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[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202010716476.0在审
发明人：大潭笃史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供一种获得能够以更高的膜厚精度形成薄膜的成膜对象物的运送速度的技术。成膜方法以横穿靶的方式相对于靶相对地运送成膜对象物，并通过对靶进行溅射的连续溅射，在成膜对象物上形成膜。成膜方法具有测量工序、保存工序、速度确定工序以及成膜工序。在测量工序中，预先测量成膜对象物的运送速度的倒数与成膜对象物上形成的膜的膜厚之间的对应关系。在保存工序中，保存对应关系。在速度确定工序中，根据膜厚的目标值与该对应关系，确定运送速度。在成膜工序中，以在速度确定工序中确定的运送速度运送成膜对象物，并通过连续溅射在成膜对象物上形成膜。
装置方法

[发明专利]硅膜的形成方法及其形成装置-CN201210218962.5有效
发明人：柿本明修;高木聪;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及硅膜的形成方法及其形成装置。硅膜的形成方法具备第1成膜工序、蚀刻工序、掺杂工序以及第2成膜工序。第1成膜工序中，以填埋被处理体的槽的方式形成不掺杂杂质的非掺杂硅膜。蚀刻工序中，对在第1成膜工序中被形成的非掺杂硅膜进行蚀刻。掺杂工序中，对在蚀刻工序中被蚀刻的非掺杂硅膜掺杂杂质。第2成膜工序中，以填埋在掺杂工序中被掺杂的硅膜的方式形成掺杂有杂质的硅膜。
形成方法及其装置

[发明专利]硅膜的形成方法及其形成装置-CN201110132231.4有效
发明人：柿本明修;高木聪;有贺纯史;木村法史;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种硅膜的形成方法及其形成装置。硅膜的形成方法具有第1成膜工序、蚀刻工序、第2成膜工序。在第1成膜工序中，以填埋被处理体的槽的方式形成硅膜。在蚀刻工序中，对在第1成膜工序中形成的硅膜进行蚀刻而扩大上述槽的开口部。在第2成膜工序中，以向在蚀刻工序中扩大了开口部的槽内填埋硅膜的方式进行成膜。由此，在表面形成有槽的被处理体的槽内形成硅膜。
形成方法及其装置

[发明专利]硅膜的成膜方法和基板处理装置-CN201910142632.4在审
发明人：冈田充弘;宫原达也;藤田圭介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能够形成表面平滑性优异的极薄膜的硅膜的硅膜的成膜方法和基板处理装置。一实施方式的硅膜的成膜方法具有如下工序：成膜工序，在该成膜工序中，在基底之上对比所期望的膜厚厚的膜厚的硅膜进行成膜；以及蚀刻工序，在该蚀刻工序中，向所述硅膜供给含有溴或碘的蚀刻气体而使所述硅膜的膜厚减少
硅膜成膜蚀刻基板处理装置成膜工序膜厚表面平滑性蚀刻气体基底薄膜期望

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202110652858.6在审
发明人：大槻友志;加贺谷宗仁;铃木悠介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于检测在形成有包括凹部的图案的基板上成膜出的膜的状态。在第一测定工序中，通过红外光谱法来测定形成有包括凹部的图案的基板。在成膜工序中，在第一测定工序之后，对基板进行膜的成膜。在第二测定工序中，在成膜工序之后，通过红外光谱法来测定基板。在提取工序中，提取第一测定工序的测定数据与第二测定工序的测定数据的差数据。
方法装置

[发明专利]钨膜的成膜方法、成膜系统以及存储介质-CN201910126852.8有效
发明人：鲛岛崇;前川浩治;山口克昌 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种钨膜的成膜方法、成膜系统以及存储介质。提供能够谋求钨膜的低电阻化的技术。钨膜的成膜方法具有如下工序：将在表面形成有保护膜的基板配置于处理容器内、并在减压气氛下在基板对硅膜进行成膜的工序；向形成有硅膜的基板供给氯化钨气体而对初始钨膜进行成膜的工序；以及向形成有初始钨膜的基板供给含钨气体而对主钨膜进行成膜的工序
方法系统以及存储介质

[发明专利]成膜方法-CN202310373974.3在审
发明人：伊藤究;户根川大和;小山峻史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供一种成膜方法，能够提高成膜的硅氮化膜的膜质。成膜方法是在基板形成硅氮化膜的方法，所述成膜方法包括以下工序：工序(a)，向收容有所述基板的处理容器内供给含硅气体；以及工序(b)，在所述工序(a)后，向收容有所述基板的所述处理容器内供给含氮气体。在成膜方法中，使所述工序(b)中的所述处理容器的内压比所述工序(a)中的所述处理容器的内压大。
方法

[发明专利]成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置-CN201110055790.X无效
发明人：岩田宽 -专利权人：住友重机械工业株式会社
申请日： 2011-03-08 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜基板、成膜基板的制造方法及成膜装置，其谋求降低膜厚的同时不需要蚀刻工序且谋求低成本化，并且具有凹凸结构的薄膜层成膜于被成膜基板表面。成膜基板(1)为具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板，其凹凸结构通过成膜含氧化铟的薄膜层(3)而形成。另外，成膜基板(1)的制造方法为制造具有凹凸结构的薄膜层(3)成膜于被成膜基板(2)表面的平坦部的基板(1)的方法，该制造方法具有薄膜工序，所述薄膜工序为如下工序：在被成膜基板(2)表面成膜含氧化铟的薄膜层(3)，并通过进行该成膜形成凹凸结构。由此，不需要用于形成凹凸结构的蚀刻工序，且谋求低成本化，并通过设成含氧化铟的透明导电膜(3)来降低膜厚。
成膜基板制造方法装置

