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[发明专利]原子层掺杂装置和方法-CN01816669.5有效
发明人： G·萨德胡;T·T·多安 -专利权人：微米技术股份有公司
申请日： 2001-08-22 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： C30B31/00 文献下载
摘要：揭示了一种改进的具有多个掺杂区域的原子层掺杂装置，其中首先沉积各种掺杂物质，然后将其中包含的掺杂物原子扩散到基层中。各个掺杂区域与相邻的掺杂区域化学隔离。对加载装置编程，使之以预定的传递次序将半导体基层移入和移出各个相邻的掺杂区域。根据所提供的掺杂区域数目，可同时处理多个基层并沿着掺杂区域的循环移动，直到取得所需的掺杂分布。
原子掺杂装置方法

[发明专利]铁电膜层的制造方法、铁电隧道结单元、存储器元件及其写入与读取方法-CN201710447991.1在审
发明人：刘福洲 -专利权人：萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：铁电隧道结单元包括：第一电极、第二电极以及一夹设于第一电极与第二电极之间的铁电膜层，构成铁电膜层的材料至少包括一基底材料以及一掺杂物，且基底材料包括两个氧化物，每一个氧化物是一碱土金属氧化物以及一过渡金属氧化物两者之中的至少一种，且掺杂物包括铝原子、硅原子、钛原子、钽原子、氮原子、镧原子、氮化钽、氮化钛或其组合。通过在铁电膜层的基底材料中加入不同的掺杂物以及调整掺杂物的浓度，可调变铁电膜层的矫顽电场。
铁电膜层掺杂物隧道结单元基底材料铁电读取存储器元件第二电极第一电极氧化物写入过渡金属氧化物碱土金属氧化物矫顽电场氮化钛氮化钽氮原子硅原子铝原子钛原子钽原子镧原子夹设可调制造应用

[发明专利]金属络合物作为 n －掺杂物用于有机半导体基质材料中的用途 ,有机半导体材料和电子元件以及掺杂物和配位体 ,及其生产方法-CN200580003728.9有效
发明人：安斯加尔·维尔纳;奥拉夫·库尔;西蒙·格斯勒;健多郎·哈拉达;霍斯特·哈特曼;安德烈·格鲁辛;迈克尔·利默特;安德里亚·卢克斯 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2005-03-03 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及金属络合物作为掺杂物用于掺杂有机半导体基质材料中的用途，以改变后者的电气特性，及构成基质的n－掺杂物的化合物。为了提供甚至具有低还原电位基质材料的n－掺杂有机半导体，同时实现高电导率，提出使用具有中心原子，优选价电子数至少为16的中性的或者带电过渡金属原子的中性富电子金属络合物，作为所述的掺杂物化合物。至少一个配位体与所述的中心原子可以形成π络合物；它是桥接配位体，尤其是hpp，硼酸酯，碳硼烷或者三氮杂环烷烃，或者可以包含至少一个负碳离子－碳原子或者选自C(碳烯)，Si(亚甲硅基)，Ge(亚甲锗基)，Sn，Pb的二价原子。本发明也涉及新颖的n－掺杂物和生产它们的方法。
金属络合物作为掺杂用于有机半导体基质材料中的用途有机半导体材料电子元件

[发明专利]一种掺杂稀土元素的荧光粉及其制备方法-CN200910247542.8有效
发明人：曾雄辉;徐科;王建峰;任国强 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：一种掺杂稀土元素的荧光粉，包括由掺杂有稀土元素的III族氮化物构成的多晶粉末，所述III族氮化物由氮原子和一种III族元素组成，所述多晶粉末中进一步包括替位掺杂物，所述替位掺杂物亦为一种III族元素或多种III族元素的组合，且替位元素的原子序数小于构成多晶粉末的III族元素的原子序数，所述替位掺杂物在多晶粉末中替代原有的III族元素形成替位缺陷。本发明的优点在于，通过引入替位掺杂物在多晶粉末中替代原有的III族元素形成替位缺陷，以改善因为III族元素和稀土元素之间由于较大的原子半径失配而造成的多晶粉体晶格畸变，从而提高粉体的发光性能。
一种掺杂稀土元素荧光粉及其制备方法

