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[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN200880123403.8无效
发明人：军司勋男;三好秀典;伊藤仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，具有：使二价的羧酸金属盐与羧酸反应而生成一价的羧酸金属盐气体的工序；向基板(1)上供给一价的羧酸金属盐气体而沉积一价的羧酸金属盐膜(2)的工序；以及对沉积有一价的羧酸金属盐膜(2)的基板(1)提供能量，将一价的羧酸金属盐膜(2)分解，形成金属膜(3)的工序。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200980114151.7无效
发明人：小林洋介;林信博;饭岛正行;多田勋 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供能够简化装置构成和降低成本的反射膜形成技术。本发明的成膜方法具有：一边将空气导入至成膜区域一边通过蒸镀在成膜对象物上形成光反射性的反射膜的反射膜形成工序(P2)；在该反射膜上形成拒水性聚合物膜的聚合物膜形成工序(P3)；和一边将空气导入至成膜区域一边在前述拒水性聚合物膜上实施基于等离子体的亲水化处理的亲水化处理工序根据本发明，可以不使用氩气而进行反射膜的形成以及聚合物膜的亲水化处理。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200780025177.5无效
发明人：小岛康彦;池田太郎;波多野达夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：将基板载置在密封状态的处理容器内的基板载置工序；向上述处理容器内供给水蒸气，并向上述处理容器内供给由铜的有机化合物组成的原料气体，在上述基板上形成铜的紧贴层的第一成膜工序；将上述处理容器内的水蒸气和原料气体排出的排出工序；以及向上述处理容器内仅再次供给上述原料气体，在上述紧贴层之上进一步形成铜膜的第二成膜工序。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200680000505.1无效
发明人：松本贤治;迫田智幸;那须胜行;池田岳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-01-11 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，在形成多元系金属氧化物膜时，能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。该成膜方法为，向可抽真空的处理容器(4)内供给将多种有机金属原料气化所产生的有机金属原料气体，在被处理体(W)的表面形成多元系金属氧化物膜，其中，在开始对上述被处理体进行成膜处理之前，通过将模拟被处理体搬入上述处理容器(4)内，并流入上述有机金属原料气体，进行至少相当于3次的模拟成膜处理。因此，在形成多元系金属氧化膜时，就能够提高含有元素的组成比和膜厚等的再现性。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200580024960.0无效
发明人：半田达也;饗场康 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-08-25 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置(20)，具备处理容器(22)；向该容器内供给含有成膜气体的处理气体的气体供给系统；和对容器内的气氛进行排气的排气系统。在处理容器内，设置有具有载置平板状被处理体(W)的载置面的载置台(46)。以加热器(80)加热该载置台上的被处理体。设置有与被处理体表面周边部分接触/分离，相对于载置台挤压/释放被处理体的压紧装置(56)。在载置台的载置面上形成于具有凹部(94)的吸附结构(92)，用于在与被处理体的背面之间形成几乎密闭的空间，利用差压暂时吸附该被处理体。
装置方法

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201280009843.7无效
发明人：本间孝治;犬塚仁 -专利权人：株式会社山景工程
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明提供一种不使用有毒气体而在大气压下有效地形成含有高浓度的杂质的膜的成膜方法等。本发明的成膜方法构成为，将硼或五氧化二磷等杂质的固态源加热并使其蒸发而产生气体，通过将得到的气体向被预热的基板的表面喷射，从而在所述基板上形成含有杂质的膜。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201280010392.9无效
发明人：清水正裕;伊藤仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H05K3/22 文献下载
摘要：在塑料基板上涂布包含膜成分的涂布组合物而形成涂布膜，对该涂布膜照射电磁波而将涂布膜干燥和/或改性，形成膜。作为膜，可以举出导电体膜、半导体膜、电介质膜，在形成导电体膜时使用包含金属纳米颗粒的涂布组合物，在形成半导体膜时使用有机半导体材料作为涂布组合物，在形成电介质膜时使用有机电介质材料作为涂布组合物。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201180027424.1无效
发明人：石坂忠大;佐久间隆;波多野达夫;横山敦;五味淳;安室千晃;福岛利彦;户岛宏至;川又诚也;水泽宁;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201180005389.3无效
发明人：三好秀典;伊藤仁;佐藤浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供的成膜方法包括：在成膜装置（100）的处理容器（1）内配置设置有绝缘膜的晶片（W）的工序；在处理容器（1）内供给TEOS等含有硅原子的化合物的气体和水蒸汽等OH基供给性气体，使Si-OH基在绝缘膜的表面形成的表面改性工序；和在处理容器（1）内供给包含含锰材料的成膜气体，由CVD法在形成有Si-OH基的绝缘膜的表面形成含锰膜的成膜工序。在表面改性工序中，在处理容器内既可以同时也可以交替地供给含有硅原子的化合物的气体和OH基供给性气体。
方法装置

