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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]扩散烧焦片挑选装置-CN201720109198.6有效
发明人：李海波;穆林森;邢显邦;农直民;王晋磊;李赟;刘晋;王钰钧;李琳 -专利权人：苏州润阳光伏科技有限公司
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型专利公开了一种方便扩散烧焦片挑选装置，该装置主要由底板和支撑条组成。支撑条采用粘合剂粘于底板的中间，支撑条的长度和底板相同，略小于扩散制结载体长度。本实用新型适用于扩散制结检验工序，主要用于扩散制结后烧焦片的挑选工作，有效解决了原有方法费时费力，碎片率高的问题，增加了员工的工作效率，提升了合格品率。
扩散烧焦挑选装置

[发明专利]一种高效晶硅太阳能电池片的生产工艺-CN201510382944.4在审
发明人：陈光 -专利权人：陈光
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效晶硅太阳能电池片的生产工艺，包括以下工序：清洗制绒、扩散制结、刻蚀、镀膜、印刷、烧结和测试，硅片由装卸和传输机构依次传送到各工序进行加工处理，其特征在于：所述清洗制绒工序和扩散制结工序之间增加第一翻转机构和第一倒片机构、扩散制结工序和刻蚀工序之间增加第二倒片机构和第二翻转机构。本发明在生产工艺中增加了若干翻转机构和倒片机构，极大地提高了硅片的传输效率，有利于扩散工序的自动化生产和提高产品的合格率，同时大大节约了人工成本。
一种高效太阳能电池生产工艺

[实用新型]硅太阳电池片的光致热扩散制结装置-CN201020696015.3无效
发明人：袁晓;柳翠 -专利权人：袁晓;柳翠
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅太阳电池片的光致热扩散制结装置，用于在硅片上形成P-N结或高低结；包括加热光源和具有温度调节功能的背面温控装置，加热光源设置在背面温控装置的正上方。采用本实用新型的装置实现太阳电池扩散制结过程，相对于常规的高温热扩散工艺，工艺时间短、扩散层参数可控，可避免硅片因长时高温引起的热损伤，并且大幅提高了太阳电池性能，降低了生产成本。
太阳电池光致热扩散装置

[发明专利]晶硅太阳能电池的扩散方法及其应用-CN202210046733.3在审
发明人：任常瑞;孙海杰;董建文;张佳舟;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳能电池的扩散方法，对制绒后的硅片涂覆液态扩散源并烘干，对覆有扩散源的硅片进行激光掺杂，对完成激光掺杂的硅片进行链式高温推结和氧化处理，完成扩散PN结和表面PSG的制备。本发明可以制备扩散PN结，还能更好地控制方阻的一致性、提高方阻的均匀性。本发明与当前主流PERC电池制程契合度很高，可以直接代替传统扩散工序、加入PERC电池的制程中。
太阳能电池扩散方法及其应用

[发明专利]一种太阳能电池片组件的制作方法-CN201811583313.9在审
发明人：吴开澎;张舒;张翔 -专利权人：佛山胜凯科技服务有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池片组件的制作方法，包括以下步骤：硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、快速烧结。本发明采用硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率；使用扩散制结的方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。
一种太阳能电池组件制作方法

[发明专利]一种用于扩散制结的分类返工工艺-CN201710611577.X有效
发明人：贾宇龙;焦朋府;张雁东;王森栋;崔龙辉 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于扩散制结的分类返工工艺，对在扩散制结、去磷硅玻璃、制减反射膜三个工艺过程中产生的不合格太阳能电池硅片进行反洗形成返洗片，测量该返洗片的方阻值，如果该方阻值为85‑95Ω则直接进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理，如果方阻值大于95Ω则进行进舟、升温、恒温、变温沉积、恒温推进、降温、出舟，进行二次扩散处理，然后进行去磷硅玻璃、制减反射膜以及后续的工艺处理。本发明根据方阻值分类进行二次扩散，并采用适合返洗片的二次扩散工艺，使返洗片合格率提升至96%左右，同时提将产线的整体合格率提升至98%左右。
一种用于扩散分类返工工艺

[发明专利]硅太阳电池片的光致热扩散制结方法-CN201010620083.6无效
发明人：袁晓;柳翠 -专利权人：袁晓;柳翠
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅太阳电池片的光致热扩散制结方法，该方法是在硅片表面均匀涂覆一层N型浆料或P型浆料，用加热光源照射，使N型浆料或P型浆料在加热光源照射下快速升温，在高温作用下N型浆料或P型浆料中的掺杂剂向硅片表层扩散，形成P-N结或高低结。本发明采用光照致热的方式实现太阳电池扩散制结过程，相对于常规的高温热扩散工艺，本发明的工艺时间短、扩散层参数可控，可避免硅片因长时高温引起的热损伤，并且大幅提高了太阳电池性能，降低了生产成本。
太阳电池光致热扩散方法

[发明专利]一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法-CN201210056535.1有效
发明人：范志东;王静;张东升;赵学玲;吝占胜 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-03-06 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C30B31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅硅片制PN结两次扩散的制造方法，该方法包括：步骤S1恒定源扩散、步骤S2升温限定源扩散、步骤S3恒定源扩散。在本发明中，由于步骤S3恒定源扩散，增加了对多晶硅硅片表面杂质磷的沉积。因此，在步骤S1中，可以相应地减少一次沉积的杂质磷，从而避免了杂质磷的过量沉积。本发明所提供的多晶硅硅片制PN结两次扩散的制造方法能够实现解决多晶硅硅片制PN结后所存在的表面“死层”问题的目的。
一种多晶硅片两次扩散制造方法

