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- [发明专利]抗蚀剂剥离液-CN201980094538.4在审
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渊上真一郎;鬼头佑典;小池至人
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松下知识产权经营株式会社
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2019-03-25
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2021-11-05
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G03F7/42
- 因此，为了在元件形成时不发生失败，光致抗蚀剂的烧成温度上升，光致抗蚀剂变得难以剥离。另外，由于使用大量的抗蚀剂剥离液，因此为了降低其成本，需要再生率高的抗蚀剂剥离液。提供一种抗蚀剂剥离液，其能够将经硬烘焙的抗蚀剂剥离，还能够进行蒸馏再生，所述抗蚀剂剥离液的特征在于，包含：2级环状胺化合物；极性溶剂，所述极性溶剂包含作为直链酰胺的选自N‑甲基甲酰胺、N,N‑二甲基甲酰胺、N,N‑二乙基甲酰胺、N,N‑二甲基乙酰胺、N,N‑二乙基乙酰胺中的至少一种、2‑吡咯烷酮及水；以及0.0001～0.01质量％的金属表面保护剂，前述直链酰胺的含量比前述2‑吡咯烷酮的含量多。
- 抗蚀剂剥离
- [发明专利]抗蚀剂剥离液-CN201980094596.7在审
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渊上真一郎;鬼头佑典
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松下知识产权经营株式会社
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2019-03-25
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2021-11-05
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G03F7/42
- 因此，为了在元件形成时不发生失败，光致抗蚀剂的烧成温度上升，光致抗蚀剂变得难以剥离。另外，由于使用大量的抗蚀剂剥离液，因此为了降低其成本，需要再生率高的抗蚀剂剥离液。提供一种抗蚀剂剥离液，其能够将经硬烘焙的抗蚀剂剥离，还能够进行蒸馏再生，所述抗蚀剂剥离液的特征在于，包含：3级多胺化合物；极性溶剂，所述极性溶剂包含作为直链酰胺的选自N‑甲基甲酰胺、N,N‑二甲基甲酰胺、N,N‑二乙基甲酰胺、N,N‑二甲基乙酰胺、N,N‑二乙基乙酰胺中的至少一种、2‑吡咯烷酮及水；以及0.0001～0.01质量％的金属表面保护剂，前述直链酰胺的含量比前述2‑吡咯烷酮的含量多。
- 抗蚀剂剥离
- [发明专利]抗蚀剂剥离液-CN201680043525.0有效
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渊上真一郎;鬼头佑典;铃木靖纪
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松下知识产权经营株式会社
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2016-11-29
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2019-10-18
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G03F7/42
- 在半导体装置等的制造工艺中，避免在比以往高的温度下进行固化的抗蚀剂的固化不良。因此，需要比以往剥离力强的剥离液。一种抗蚀剂剥离液，其能够剥离经高温烘烤的抗蚀剂膜、也不引起对金属膜表面、截面的腐蚀，该抗蚀剂剥离液为：作为胺类，包含伯胺或仲胺中的至少一者；作为极性溶剂，包含2‑吡咯烷酮(2P)和1‑甲基‑2‑吡咯烷酮(NMP)中的至少一者、丙二醇(PG)、及水；作为添加剂，包含肼，所述胺类多于3质量％且为40质量％以下，所述丙二醇多于10质量％且不足40质量％，所述水多于5.0质量％且不足30.0质量％。
- 抗蚀剂剥离
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