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[实用新型]背接触电池-CN202023283894.X有效
发明人：李硕;杨慧;邓伟伟;蒋方丹 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供一种背接触电池，包括硅基底、设置在所述硅基底背面的金属电极，所述硅基底的背面形成有间隔排布的第一掺杂层与第二掺杂层，所述第一掺杂层与第二掺杂层的掺杂类型相反，且所述第一掺杂层的厚度小于第二掺杂层的厚度；所述硅基底的背面还凹陷形成有位于相邻所述第一掺杂层与第二掺杂层之间的沟槽。所述背接触电池通过对掺杂类型不同第一掺杂层与第二掺杂层进行区分设计，并在相邻的第一掺杂层与第二掺杂层之间设置沟槽进行电性隔离，结构简洁，有效避免漏电异常，提高电池性能。
接触电池

[实用新型]瞬变电压抑制二极管-CN201922445887.6有效
发明人：顾兴冲;贾雪松;高超 -专利权人：力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种瞬变电压抑制二极管，包括：衬底；位于所述衬底背面的第一电极；位于所述衬底正面的第一离子掺杂区；位于所述第一离子掺杂区远离所述第一电极一面的多个第二离子掺杂区；所述第二离子掺杂区的离子掺杂浓度，大于所述第一离子掺杂区的离子掺杂浓度；所述第一离子掺杂区掺杂有第一类型离子，所述第二离子掺杂区掺杂有第二类型离子；覆盖所述第二离子掺杂区及所述第一离子掺杂区的第二电极。本实用新型实施例能够实现第一离子掺杂区和第二电极的欧姆接触。
电压抑制二极管

[发明专利]一种太阳能电池及制备方法-CN201910247636.9在审
发明人：黄文洋 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：其中，所述太阳能电池包括：包括由下到上依次层叠排列的衬底、至少两节子电池和接触层，在相邻两节子电池之间设置一个隧穿结，隧穿结包括层叠排列的n型第一掺杂层、n型第二掺杂层、p型第一掺杂层和p型第二掺杂层，n型第一掺杂层和n型第二掺杂层相邻，p型第一掺杂层和p型第二掺杂层相邻，n型第一掺杂层和p型第一掺杂层相邻；n型第一掺杂层的n型离子的掺杂浓度高于n型第二掺杂层的掺杂浓度，p型第一掺杂层的p型离子的掺杂浓度高于p型第二掺杂层的掺杂浓度。
一种太阳能电池制备方法

[发明专利]硅基可调光衰减器及其制作方法-CN201911367770.9在审
发明人：周扬 -专利权人：中兴光电子技术有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基可调光衰减器，包括：脊波导、非掺杂区、第一P型掺杂区域、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区、第二N型掺杂区；脊波导设置于所述非掺杂区一侧的表面上；第一P型掺杂区、第一N型掺杂区分别设置于所述脊波导两侧；第二P型掺杂区、第二N型掺杂区分别设置于脊波导两侧；第二N型掺杂区与第一P型掺杂区同侧设置；第二P型掺杂区与第一N型掺杂区同侧设置；第一P型掺杂区与第二N型掺杂区电性连接；第一N型掺杂区与第二P型掺杂区电性连接
硅基可调光衰减器及其制作方法

