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[发明专利]一种掺铒的铝酸钇钙激光晶体的制备方法-CN201110165064.3无效
发明人：陈辉宇;周崇岭 -专利权人：上海衍易电气设备科技有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：∶CaCO3=x∶(1-x)∶1∶2进行配料，其中x取0.003～0.015，放入研钵中混和并研磨，放入在液压机上压成料片，在1400℃下烧结合成多晶块料；将步骤<1>所述多晶块料取出放入铱金坩埚置于提拉炉中，采用提拉法生长Er:CaYAlO4单晶。本发明生长的Er:CaYAlO4单晶具有较大尺寸、晶体光学质量高、完整无开裂以及物化性能较好，吸收和发射谱非均匀展宽，可用做实现飞秒锁模激光输出，是一种优良的发光基质晶体材料。
一种铝酸钇钙激光晶体制备方法

[发明专利]直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置-CN200710058315.1有效
发明人：任丙彦;任丽 -专利权人：任丙彦
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置。该装置是专门用于生长掺镓硅单晶热场装置。单晶炉中装料，降籽晶，下降引细径，晶转提拉，等径生长，控制压力、拉速、氩气流速和晶转，调埚位保持导流筒下沿与液面之间的距离和埚转，按常规工艺调节、收尾和冷却；其中细径拉速为1.5～6.5mm/分钟，细径长度不小于160mm，细径直径≤3mm；转肩拉速1.6～2.6mm/分钟，转肩1/2后拉速调至1.2mm/分钟。本发明掺镓硅单晶的电阻率在投料量42～45公斤的Φ16″热装置下生长的Φ150mm，P<100>硅单晶的电阻率为0.5Ω·cm～3Ω·cm，从头部至尾部完全分布在所需的电阻率范围之内，为高效太阳能电池的提高效率并抑制效率衰减创造了工业化的基础
直拉法生长掺镓硅单晶方法装置

[外观设计]半导体单晶炉-CN201830293272.4有效
发明人：赖章田;贺贤汉;夏孝平;黄保强;杨志艮 -专利权人：上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：半导体单晶炉。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于提拉法半导体晶体生长炉中。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
外观设计半导体单晶俯视图省略仰视半导体晶体生长提拉法炉中图片

[实用新型]一种单晶炉提拉头动平衡校验装置-CN201820011386.X有效
发明人：万喜增;胡卫红;杨高林 -专利权人：浙江中晶科技股份有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本实用新型提供种单晶炉提拉头动平衡校验装置，包括标准平板、放置板、籽晶提拉部固定组件、旋转防倾斜保护组件以及悬浮式支撑组件；籽晶提拉部固定组件设置于放置板上，该籽晶提拉部固定组件包括下连接板、支撑件以及籽晶提拉部放置件；旋转防倾斜保护组件包括三组沿放置板周向均布的防倾斜保护件；悬浮式支撑组件包括一端与标准平板相连接其另一端与所述放置板点接触的缓冲调节件、大小调节件；通过设置籽晶提拉部固定组件对籽晶提拉部进行固定，并配合悬浮式支撑组件的点接触对籽晶提拉部固定组件进行籽晶提拉部转动过程中高精度的动平衡校验，解决了籽晶提拉部会因质量分布不均匀而造成转动的不平稳影响单晶硅的均匀性的技术问题。
提拉部籽晶固定组件放置板悬浮式支撑防倾斜动平衡校验装置单晶炉提拉头保护组件标准平板点接触本实用新型动平衡校验单晶硅大小调节缓冲调节下连接板质量分布周向均布转动过程组件包括保护件不均匀放置件均匀性支撑件转动不平配合

[实用新型]一种直拉法生产单晶硅用掺杂装置-CN201120245224.0有效
发明人：成文辉 -专利权人：西安华晶电子技术股份有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直拉法生产单晶硅用掺杂装置，包括盛装需添加掺杂剂的装料器、将装料器固定在籽晶夹头上的固定件和通过撞击重锤带动装料器晃动并使需添加掺杂剂自动加入石英坩埚内的撞击装置，籽晶夹头固定在重锤正下方，重锤通过拉绳悬吊在位于单晶炉副炉室上方的提拉机构上，固定件固定安装在籽晶夹头上且装料器固定安装在固定件上，撞击装置位于重锤外侧。本实用新型结构简单、设计合理、加工制作及安装方便且使用操作简便、使用效果好，能简便、快速且高质量地完成掺杂剂的自动加入过程，并有效解决现有单晶炉存在的掺杂剂加入不便、花费时间长、影响单晶硅生产效率、易出现因掺杂剂加入量不足而导致单晶电阻率准确性受影响等问题
一种直拉法生产单晶硅掺杂装置