[发明专利]用于掺杂有机半导体基质材料的金属络合物-CN200910118264.6无效
发明人：安斯加尔·维尔纳;奥拉夫·库尔;西蒙·格斯勒;健多郎·哈拉达;霍斯特·哈特曼;安德烈·格鲁辛;迈克尔·利默特;安德里亚·卢克斯 -专利权人：诺瓦尔德股份有限公司
申请日： 2005-03-03 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C07F11/00 文献下载
摘要：本发明用于掺杂有机半导体基质材料的金属络合物。具体地，本发明涉及金属络合物作为掺杂物用于掺杂有机半导体基质材料中的用途，以改变后者的电气特性，及构成基质的n-掺杂物的化合物。为了提供甚至具有低还原电位基质材料的n-掺杂有机半导体，同时实现高电导率，提出使用具有中心原子，优选价电子数至少为16的中性的或者带电过渡金属原子的中性富电子金属络合物，作为所述的掺杂物化合物。至少一个配位体与所述的中心原子可以形成π络合物；它是桥接配位体，尤其是hpp，硼酸酯，碳硼烷或者三氮杂环烷烃，或者可以包含至少一个负碳离子-碳原子或者选自C(碳烯)，Si(亚甲硅基)，Ge(亚甲锗基)，Sn，Pb的二价原子。本发明也涉及新颖的n-掺杂物和生产它们的方法。
用于掺杂有机半导体基质材料金属络合物

[发明专利]一种纳米掺杂结构及其制备方法-CN201210452796.5有效
发明人：马大衍;王红波;马飞;徐可为 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米掺杂结构及其制备：1）先将纳米材料放置于原子层沉积系统反应腔内；2）用原子层沉积方法沉积厚度为1-2个循环的掺杂物材料；3）沉积厚度为X个循环的纳米材料的基体材料；4）交替循环沉积Y个周期上述2）、3）中所述掺杂物和基体材料层，X的选择根据实际掺杂比例而定，X越小掺杂比例越大，Y的选择根据实际需要的掺杂层厚度而定，Y越大掺杂层越厚，本发明采用原位原子层沉积技术，工艺过程简单，易于实现，反应温度低
一种纳米掺杂结构及其制备方法

[发明专利]半导体的图案化离散纳米级掺杂、所述半导体的制造方法和包含所述半导体的制品-CN201910627069.X在审
发明人：张远逸;勝又麗香;李明琦;B·C·蒲柏雷;A·T·海特斯彻;P·特雷福纳斯三世;R·A·西格尔马恩 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司;加利福尼亚大学董事会
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L21/388 文献下载
摘要：本文公开了一种用于掺杂衬底的方法，所述方法包括在衬底上设置包含含掺杂物的共聚物和溶剂的组合物；并且将衬底在750℃至1300℃的温度下退火0.1秒至24小时，以使掺杂物扩散到衬底中；其中含掺杂物的共聚物包含不含掺杂物的聚合物和含掺杂物的聚合物；并且其中含掺杂物的聚合物是具有共价键合或离子键合的掺杂物原子的聚合物，并且以比不含掺杂物的聚合物更小的体积分数存在。
掺杂物聚合物衬底退火掺杂物扩散掺杂物原子共聚物包含共价键合离子键合体积分数共聚物溶剂掺杂

[发明专利]掺杂有锑以避免或限制掺杂物扩散的垂直二极管-CN200680042220.4无效
发明人：坦迈·库马尔;S·布拉德·赫纳 -专利权人：桑迪士克3D公司
申请日： 2006-11-08 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明描述在具有垂直掺杂物分布的半导体结构中使用锑作为n型增强导电性掺杂物。掺杂物易于扩散，且难以维持陡的掺杂梯度。具体地说，当硅层中掺杂有磷或砷(两者都是n型掺杂物)时，由于未经掺杂的硅沉积在n型掺杂层之上，所以掺杂物原子趋向于向表面移动，从而在沉积期间上升穿过未经掺杂的硅。锑不具有此趋向，且还比磷或砷扩散得更慢，且这将有利地用于掺杂此类结构。
掺杂避免限制扩散垂直二极管

[发明专利]制造存储器单元法、制造存储器单元装置法和存储器单元-CN201310463189.3有效
发明人： C.布克塔尔;J.鲍尔;岑柏湛;M.施蒂夫廷格 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：电荷储存存储器单元结构具有第一侧墙和与第一侧墙相对的第二侧墙；在衬底和电荷储存存储器单元结构上形成导电层；对导电层进行图案化以在电荷储存存储器单元结构的第一侧墙处形成间隔壁并且在第二侧墙处形成阻挡结构；注入第一掺杂物原子以在靠近间隔壁的衬底中形成第一掺杂区，其中第一掺杂物原子被阻挡结构阻挡；在注入第一掺杂物原子之后去除阻挡结构；注入第二掺杂物原子以在靠近电荷储存存储器单元结构的第二侧墙的衬底中形成第二掺杂区。
制造存储器单元装置

[其他]半导体的光致核嬗变掺杂-CN87100971无效
发明人：戴维·詹姆斯·索利·芬德利 -专利权人：英国原子能管理局
申请日： 1987-02-24 - 公布日： 1987-09-09 - 主分类号： C30B31/00 文献下载
摘要：一种用于掺杂半导体材料的工艺及设备，借助于光致核反应，将其中的半导体材料的原子嬗变为选择掺杂物的原子。
半导体光致核嬗变掺杂