[发明专利]反熔丝存储单元及其制作方法-CN201910745176.2在审
发明人：冯鹏;李雄 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种反熔丝存储单元及其制作方法，反熔丝存储单元包括：衬底，所述衬底上具有选择栅极结构；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别位于选择栅极结构相对两侧的所述衬底内，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同；位于所述第一掺杂区上的反熔丝栅介质层和位于所述反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极；第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区与所述选择栅极结构之间，所述第三掺杂区的与所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同，且所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂区的掺杂离子浓度
反熔丝存储单元及其制作方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202310417511.2在审
发明人：杨杰;杨航 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体器件功耗大的问题，该半导体结构包括衬底，衬底包括多个间隔设置的有源区；有源区中具有源极和漏极，源极和漏极之间具有栅极，栅极下方有沟道区；源极和漏极均包括掺杂区，源极的掺杂区和漏极的掺杂区沿栅极的中轴线对称设置；各掺杂区包括第一子掺杂区、第二子掺杂区和第三子掺杂区，第一子掺杂区、第二子掺杂区和第三子掺杂区由顶部至底部依次设置，第三子掺杂区靠近沟道区的一端向第一子掺杂区延伸并与第一子掺杂区连接；其中，第一子掺杂区和第三子掺杂区的掺杂浓度大于第二子掺杂区的掺杂浓度。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]基于类二极管可控硅的静电保护器件-CN202211699057.6在审
发明人：赖大伟;王迪;邹池佳;郑飞君 -专利权人：杭州傲芯科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于类可控硅二极管的静电保护器件，包括：半导体基板；深埋层隔离区，嵌埋至所述半导体基板中；第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区，依次设置在所述深埋层隔离区上；多个浅沟槽隔离区，依次设置在第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区的各交界面的上半部分，将这四个区域在表层隔离；在第一N型掺杂区、第一P型掺杂区、第二N型掺杂区和第二P型掺杂区上，从左至右依次设置有第三N型掺杂区，第三P型掺杂区，第四P型掺杂区，第四N型掺杂区；接地端，通过第五P型掺杂区与半导体基板电连接；输入端，通过第四P型掺杂区与半导体基板电连接；输出端。
基于二极管可控硅静电保护器件

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201310365802.8有效
发明人：刘金华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法，其中晶体管包括半导体衬底的表面具有第一掺杂区，第一掺杂区内具有第一掺杂离子，第一掺杂区内的第一掺杂离子具有第一浓度；位于第一掺杂区部分表面且具有第一掺杂离子的半导体层，半导体层内的第一掺杂离子具有第一浓度；位于半导体层内的第二掺杂区，第二掺杂区位于半导体层侧壁和顶部的表面，第二掺杂区内具有第一掺杂离子，第二掺杂区内的第一掺杂离子具有第二浓度，第二浓度大于第一浓度；位于半导体层两侧侧壁内的第二掺杂区表面的栅极结构；位于半导体层和栅极结构两侧的部分第一掺杂区和部分半导体衬底内的漏区，漏区内具有第一掺杂离子，漏区内的第一掺杂离子具有第二浓度。
晶体管及其形成方法

[发明专利]光电二极管、其制作方法及图像传感器件-CN201410103890.9有效
发明人：马燕春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：其中光电二极管包括N型掺杂区，形成在衬底的内部；第一P型掺杂区，形成在N型掺杂区的内部；第二P型掺杂区，形成在衬底中，位于N型掺杂区上方，且下表面与N型掺杂区相连。该制作方法包括对衬底的上表面进行掺杂形成N型掺杂预备区；对N型掺杂预备区的内部进行掺杂，形成第一P型掺杂区；对衬底的上表面进行二次掺杂，以在第一P型掺杂区的上方形成第二P型掺杂区，并形成与第二P型掺杂区下表面相连的N型掺杂区。上述光电二极管中第一P型掺杂区会在N型掺杂区中形成PN结耗尽层，进而能够提高光电二极管的光电转换效率。
光电二极管制作方法图像传感器

[发明专利]恒流二极管及其制造方法-CN201410542544.0有效
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种恒流二极管及其制造方法，该恒流二极管包括：衬底层；位于所述衬底层上的外延层；位于所述外延层中并与所述外延层背向所述衬底层的表面相贴的第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间，所述外延层背向所述衬底层的表面上设有与所述第一掺杂区及所述第三掺杂区对应的凹槽；其中，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为P型且所述第二掺杂区的掺杂类型为N型，或者，所述第一掺杂区与所述第三掺杂区的掺杂类型为N型且所述第二掺杂区的掺杂类型为P型。
二极管及其制造方法

