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[发明专利]一种基于简化模型的铁磁元件漏抗测量方法-CN201510898354.7有效
发明人：梁仕斌;刘涛;刘鑫;彭庆军;王磊;田庆生;韩德孝 -专利权人：云南电力试验研究院（集团）有限公司;云南电网有限责任公司电力科学研究院;重庆大学;云南电力技术有限责任公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：一种基于简化模型的铁磁元件漏抗测量方法，本发明在较复杂的铁磁元件等效模型的基础上，忽略铁磁元件直流电阻、涡流损耗等效电阻和磁滞损耗等效电阻的影响，建立一种铁磁元件简化电路模型，在铁磁元件一侧施加频率为f的激励电压信号，用电信号测量装置测量励磁电压和励磁电流，并进行运算处理，得到施加激励电压一侧的铁磁元件漏抗。本发明能够应用到低漏磁型互感器并具有较大漏抗的铁磁元件漏抗的测量，特别适用于变压器剩漏抗的测量，具有测试原理简单、试验设备轻便、试验过程安全和效率高，测试结果准确的优点。 1
铁磁元件漏抗测量等效电阻简化模型互感器激励电压信号施加安全和效率测量励磁测量装置测试原理磁滞损耗等效模型电路模型激励电压励磁电流试验过程试验设备涡流损耗用电信号运算处理直流电阻低漏磁轻便变压器应用

[发明专利]抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法-CN202211068186.5在审
发明人：方彬;范亚明;曾中明 -专利权人：江西省纳米技术研究院
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器及信息存储方法。所述抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器包括至少一个磁存储单元，所述磁存储单元包括依次层叠设置的第一反铁磁层、磁性存储层、非磁性层、铁磁固定层以及第二反铁磁层，其中，所述磁性存储层和铁磁固定层的磁矩取向平行或反平行，并且所述磁性存储层的磁矩取向能够随通入所述第一反铁磁层的电流改变，且所述磁性存储层在零磁场时只对应一种电阻状态。本发明提供的一种抗磁场干扰的自旋轨道磁性随机存储器具有抗外部磁场干扰、热稳定性高等特点。
磁场干扰自旋轨道磁性随机存储器信息存储方法

[发明专利]抗铁磁材料膜和包括其的磁阻效应器件-CN200410071615.X有效
发明人：山野辺尚;藤冈直美;石上隆;胜井信雄;福家广美;齐藤和浩;岩崎仁志;佐桥政司;渡辺高志 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 1997-11-20 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗铁磁材料膜，它是通过使用溅射靶的溅射方法成膜的，所述溅射靶主要含有选自Ni、Pd、Pt、Co、Rh、Ir、V、Nb、Ta、Cu、Ag、Au、Ru、Os、Cr、Mo、W和Re的至少一种R元素，30～98at％的范围的Mn，并且其包括选自R元素和Mn的合金相和化合物相的至少一种相作为靶结构的至少一部分，所述抗铁磁材料膜由所述溅射靶中的所述R元素和Mn的合金形成。通过应用这种抗铁磁材料膜，当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时，可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。
抗铁磁材料包括磁阻效应器件

[发明专利]一种抗直流偏置铁基纳米晶合金磁芯及制备方法-CN201811074077.8在审
发明人：周国华;李忞;毛文龙;黄从伟 -专利权人：江西中磁科技协同创新有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01F1/147 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗直流偏置铁基纳米晶合金磁芯及制备方法，所说铁基合金材料各成分所占的重量比例为，Si 9‑12％，B 7‑10％，Nb 3‑5％，Cu 1‑2％，M 6‑12％，余下为Fe，M为Ni、Co本发明抗直流偏置铁基纳米晶合金磁芯能够在宽频下保持较高恒定磁导率，同时具备良好的抗饱和能力和抗DC‑Bias特性。
铁基纳米晶合金抗直流偏置磁芯制备铁基合金材料恒定磁导率抗饱和能力宽频

[发明专利]增大笼型异步电机转子端环漏抗的方法-CN202210765589.9在审
发明人：王榕生;赖联锋;颜桂炀;宁世超;梁国祥 -专利权人：宁德师范学院
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H02K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种增大笼型异步电机转子端环漏抗的方法，所述的方法为：在转子端环外表面包裹一层铁磁材料包裹层，该铁磁材料包裹层为端环电流所产生的漏磁场提供高导磁率的闭合磁路。本发明采用增大转子端环漏抗降低异步电机起动电流的方法，其基本思想是，在转子端环表面包裹一层铁磁材料，该铁磁材料为端环电流所产生的漏磁场提供高导磁率的闭合磁路，使交链于端环电流的漏磁场数值显著增强，于是异步电机转子端环漏抗值显著提升由于端环漏抗是异步电机转子漏抗的组成部分，端环漏抗值的提升也就增大了转子漏抗值，必然使异步电机起动电流随之下降。
增大异步电机转子端环漏抗方法