[实用新型]一种制备高纯金属细晶棒的装置-CN202122692885.4有效
发明人：李清宇;何志达;朱刘 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种制备高纯金属细晶棒的装置，包括：单晶炉；设置在所述单晶炉底部的坩埚；设置在所述单晶炉侧壁上的手套真空盲板；设置在所述单晶炉内部侧壁上的原料放置架；设置在所述单晶炉内部侧壁上的晶体放置架本实用新型提供的制备高纯金属细晶棒的装置在单晶炉上安装手套真空盲板和放置架，可以对炉内进行加料和剪晶棒操作，因此可以连续生产，不用每次提拉后停炉装料，这样就可以大幅提高生产效率。
一种制备高纯金属细晶棒装置

[发明专利]一种多根籽晶棒连续生长氧化镓单晶的生产方法及装置-CN202111654433.5在审
发明人：张辉;金竹;夏宁;刘莹莹;马可可;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多根籽晶棒连续生长氧化镓单晶的生产方法及装置，生产装置包括立柱、主炉室、复投装置，立柱侧面安装有至少两个带提拉头装置的副室，主炉室内部设有坩埚和加热组件，复投装置包括料仓，料仓安装在主炉室上，料仓上设有加料口、加料管，加料管末端伸入主炉室内并对准坩埚，料仓顶部和副室底部均设有翻板阀，提拉头装置驱动籽晶棒下降打开翻板阀后伸入主炉室的坩埚内，驱动籽晶棒上升直至籽晶棒回收至副室内，立柱旋转预定角度后各副室依次与料仓对接，并按以下方法生产：首次装料与化料；提拉；取棒与冷却；换室与连续拉制；停炉和清炉。本发明具有连续生产多根氧化镓单晶棒，方便加料，无需重复加热等优点。
一种籽晶连续生长氧化镓单晶生产方法装置

[发明专利]YB2单晶的用途-CN00133608.8无效
发明人：宋有庭;吴星;倪代秦 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2000-11-28 - 公布日： 2002-06-26 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及YB2单晶的用途,即作为外延GaN单晶薄膜的衬底材料。其步骤为利用熔盐籽晶提拉法或区熔法生长YB2单晶,经定向、切割、抛光制成以(0001)面为主表面的衬底,并在其上利用MOCVD或MBE技术外延生长GaN单晶薄膜。YB2作为外延GaN单晶薄膜的衬底材料,可降低外延生长GaN单晶薄膜的位错密度;晶体比较容易生长;且在外延温度下不会挥发污染外延真空室。
yb2 用途

[发明专利]一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法-CN201210188943.2有效
发明人：李国岭;李立本;王丹丹;陈志红;黄东;陈庆东 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种大尺寸钒酸铋单晶的制备方法，将Bi2O3和V2O5按1：1的摩尔比混合压制成料块后装入刚玉杯中，在温度800oC下烧结10小时；烧结后装入直径150mm、高80mm、壁厚2.2mm的铱坩埚，然后放入单晶提拉炉，提拉炉内冲入N2气氛，使炉中氧分压为1%；以<100>方向的YVO4晶体作为籽晶，控制铱坩埚底部温度为960—980oC，生长晶体提拉速度为1mm/h，转速为8rpm；晶体停止生长后，放置24小时，取出，即获得BiVO4单晶。
一种尺寸钒酸铋单晶制备方法

