“成膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1688103个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]成膜装置及使用该成膜装置的成膜方法-CN200910165014.8有效
发明人：曾田岳彦;荣田正孝;宫田一史 -专利权人：佳能株式会社;株式会社日立显示器
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：提供一种成膜装置和使用该成膜装置的成膜方法，它们能够形成具有良好尺寸精度以及具有基板与掩模之间在将基板压向掩模时于平面方向上的减小的不对准的像素图案。该成膜装置包括使基板和掩模相互对准的对准机构以及用设置于挤压体的一端的接触部件将基板压向掩模的挤压机构，其中该挤压体被设置于真空室中。
装置使用方法

[发明专利]一种成膜装置、成膜方法及成膜源-CN201710192899.5有效
发明人：田宁;赵云;张为苍;李建华;杨辅 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种成膜装置、成膜方法及成膜源。该成膜装置包括具有成膜室、成膜源，成膜源包括加热坩埚、和至少两个缓冲件以及驱动件；其中，加热坩埚包括用于收容成膜材料的坩埚以及用于加热所述坩埚内的成膜材料的加热件；每一缓冲件包括恒温容器、位于恒温容器底部的下阀门本成膜装置控制膜厚时，无需要知道具体的材料蒸气压与温度之间的对应关系，只需要了解恒温容器的压力与膜厚之间的简单关系，简化工作难度，提高生产效率以及良品率。
一种装置方法成膜源

[发明专利]成膜速率检测模组、成膜设备、成膜速率检测方法-CN201710277788.4有效
发明人：蒋国;刘洋;尚跃东;李建;杨乐;刘金伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜速率检测模组、成膜设备、成膜速率检测方法，属于成膜速率检测技术领域，其可至少部分解决现有的成膜速率检测技术检测准确率低的问题。本发明的成膜速率检测模组包括：多个主传感器，其用于检测其上形成薄膜的速率；遮蔽各主传感器且具有主开口的主挡板，其能运动以使主开口轮流对应每个主传感器；辅传感器，其用于检测其上形成薄膜的速率；遮蔽辅传感器且具有辅开口的辅挡板
速率检测模组设备方法

[发明专利]成膜粉末、成膜方法以及成膜粉末的制备方法-CN201910642933.3有效
发明人：木村裕司;高井康;中村成亨 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C24/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜粉末、成膜方法以及成膜粉末的制备方法。具体涉及一种含稀土氟氧化物的成膜粉末，其平均颗粒尺寸D50为0.6μm至15μm，通过压汞法测量的≤10μm的孔隙的总体积为0.51cm3/g至1.5cm3/g，且BET表面积为3m2/g至50m2/g，该成膜粉末适于以高成品率或沉积率和高生产率来形成致密膜可通过在稀土氧化物颗粒表面形成稀土氟化铵复盐以提供前体颗粒，并在350℃至700℃的温度下对该前体颗粒进行热处理来制备具有较大孔隙体积的成膜粉末。
粉末方法以及制备

[发明专利]成膜设备和使用该成膜设备的成膜方法-CN201910599227.5有效
发明人：出村和哉;堀江贵将;小林宽之 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种成膜设备，所述成膜设备在腔室中包括：基材支撑机构，所述基材支撑机构构造成使由所述基材支撑机构支撑的基材围绕第一轴线旋转；以及第一阴极部分，成圆柱形状的包含成膜材料的靶安装在所述第一阴极部分上本公开还涉及一种成膜方法和制造镜头的方法。
设备使用方法

[发明专利]成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置-CN201110055790.X无效
发明人：岩田宽 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置，其谋求降低膜厚的同时不需要蚀刻工序且谋求低成本化，并且具有凹凸结构的薄膜层成膜于被成膜基板表面。成膜基板(1)为具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板，其凹凸结构通过成膜含氧化铟的薄膜层(3)而形成。另外，成膜基板(1)的制造方法为制造具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板(1)的方法，该制造方法具有薄膜工序，所述薄膜工序为如下工序：在被成膜基板(2)表面成膜含氧化铟的薄膜层(3)，并通过进行该成膜形成凹凸结构。由此，不需要用于形成凹凸结构的蚀刻工序，且谋求低成本化，并通过设成含氧化铟的透明导电膜(3)来降低膜厚。
成膜基板制造方法装置

[发明专利]成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜装置-CN201110295469.9无效
发明人：岩田宽 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜基板的制造方法、成膜基板及成膜装置，所述成膜基板实现了提高玻璃基板与钼层的粘附力。在含有预定量氧的第1气氛中，在玻璃基板(2)的表面成膜第1钼层(3a)，在含氧率低于第1气氛的第2气氛中，在第1钼层(3a)的表面成膜第2钼层(3b)。由此，能够在玻璃基板(2)上成膜包含氧化钼的粘附层(3a)，并在该粘附层(3a)上成膜钼层(3b)。
成膜基板制造方法装置

