题，本实用新型制得的厚铜敷接陶瓷基板具有优良的导热性能。
厚铜敷接陶瓷

[发明专利]一种敷铜或敷铜合金氧化铝陶瓷基板及其制备方法-CN202010397699.5有效
发明人：潘伟;刘广华 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-05-12 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：一种敷铜或敷铜合金氧化铝陶瓷基板及其制备方法。所述制备方法选用金属铜或铜合金粉体，通过大气等离子喷涂技术将金属铜或铜合金粉体在熔融状态下喷涂在覆盖有特定图案掩模版的氧化铝陶瓷基板表面，调整诸多工艺参数和等离子体喷枪结构制备出铜或铜合金与氧化铝陶瓷界面结合强度高、电导率高的氧化铝陶瓷敷铜基板。本发明直接将金属铜或铜合金粉末喷涂在氧化铝陶瓷基板得到敷铜陶瓷基板，将金属铜或铜合金粉末喷涂在敷盖有电路图案的掩模的氧化铝陶瓷基板上，得到不同图案且线宽精度高的敷铜电路陶瓷基板。本发明是一种新的敷铜或铜合金氧化铝陶瓷基板及制备方法，该方法简单，可以实现快速、大面积制备，降低成本，具有广阔的应用前景。
一种铜合金氧化铝陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高可靠性的大功率绝缘栅双极性晶体管模块-CN201110447375.9无效
发明人：吕镇 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高可靠性的大功率绝缘栅双极性晶体管模块，它包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片、可键合型电阻、NTC电阻、功率端子、信号端子和外壳，基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合，可键合型电阻、NTC电阻和直接敷铜基板之间也通过钎焊结合，信号端子、功率端子和直接敷铜基板通过超声焊接结合。
一种可靠性大功率绝缘极性晶体管模块

[发明专利]相控阵有源天线阵面多层敷铜基板焊接方法-CN201710843741.X有效
发明人：李颖凡;林佳星;何小峰;林奈;王文川;陈中良 -专利权人：西南电子技术研究所（中国电子科技集团公司第十研究所）
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明提出的一种相控阵有源天线阵面多层敷铜基板焊接方法，旨在提供一种可有效避免多层敷铜基板焊接质量不稳定的焊接方法。本发明通过下述技术方案予以实现：制备一个与多层敷铜基板外形一致的工装及其圆阵分布在工装基座的L形夹具；腔体结构件正面焊接区域施加钢网印刷焊料，并放置加热器的回流加热板上；制备一个与多层敷铜基板外形一致的工装及其圆阵分布在工装基座的L形夹具；多层敷铜基板表面安装有SMP焊接面朝上，固定在工装基座凸起面，在腔体结构件反面SMP安装孔内放置焊料环、SMP射频接插件及施加助焊剂；多层敷铜基板背面搪锡，将多层敷铜基板用销钉固定在涂有助焊剂腔体结构件焊接面，置于加热器的回流加热板上；热回流正面焊接多层敷铜基板与腔体结构件，同时对腔体结构件腔体背面焊接SMP射频接插件。
相控阵有源天线阵多层敷铜基板焊接方法

[实用新型]一种高可靠性的大功率绝缘栅双极性晶体管模块-CN201120558735.8有效
发明人：吕镇 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高可靠性的大功率绝缘栅双极性晶体管模块，它包括基板、直接敷铜基板、绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片、可键合型电阻、NTC电阻、功率端子、信号端子和外壳，基板和直接敷铜基板通过钎焊结合，绝缘栅双极性晶体管芯片、二极管芯片和直接敷铜基板之间通过钎焊结合，可键合型电阻、NTC电阻和直接敷铜基板之间也通过钎焊结合，信号端子、功率端子和直接敷铜基板通过超声焊接结合。
一种可靠性大功率绝缘极性晶体管模块

[发明专利]一种散热基板及其制备方法和功率器件-CN202310801327.8在审
发明人：郑永范;李启国;陈敏 -专利权人：广汽埃安新能源汽车股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：一种散热基板及其制备方法和功率器件，属于功率器件技术领域。功率器件包括散热基板和芯片。其中，散热基板包括基板主体、丝网吸液芯和壳体。其中，基板主体包括沿厚度方向依次设置的第一敷铜层、陶瓷基板、第二敷铜层和烧结形成的多孔铜吸液芯，第一敷铜层用于与芯片焊接；丝网吸液芯与多孔铜吸液芯贴合；壳体具有一端开口的空腔，壳体罩设于丝网吸液芯与多孔铜吸液芯，且壳体开口边缘与第二敷铜层密封连接，以将多孔铜吸液芯和丝网吸液芯密封在空腔内；空腔内灌注有液体工质。利用本申请示例提供的散热基板对芯片进行散热，壳体提高功率器件的散热效率。
一种散热及其制备方法功率器件

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