本发明公开了一种均衡SiC MOS MMC子模块器件损耗的方法,将子模块的工作模式分为同步整流模式和非同步整流模式,以SiC MOSFET的沟道双向导通特性为基础,通过不断的调整电流阈值,使得两种工作模式在整个工作周期内自适应的进行转换,从而调整两种工作模式在整个工作周期内的占比,实现MMC子模块器件的损耗最小化,该方法从器件控制角度出发,不改变换流器输出电能质量,利用SiC MOSFET沟道可双向导通电流的特性,在MMC输出波形不变的情况下实现子模块器件损耗的均衡,不会对MMC系统顶层控制造成影响;另外,该方法不需要增加额外的功率器件,适用于最基础的半桥子模块拓扑,不受拓扑的限制,可实现‑π/2至π/2的全功率因数范围内的损耗均衡,适用场景丰富。