[实用新型]铁硅电抗器的铁心结构-CN201520696100.2有效
发明人：岳泽;陈志锋 -专利权人：苏州吴变电气科技有限公司
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：铁硅电抗器的铁心结构，涉及电抗器领域。本实用新型解决了常规的电抗器采用硅钢片或非晶铁心，电抗器噪音较大，对生产工艺要求很高，且其抗直流饱和能力较弱的问题。铁硅电抗器的铁心结构，它由多个长方体块状的铁硅磁芯拼装成口字形空心柱状铁心；相接触的铁硅磁芯粘结固定；所述的口字形空心柱状铁心由多层口字形铁硅磁芯组构成。本实用新型的铁硅电抗器的铁心结构采用长方体块状的铁硅磁芯拼装灵活，可组合成各种尺寸的铁芯结构，相接触的铁硅磁芯粘结固定，降低了电抗器的噪音，提高电抗器的抗直流饱和能力。
电抗铁心结构

[发明专利]一种磁多层膜结构及自旋转移矩磁随机存储器-CN202011586313.1有效
发明人：闵泰;周雪;郭志新;李桃 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电辅助电场调控人工反铁磁固定层的磁多层膜结构及自旋转移矩磁随机存储器(STT‑MRAM)。磁多层膜结构包括：自由层，间隔层，人工反铁磁固定层，铁电层。其中铁电层产生极化电场和电荷转移效应使人工反铁磁固定层反铁磁耦合增强，保证固定层中靠近间隔层的磁性层不进行翻转，实现数据的稳定写入。所述磁性随机存储器，具有隐定性高、功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。
一种多层膜结构自旋转移随机存储器

[发明专利]抗直流分量电流互感器磁芯及其制造方法和用途-CN200510077418.3有效
发明人：刘宗滨;于均;周谦莉;戴晓毅 -专利权人：安泰科技股份有限公司;钢铁研究总院
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗直流分量电流互感器磁芯及其制造方法和用途，该磁芯由高导磁磁芯A和抗饱和磁芯B复合而成，磁芯A为铁基纳米晶合金、坡莫合金中的一种，磁芯B为铁基非晶合金，所述的磁芯A为铁基纳米晶时，其合金成分为％，B 1.3～2％，Cu 0.8～1.5％，M4～7％，M′0.001～0.05％，其余为Fe和不可避免的杂质，其中，M为Mo和/或Nb，M′为改进加工性能的元素Al和/或Ti；退火步骤为：将卷绕好磁芯A在530～560℃进行应力退火，将磁芯B在400～500℃进行表面晶化退火。该复合磁芯综合了高导磁合金和抗饱和合金的优点，既具有高饱和磁感应强度Bs，又同时兼有高磁导率、低铁损，具有比现有技术更好的综合磁特性，使互感器工作在有直流分量的情况下仍具有小的比差和角差。
直流分量电流互感器及其制造方法用途

[发明专利]用于垂直磁性隧道结(P-MTJ)的合成抗铁磁(SAF)耦合自由层-CN201580035682.2在审
发明人： C·朴;M·G·戈特瓦尔德;K·李;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了一种磁阻式随机存取存储器(MRAM)中的磁性隧道结(MTJ)器件以及制造该器件的方法，以达成高隧道磁阻(TMR)、高垂直磁各向异性(PMA)、良好的数据留存、以及高水平的热稳定性。MTJ器件包括第一自由铁磁层、合成抗铁磁(SAF)耦合层、以及第二自由铁磁层，其中第一和第二铁磁层具有相反的磁矩。
用于垂直磁性隧道 mtj 合成抗铁磁 saf 耦合自由

[实用新型]一种铁基纳米晶磁粉芯-CN201620422610.5有效
发明人：郭海;门贺;霍利山;崔冉 -专利权人：宁波中科毕普拉斯新材料科技有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01F3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁基纳米晶磁粉芯，所述铁基纳米晶磁粉芯为环形磁粉芯结构；所述环形磁粉芯由绝缘磁粉颗粒构成；所述绝缘磁粉颗粒包括铁基非晶合金粉和包覆在铁基非晶合金粉外部的绝缘层。本实用新型的铁基纳米晶磁粉芯具有稳定的磁导率、低的铁芯损耗和优异的抗直流偏置能力，综合性能优异，有望用做各种开关电源模块上的滤波、稳流和储能等各种电感元件。
一种纳米晶磁粉芯