[发明专利]掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池及制作方法-CN201110095579.0有效
发明人：钱锋;陈炯 -专利权人：上海凯世通半导体有限公司
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂单元，包括：一N型基底；形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域；形成于该P型重掺杂区域周围的P型轻掺杂区域；形成于该N型重掺杂区域周围的N型轻掺杂区域；该P型重掺杂区域与该N型重掺杂区域以及该P型重掺杂区域该N型轻掺杂区域互不接触，该N型重掺杂区域与该P型轻掺杂区域互不接触，其中所述P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明中P型重掺杂区域与N型重掺杂区域之间具有N型基底材料、P型轻掺杂区域和N型轻掺杂区域作为缓冲层，使得PN结之间不会因为耗尽层太薄而导致被击穿，由此形成的P+/P-/N/N-/N+结构的PN结使得载流子的迁移更均匀，速率更稳定，由此提高了该掺杂晶片的使用寿命。
掺杂单元晶片方法太阳能电池制作方法

[发明专利]一种硅基叉指型光电探测器-CN201910457128.3有效
发明人：徐科;孙路路 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基叉指型光电探测器，其包括衬底、位于衬底上的叉指结构的硅波导和金属电极，所述硅波导包括n型掺杂区、n型掺杂的叉指、p型掺杂区、p型掺杂的叉指，所述n型掺杂的叉指、p型掺杂的叉指位于n型掺杂区和p型掺杂区之间，所述n型掺杂的叉指、p型掺杂的叉指交替排列；所述n型掺杂的叉指与同侧的n型掺杂区接触，与p型掺杂区之间留有间隙；所述p型掺杂的叉指与同侧的p型掺杂区接触，与n型掺杂区之间留有间隙；通过金属电极和处于波导两侧并与波导相接的n型掺杂区、p型掺杂区相连。
一种硅基叉指型光电探测器

[发明专利]一种高触发电流的SCR ESD防护器件-CN200910233694.2无效
发明人：李海松;刘侠;王钦;杨东林;陈文高;易扬波 -专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-04-28 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种高触发电流的SCR ESD防护器件，包括P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上分别设置有N型掺杂阱和P型掺杂阱，在N型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在P型掺杂阱中设有N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区，在N型掺杂阱的表面的N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区的上面分别连接有阳极金属层和金属层，而在P型掺杂阱的表面的N型掺杂半导体区和P型掺杂半导体区的上面分别连接有金属层和阴极金属层，且阳极金属层和金属层之间通过由P型掺杂半导体区和N型掺杂半导体区构成的二极管连接，而金属层和阴极金属层之间直接用金属连接。
一种触发电流 scr esd 防护器件

[实用新型]一种太阳能电池-CN201920414640.5有效
发明人：黄文洋 -专利权人：东泰高科装备科技有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：其中，所述太阳能电池包括：包括由下到上依次层叠排列的衬底、至少两节子电池和接触层，在相邻两节子电池之间设置一个隧穿结，隧穿结包括层叠排列的n型第一掺杂层、n型第二掺杂层、p型第一掺杂层和p型第二掺杂层，n型第一掺杂层和n型第二掺杂层相邻，p型第一掺杂层和p型第二掺杂层相邻，n型第一掺杂层和p型第一掺杂层相邻；n型第一掺杂层的n型离子的掺杂浓度高于n型第二掺杂层的掺杂浓度，p型第一掺杂层的p型离子的掺杂浓度高于p型第二掺杂层的掺杂浓度。
掺杂层太阳能电池掺杂本实用新型隧穿结子电池两节制备光电转换效率层叠排列依次层叠接触层衬底

[实用新型]一种超结IGBT的半导体功率器件-CN202022095317.1有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超结IGBT的半导体功率器件，该器件包括：P型重掺杂衬底，P型重掺杂衬底上的N型重掺杂缓冲区，N型重掺杂缓冲区上的N型轻掺杂漂移区，N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂区和P型阱区，N型重掺杂区上的N型轻掺杂沟道区，该区设置在P型阱区中间，在P型阱区且靠近N型重掺杂区的N型轻掺杂区，N型轻掺杂区上的N型重掺杂源区，N型重掺杂源区相邻接的P型重掺杂源区，P型阱区和N型轻掺杂沟道区上的栅结构区，该栅结构区采用多晶硅和高K绝缘材料，N型/P型重掺杂源区引出发射极，栅结构引出栅极，P型重掺杂衬底下表面引出集电极。该器件通过N型轻掺杂区可以减小栅沟道的比导通电阻，通过超结可以提高该器件的开关速度。
一种 igbt 半导体功率器件

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