[发明专利]成膜掩模、成膜装置、成膜方法以及触摸面板基板-CN201480049663.0有效
发明人：杉本重人 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明涉及成膜掩模、成膜装置、成膜方法以及触摸面板基板。本发明为具备：第一掩模(2)，其形成有与在基板上成膜的薄膜图案相同的形状尺寸的多个第一开口图案(4)；以及第二掩模(3)，其形成内含上述多个第一开口图案(4)中的至少一个的大小的第二开口图案(10)，并以相对于该第一掩模
成膜掩模装置方法以及触摸面板

[发明专利]成膜装置以及使用该成膜装置的成膜方法-CN201480030615.7有效
发明人：濑川利规;石山敦;藤井博文 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2014-05-15 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种制冷剂泄漏的风险大幅度降低且能够提高冷却效率的成膜装置以及成膜方法。成膜装置(1)包括冷却部(4)、旋转台主体(11)、升降机构(5)以及制冷剂配管(6)，其中，冷却部(4)在腔室(2)的空间(2e)内冷却工件(W)，旋转台主体(11)在工件(W)被载置的状态下以垂直轴为中心旋转，且具有载置冷却部(4)的冷却部载置部(21)和被配置成包围该冷却部载置部(21)的周围且载置工件(W)的工件载置部(22)，升降机构(5)使冷却部(4)在空间(2e)内在第一位置与第二位置之间升降，第一位置是冷却部
装置以及使用方法

[发明专利]成膜成形体，成膜成形方法及成膜成形装置-CN200680007398.5有效
发明人：梅泽隆男 -专利权人：株式会社大岛电机制作所
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： B29C45/16 文献下载
摘要：在利用可动模具(9)、固定模具(10)，通过模具成形灯主体(2)、透镜部(3)的第一注射工序，将灯主体(2)形成膜(2b)的成膜工序，利用树脂材料(6)将灯主体(2)、透镜部(3)一体化的第二注射工序制造灯体利用第一注射工序和成膜工序之间的工序装入灯泡(4)，在这种装入状态下进行成膜，在灯泡(4)的前端部表面时形成表面(4c)的同时，隐藏在该膜(4c)的阴影下的部分被屏蔽，确保电绝缘性。
成形方法装置

[发明专利]成膜装置的清洁方法、成膜方法以及成膜装置-CN201080055541.4无效
发明人：岸本克史;一色和彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在第1条件下，使阴极电极（11）以及阳极电极（12）间产生等离子体。接下来，在与第1条件不同的第2条件下，使等离子体产生。第2条件与第1条件相比，是使等离子体在阴极电极（11）与阳极电极（12）间向外周方向扩散的条件。由此，除了电极上的附着物以外，还能够迅速地去除设置在电极的外周附近的部件上的附着物。
装置清洁方法以及

[发明专利]磁性膜成膜装置及磁性膜成膜方法-CN201780003366.6有效
发明人：小林洋介;岩井治宪;藤长徹志;井堀敦仁;谷典明 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：成膜装置具备：靶材(31)，包含磁性材料；搬送部(14)，支承基板(S)使基板(S)位于配置区域(R)，配置区域(R)是与靶材(31)相对的区域；以及第一磁场形成部(20)，相对于配置区域(R)位于靶材
磁性膜成膜装置方法

[发明专利]氧化膜成膜方法及氧化膜成膜装置-CN201180072244.5有效
发明人：织田容征;白幡孝洋;平松孝浩 -专利权人：东芝三菱电机产业系统株式会社
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C01B13/34 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化膜成膜方法，所述氧化膜成膜方法能够不受大气变动的影响地一直正常地形成氧化膜，在金属氧化膜的情况下能够形成低电阻的膜，并且成膜效率好。通过以上的处理，在本发明中，在基板上形成氧化膜。
氧化膜成膜方法装置

[发明专利]成膜掩膜-CN201811106536.6有效
发明人：水村通伸 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供成膜掩膜的制造方法，向树脂制的膜片(20)照射激光(L)而形成俯视下呈多边形的开口图案(4)，通过将使用光束整形用掩膜(10)进行整形的激光(L)向上述膜片(20)照射，来形成具有以开口从上述膜片(20)的与上述激光(L)的照射面相反的一侧朝向上述照射面侧扩大的方式倾斜的至少一对对置侧壁(4a)的开口图案(4)，其中光束整形用掩膜(10)具有供上述激光透过的透光窗(18)，且在该透光窗(18)的外侧使该透光窗
成膜掩膜

[发明专利]成膜掩膜-CN201380057122.8有效
发明人：水村通伸 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜掩膜，用于使蒸镀材料覆盖于基板上而形成薄膜图案，在该成膜掩膜中，具备薄板状的磁性金属部件(1)，其在与上述薄膜图案相对应的位置设置有形状尺寸比该薄膜图案大的贯通孔(4)；和树脂制的薄膜
成膜掩膜