[发明专利]基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置-CN201810738861.8有效
发明人：闵泰;周雪;张林;王蕾 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置，装置涉及到一种可以作为自由磁性层的多层膜结构，即人工反铁磁装置。人工反铁磁装置作为自由磁性层可以通过电场调控，实现反铁磁态到铁磁态的转变，该人工反铁磁装置可以作为磁性隧道结的自由磁性层，其靠近磁性隧道结势垒层的铁磁层在电场与电流的共同作用下进行翻转，从而实现数据的写入所述基于人工反铁磁自由层的磁性隧道结构成磁性随机存储装置，通过电场和电流的共同作用达到写入数据的目的，结构简单，具有功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。
基于人工反铁磁自由隧道器件磁性随机存储装置

[发明专利]基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结器件及随机存储装置-CN201810837874.0有效
发明人：闵泰;周雪;王蕾 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结器件及随机存储装置，装置涉及到一种可以作为固定层的多层膜结构，即人工反铁磁装置。人工反铁磁装置可以通过电场调控，使其反铁磁耦合增强，该人工反铁磁装置可以作为磁性隧道结的固定层，在电场的作用下反铁磁耦合增强，保证固定层靠近势垒层的铁磁层不进行翻转，从而实现数据的稳定写入。所述基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结构成磁性随机存储装置，通过电场和电流的共同作用达到稳定写入数据的目的，结构简单，具有密度高、功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。
基于人工反铁磁固定磁性隧道器件随机存储装置

[发明专利]溅射靶,用其制成的抗铁磁材料膜和磁阻效应器件-CN97191773.6有效
发明人：山野辺尚;藤冈直美;石上隆;胜井信雄;福家广美;齐藤和浩;岩崎仁志;渡辺高志;佐桥政司 -专利权人：东芝株式会社
申请日： 1997-11-20 - 公布日： 1999-03-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：用这种溅射靶,可以稳定由抗腐蚀性和耐热性优良的RMn合金组成的抗铁磁材料膜的膜成分和膜质量。通过应用这种抗铁磁材料膜,当堆叠该抗铁磁材料膜和铁磁材料膜形成交互耦合膜时,可以稳定地得到足够高的交互耦合力。这种交互耦合膜可以用于磁阻效应器件等。
溅射制成抗铁磁材料磁阻效应器件

[发明专利]非易失性存储器-CN201780086672.0有效
发明人：简·泽曼;安德烈·保罗·米哈伊;邹斌;大卫·博尔德林;叶夫根尼·唐切夫 -专利权人： IP2IPO创新有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种非易失性存储器单元，包括：存储层，其包括铁磁或铁电材料，其中数据可记录为磁的或电的极化的方向；压磁层，其包括抗钙钛矿压磁材料，该抗钙钛矿压磁材料取决于压磁层中的磁性状态和应变而选择性地具有对存储层的第一类效应和对存储层的第二类效应；以及应变诱导层，其用于在压磁层中诱导应变，从而使压磁层从第一类效应切换到第二类效应。
非易失性存储器

[发明专利]一种基于复合磁芯的抗直流电流互感器及其制造方法-CN201110427083.9无效
发明人：靳绍平;张春强;赵震宇;李东江;张翠琴;宁涛;刘见;李水仙;熊敏南 -专利权人：江西省电力科学研究院
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01F38/28 文献下载
摘要：一种基于铁基非晶/超微晶复合磁芯的抗直流低压电流互感器及其制造方法，所述方法依据互感器误差理论，铁基非晶材料的导磁率较超微晶磁芯稍差具有饱和磁感系数大的特点，当被测电流含直流分量时不易出现饱和的原理，将原有电流互感器超微晶磁芯（1）与铁基非晶磁芯（2）按比例叠加构成复合磁芯，可实现在半波直流负荷状态下的电能量准确计量且误差＜1%，同时满足相关规程的技术要求。本发明可操作性强，将原有电流互感器超微晶磁芯与铁基非晶磁芯按比例叠加构成复合磁芯即可。具有不改变原有电流互感器绕制技术、浇注技术、安装方式、更换方便等优点。本发明适用抗直流电流互感器的设计、制造。
一种基于复合直流电流互感器及其制造方法

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