[发明专利]最小化N型掺杂物扩散的经沉积半导体结构和制造方法-CN200680052354.4有效
发明人： S·布拉德·赫纳 -专利权人：桑迪士克3D公司
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：在经沉积的硅中，例如磷和砷等n型掺杂物倾向于去往在沉积层时升高的所述硅的表面。当在未提供n型掺杂物的情况下在n掺杂硅上沉积第二未掺杂或p掺杂硅层时，第一厚度的此第二硅层仍倾向于包括从较低层向上扩散的非所要的n型掺杂物。当锗与所述硅合金化时，此去往表面的行为减少。在本发明中，沉积第一重度n掺杂半导体层(优选至少10原子％锗)，接着沉积具有极少或无n型掺杂物的硅锗封盖层，接着沉积具有极少或无n型掺杂物并少于10原子％锗的层。所述第一层和所述封盖层中的所述锗使n型掺杂物进入上方少锗层中的扩散最小化。
最小化掺杂扩散沉积半导体结构制造方法

[发明专利]一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料及其生长方法-CN200910247541.3无效
发明人：曾雄辉;王建峰;徐科;任国强;张永红;杨辉 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2009-12-30 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：一种掺杂稀土元素的化合物半导体材料，所述半导体材料是由III族元素和V族元素构成的晶体材料，并掺杂有稀土元素，所述晶体材料中进一步包括替位掺杂物，所述替位掺杂物为一种III族元素或多种III族元素的组合，且所含有的III族元素的原子序数小于构成晶体材料的III族元素的原子序数，所述替位掺杂物在晶体中替代原有的III族元素形成替位缺陷。本发明的优点在于，通过在材料中掺杂原子序数较小的元素，形成替位缺陷，以改善半导体材料由于掺杂稀土元素而引起的晶格畸变，从而提高材料的发光效率。
一种掺杂稀土元素化合物半导体材料及其生长方法

[发明专利]硅片器件的低温掺杂方法-CN200780023661.4无效
发明人：西瓦·西沃思撒曼;迈赫迪·法鲁克-巴鲁吉 -专利权人：阿里斯技术公司
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在所选级别的硅衬底上沉积掺杂硅层的低温方法和系统的结构。硅衬底用作光吸收体，而掺杂硅层用作发射体。该方法包括以下操作：将硅衬底定位到适于在该硅衬底上化学气相沉积掺杂硅层的沉积室中，该硅衬底的外表面适用于促进晶体膜生长；使用多个工艺参数调节所述掺杂硅层的生长，该多个工艺参数包括，第一工艺参数，用于抑制掺杂物原子扩散进入该硅衬底外表面的工艺温度，和第二工艺参数，用于提供影响掺杂硅层原子结构的层结晶度的过量氢原子的氢稀释度；把沉积室中的硅衬底的所述外表面暴露于合适环境的化学气相沉积条件下的蒸气，该蒸气包括硅原子、掺杂物原子和过量氢原子，该原子用于生长掺杂硅层；在外表面上开始掺杂硅层的生长以形成掺杂硅层和硅衬底之间的一个界面，以使掺杂硅层包括第一原子结构区域与相邻的第二原子结构区域，该第一原子结构区域具有仅次于界面的高的层结晶度质量，该第二原子结构区域具有低的层结晶度质量，伴随晶体缺陷的密集度的增加，界面上的掺杂硅层的厚度增加。
硅片器件低温掺杂方法

[发明专利]使用保形掺杂物膜沉积在3D结构中的保形卤素掺杂-CN201880055784.4在审
发明人：程睿;杨奕;K·嘉纳基拉曼;A·B·玛里克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文所描述的实施方式总体上涉及在衬底上的三维(3D)结构的掺杂。在一些实施方式中，可以在所述3D结构上方沉积含保形掺杂物的膜。可掺入在膜中的合适的掺杂物包括卤素原子。之后，可以将所述膜退火以将所述掺杂物扩散到所述3D结构中。
使用掺杂沉积结构中的卤素

[发明专利]掺杂的钠阳极、具有掺杂的钠阳极的电池及其使用方法-CN202180073614.0在审
发明人： Y·程;T·徐 -专利权人：北伊利诺伊大学董事会
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01M4/40 文献下载
摘要：电池的阳极包括钠金属和在所述钠金属中的掺杂物。阳极具有至多80μm的厚度，并且掺杂物为电负性大于钠的金属。电池中的阳极包括掺杂有掺杂物的钠金属，并且掺杂物以0.01至1.0原子％的量存在。
掺杂阳极具有电池及其使用方法

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