[实用新型]用于生长掺杂直拉晶体的掺杂装置-CN201120503113.5有效
发明人：方峰;高朝阳;邓德辉;郑沉;王学峰 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：该掺杂装置与单晶炉的提拉轴连接，但掺杂单元的轴线不与石英坩埚的轴线和/或单晶炉的提拉轴重合，该掺杂单元相对于石英坩埚的轴线处于偏心状态。本实用新型的掺杂装置具有两个或三个掺杂单元，每个掺杂单元的轴线均不与石英坩埚的轴线和/或单晶炉的提拉轴重合，每个掺杂单元相对于石英坩埚的轴线均处于偏心状态。
用于生长掺杂晶体装置

[发明专利]单晶生长装置及使用该装置的单晶生长方法-CN201580044303.6有效
发明人：星亮二;镰田洋之 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置，其特征在于，该单晶生长装置具备：主腔室，其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器；以及提拉腔室，其与该主腔室的上部连接，提拉并收纳生长的单晶硅由此，提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。
生长装置使用方法

[实用新型]单晶炉内的单晶棒称重系统-CN201220030514.8有效
发明人：武泉林;朱海波 -专利权人：阿特斯（中国）投资有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单晶炉内的单晶棒称重系统，包括软轴轮，缠绕于软轴轮上以进行单晶炉内的单晶棒提拉的软轴，称重传感器，设置于软轴与称重传感器之间以传递重量的传递机构，显示单晶炉内的单晶棒重量数据的显示装置，以及连接于称重传感器与显示装置之间、以进行称重传感器的输出数据存储、检测及校准补偿的补偿装置，从而可提高单晶拉制过程中整个重量段的测量精度。
单晶炉内单晶棒称重系统

[发明专利]一种单晶提拉炉及其利用单晶提拉炉制造二元或多元合金的方法-CN201110134983.4有效
发明人：程川 -专利权人：程川
申请日： 2011-05-24 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶提拉炉，上保温筒内设置有隔热罩，隔热罩内设置有冷却气喷嘴系统，所述副炉室下端连接有水冷套。同时公开了利用单晶提拉炉制造二元或多元合金的方法，晶体通过置于熔体上方的水冷套、冷却气体喷嘴系统及由隔热保温材料制成的隔热罩使沾取在合金锭下方的薄层熔体快速冷却至低共熔温度以下的温度区而固化。本发明在常规单晶提拉炉的基础上，增设了水冷套、隔热罩、冷却气喷嘴系统，制造的合金锭在每一个细小的区域都非常均匀的合金，并且能够积累得到大体积二元或多元合金锭。
一种单晶提拉炉及其利用制造二元多元合金方法

[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法以及使用了石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法-CN201780030444.1在审
发明人：岸弘史;长谷部幸太;安部贵裕;藤原秀树 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够经受多次提拉等极长时间的单晶提拉工序的石英玻璃坩埚及其制造方法。石英玻璃坩埚(1)具备：有底圆筒状坩埚主体(10)，由石英玻璃制成；以及第1含有结晶化促进剂的涂膜(13A)，通过基于切克劳斯基法进行的单晶硅的提拉工序中的加热，以在坩埚主体(10)的内表面(10a)的表层部形成由圆顶状或柱状晶粒的集合制成的内侧结晶层的方式形成于所述内表面
石英玻璃坩埚提拉单晶硅内表面制造结晶化促进剂切克劳斯基法圆筒状坩埚石英玻璃柱状晶粒坩埚主体结晶层圆顶状单晶等极涂膜加热集合

[发明专利]一种由多晶原料制备铽镓石榴石单的方法-CN202010180146.4在审
发明人：侯田江;马晓 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：base:Sub>3和Tb4O7原料按照预设比例进行配料，混匀后装入模具压制成致密原料块；(2)提拉炉装配：将致密原料块装入安装在单晶提拉炉内温场内的坩埚中，并装好上部温场、籽晶杆及籽晶，用籽晶末端标定坩埚顶部高度，密封装配提拉炉并形成无氧气氛；(3)多晶原料合成：采用中频感应加热，梯度控制其功率，使得致密原料块自下而上、自外而内逐步烧结并最终熔融；(4)下降籽晶：下降籽晶杆使得籽晶杆末端接触多晶原料熔体液面；(5)提拉生长：引晶生长铽镓石榴石晶体，并降温退火获得单晶铽镓石榴石晶体。
一种多晶原料制备石榴石方法