[发明专利]一种可提高扩散均匀性的涂源扩散方法及扩散设备-CN201210475471.9在审
发明人：沈家军;严婷婷;艾凡凡;陈如龙;杨健 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供一种可提高扩散均匀性的涂源扩散方法及扩散设备。现有技术直接在清洗所形成的疏水性的硅片表面涂敷扩散源易造成扩散源收缩凝聚，从而导致扩散不均匀。本发明的可提高扩散均匀性的涂源扩散方法先提供完成制绒清洗的硅片，之后在所述硅片表面氧化形成氧化层，接着在所述硅片表面喷涂扩散源，最后进行热处理在所述硅片上形成PN结。本发明可有效提高扩散的均匀性，避免PN结未覆盖整个硅片表面。
一种提高扩散均匀方法设备

[发明专利]一种硼扩散制结的方法-CN202211056805.9在审
发明人：李增彪;华毓玮;胡克喜;任勇;周东;何悦;彭宏杰 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种硼扩散制结的方法，所述方法包括以下步骤：(1)制绒后的硅片在扩散装置中通入O2进行表面氧化；随后在扩散装置中通入携带硼源的小N2、小N2和大N2的流量，继续在硅片表面进行BSG沉积和推进，完成后，对扩散装置中的硅片进行吹扫；(2)将吹扫完成后的硅片转移至链式氧化装置中，在保护气氛下进行快速热处理，去除背面BSG层后完成硼扩散；所述方法在管式扩散中快速完成BSG沉积和短时间预推进，又借助快速热处理装置完成推结，保证了硅片均匀性的同时又大大节约了硼扩散制结时间
一种扩散方法

[发明专利]太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法-CN201310373013.9有效
发明人：胡海波 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池的扩散制结方法、太阳能电池及其制作方法。该扩散制结方法包括：步骤S1.在硅片的表面上生长SiO2层，得到预处理硅片；步骤S2.在预处理硅片的SiO2层上进行磷扩散。本发明在沉积P原子之前，在硅片表面沉积SiO2层，SiO2层就会对发射区起到很好的保护作用，降低不活泼磷原子的浓度，进而降低过饱和浅结磷扩所造成的硅表面晶格损伤。
太阳能电池扩散方法及其制作方法

[发明专利]硅片的扩散方法、太阳能电池及其制备方法-CN201811110269.X在审
发明人：刘志强;严健;王言芬;费正洪 -专利权人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片的扩散方法，包括如下步骤：S1：将制绒后的硅片放入扩散管中，扩散形成PN结；S2：对扩散管升温并向所述扩散管内通入氧气和氮气，以对硅片进行升温氧化，且升温后所述扩散管的温度高于扩散管在形成PN结时的温度；S3：对于升温氧化后的硅片在氮气氛围下进行降温退火；S4：将硅片退出扩散管。该硅片的扩散方法，在制作PN结完成后，增加了升温氧化与降温退火两步吸杂工艺；具体通过升温氧化过程中的氧化硅吸杂与降温退火过程中的晶界吸杂，可以减少硅片体内的杂质，降低硅片体内的复合中心，提高了少数载流子的寿命
硅片扩散方法太阳能电池及其制备

[发明专利]一种新的碱抛下实现LDSE的制备工艺-CN202010518932.0在审
发明人：杨飞飞;郭丽;张云鹏;李雪方;吕涛;杜泽霖;李陈阳;张波;赵科巍;鲁贵林 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：种新的碱抛下实现LDSE的制备工艺，顺序按照双面碱抛光、背面钝化及减反膜层、清洗制绒、扩散制结、激光掺杂、去PSG、正面氧化、正面氮化硅膜制备、背面激光开膜、丝网印刷及高温烧结工艺进行，背面钝化及减反膜层工艺步骤中，采用PECVD的方式，氮化硅膜层总厚度150‑200nm，氮化硅膜层保护下，背面不参与后续的清洗制绒、扩散制结、激光掺杂工艺，避免背面刻蚀对激光消融区域的刻蚀。
一种抛下实现 ldse 制备工艺

[发明专利]一种新的碱抛下实现LDSE的制备工艺-CN202010519453.0在审
发明人：杨飞飞;郭丽;张云鹏;李雪方;吕涛;杜泽霖;李陈阳;张波;赵科巍;鲁贵林 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：种新的碱抛下实现LDSE的制备工艺，顺序按照双面碱抛光、背面钝化及减反膜层、清洗制绒、扩散制结、激光掺杂、去PSG、正面氧化、正面氮化硅膜制备、背面激光开膜、丝网印刷及高温烧结工艺进行，背面钝化及减反膜层工艺步骤中，采用PECVD的方式，氮化硅膜层总厚度150‑200nm，氮化硅膜层保护下，背面不参与后续的清洗制绒、扩散制结、激光掺杂工艺，避免背面刻蚀对激光消融区域的刻蚀。
一种抛下实现 ldse 制备工艺

[发明专利]对基片进行湿法磷扩散和制绒的方法及制绒用的酸溶液-CN201010110071.9无效
发明人：倪党生;刘志伟;孙义荣;王亦天 -专利权人：上海思恩电子技术有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种对基片进行湿法化学磷扩散制PN结和制绒的方法，主要包括(1)采用磷酸对基片进行湿处理；(2)将基片送至加热炉中进行磷扩散，其中加热炉内的温度为800-900℃，加热时间为20-30分钟；(3)采用一种酸溶液对所述基片进行制绒，所述酸溶液是氢氟酸、硝酸、磷酸和表面活性剂的混合液；(4)最后用碱溶液和去离子水清洗基片并烘干。本发明使多晶硅基片单面扩散和制绒变得简单可行，不间断连续生产，极大提高了高质量PN结基片(如太阳能电池基片)的生产量，简单高效，成本低且无毒。
进行湿法扩散方法制绒用溶液

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