[发明专利]成膜系统以及成膜方法-CN202210121357.X在审
发明人：康荣太;竹永裕一;李柱炯 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种使成膜结果的再现性提高的成膜系统以及成膜方法。该成膜系统包括用于在基板上成膜的成膜装置以及控制装置,上述控制装置具有:方案存储部,其用于存储规定了通过上述成膜装置进行的基板处理工序的步骤的方案；预测部,其使用自基于上述方案的上述基板处理工序的开始收集的上述成膜装置的日志信息,计算控制对象的自目标值的变动量的预测值，该控制对象表示在上述基板处理工序中包含的成膜工序中成膜的膜的膜厚或膜质；以及更新部,其在上述成膜工序之前,以接近上述控制对象的目标值的方式,根据上述预测值对上述方案进行更新
系统以及方法

[发明专利]成膜方法-CN202080060096.4在审
发明人：大内健次;东云秀司;河野有美子;池进一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于在基板上选择性地进行成膜的成膜方法，其包括：准备工序、第1成膜工序、第2成膜工序和第1去除工序。在准备工序中，准备在表面露出第1膜和第2膜的基板。在第1成膜工序中，通过向基板上供给具有包含氟和碳的官能团、且用于成膜为抑制形成第3膜的自组装化单分子膜的化合物，从而在第1膜上成膜为自组装化单分子膜。在第2成膜工序中，在第2膜上成膜为第3膜。在第1去除工序中，通过向基板的表面照射离子和活性物质中的至少任意一者，从而去除形成于自组装化单分子膜附近的第3膜。另外，第3膜是比第1膜更容易与自组装化单分子膜中所含的氟和碳结合而形成挥发性化合物的膜。
方法

[发明专利]成膜方法以及防油性基材-CN200980100652.X有效
发明人：盐野一郎;长江亦周;姜友松;菅原卓哉 -专利权人：新柯隆株式会社
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，该成膜方法具有：在基板(101)的表面成膜硬度比基板(101)的硬度高的第一膜(103)的第一成膜工序；对第一膜(103)照射具有能量的粒子的第一照射工序；在第一照射工序后的第一膜(103)的表面成膜防油性膜(105)的第二成膜工序。根据该发明提供的成膜方法，能够制造具有防油性膜的防油性基材，该防油性膜具备能够耐用的耐磨损性。
方法以及油性基材

[发明专利]成膜方法-CN200980100663.8有效
发明人：盐野一郎;长江亦周;姜友松;菅原卓哉 -专利权人：新柯隆株式会社
申请日： 2009-08-24 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明的成膜方法具有：对基板(101)的表面照射具有能量的粒子的第一照射工序；使用干式法在所述第一照射工序后的基板(101)的表面成膜第一膜(103)的第一成膜工序；在第一膜(103)的表面成膜具有防油性的第二膜(105)的第二成膜工序。根据该发明，能够提供可以制造具有防油性膜的防油性基材的成膜方法，其中的防油性膜具备能够耐用的耐磨损性。
方法

[发明专利]Ge-Sb-Te膜的成膜方法和存储介质-CN201080017631.4无效
发明人：河野有美子;有马进 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-06-02 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：本发明提供一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法和存储介质。该成膜方法是使用气体状的Ge原料、气体状的Sb原料、气体状的Te原料、利用CVD在基板上形成Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜的Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其包括：将基板配置在处理容器内的工序(工序1)；将气体状的Ge原料和气体状的Sb原料导入到处理容器内而在基板上进行第1阶段的成膜的工序(工序2)；将气体状的Sb原料和气体状的Te原料导入到处理容器内而在第1阶段的成膜中得到的膜上进行第2阶段的成膜的工序(工序3)；由利用工序2得到的膜、利用工序3得到的膜得到Ge-Sb-Te膜。
ge sb te 方法存储介质

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201610917404.6在审
发明人：市冈圣菜;吉牟田利典;德田敏;吉冈尚规;上野智子;尾崎悟 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提供一种即便在高速地执行溅射的情况下也能够提高金属薄膜的反射率的成膜方法及成膜装置。本发明的成膜方法包括加热工序，将树脂制的工件加热至构成该工件的树脂的软化温度以下的温度；搬入工序，将通过加热工序进行了加热的工件搬入成膜腔室内；减压工序，对成膜腔室内进行减压；非反应性气体供给工序，将非反应性气体供给至成膜腔室内；等离子体工序，对配设于成膜腔室内的等离子体电极施加高频电压；以及溅射工序，对包含靶材材料且配设于成膜腔室内的溅射电极施加电压。
方法装置

[发明专利]基板处理方法和记录介质-CN200680035493.6无效
发明人：山崎英亮;中村和仁;河野有美子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-07-25 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法，是成膜装置的基板处理方法，该成膜装置包括保持被处理基板并具有加热单元的保持台、和在内部配置有上述保持台的处理容器，该基板处理方法的特征在于，包括：向上述处理容器供给成膜气体，在上述被处理基板上进行成膜的成膜工序；在上述成膜工序之后，向上述处理容器供给已进行等离子体激励的清洁气体，进行上述处理容器内的清洁的清洁工序；和在上述清洁工序之后，在上述处理容器内进行涂敷成膜的涂敷工序，在上述清洁工序中，包括控制上述处理容器内的压力，使得利用已进行等离子体激励的上述清洁气体中的自由基再结合而成的分子进行的清洁起支配作用的高压工序，在上述涂敷工序中，包括相比上述成膜工序的对上述被处理基板进行成膜的情况，使上述保持台的温度降低并进行上述涂敷成膜的低温成膜工序。
处理方法记录介质

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