[发明专利]成膜方法与成膜装置-CN200980157890.4无效
发明人：松山秀昭;和田雄人 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在沉积室中的衬底上执行成膜过程。第一电极设置在沉积室中并接地。在沉积室中设置面对第一电极的第二电极。射频电源向第二电极提供射频功率。DC电源向第二电极提供DC偏压电压。以此方式，有可能在防止沉积过程中膜沉积速率减小的同时改进膜质量。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201080016867.6无效
发明人：松本贤治;三好秀典 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜装置，在能够抽真空的处理容器内，使用有机金属原料气体在被处理体表面形成薄膜的成膜装置中，其特征在于，在暴露在所述处理容器内的气氛的部件的表面，设置疏水层。
装置方法

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201080026167.5无效
发明人：小平周司;吉浜知之;镰田恒吉;堀田和正;滨口纯一;中西茂雄;丰田聪 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该成膜装置(1)包括：腔室(2)，具有内部空间，在所述内部空间中，以具有成膜面的被处理体(W)与具有溅射面(3a)的靶(3)相对置的方式配置有所述被处理体(W)与所述靶(3)这两者；排气部，对所述腔室(具有第一产生部(13u)和第二产生部(13d)，以满足关系式Id＜Iu的方式向所述第一产生部(13u)和所述第二产生部(13d)施加电流，产生垂直磁场以使垂直的磁力线在所述溅射面(3a)的整个面与所述被处理体(W)的所述成膜面的整个面之间以规定的间隔通过，所述第一产生部(13u)被施加用Iu定义的电流值并被配置在离所述靶(3)近的位置，所述第二产生部(13d)被施加用Id定义的电流值并被配置在离所述被处理体近的位置
装置以及方法

[发明专利]成膜方法以及成膜装置-CN201080021651.9无效
发明人：森本直树;滨口纯一;堀田和正;武田直树 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种在被处理体的表面形成覆膜的成膜方法。在腔室内对置配置靶与所述被处理体，产生使垂直的磁力线从所述靶的溅射面朝向所述被处理体的被成膜面以规定的间隔局部通过的磁场，所述靶成为所述覆膜的母材；并且向所述腔室内导入溅射气体，将所述腔室内的气压控制在0.3Pa以上且10.0Pa以下的范围内，且向所述靶施加负的直流电压，从而在所述靶与所述被处理体之间的空间产生等离子体；控制通过对所述靶进行溅射而产生的溅射粒子的飞行方向，并且将所述溅射粒子向所述被处理体诱导并使其沉积，以形成所述覆膜。
方法以及装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN02816482.2无效
发明人：三好秀典;杉浦正仁;柏木勇作;香川惠永;太田与洋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-08-30 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：将由分子内具有环状结构的化合物构成的处理气体导入至处理室(12)内。另一方面，利用激发器(34)激发氩等激发用气体，并导入至处理室(12)内，激发处理气体。被激发的处理气体堆积在被处理基板(19)上，形成在膜中具有环状结构的多孔质低介电常数膜。
方法装置

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN200680001233.7无效
发明人：龟嶋隆季;川村刚平;小林保男 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-04-07 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内，导入含有无机硅烷气体的处理气体，在包含上述载置台表面的上述处理容器内壁上，预涂敷含有硅的非金属薄膜的工序；将被处理基板装载到已预涂敷有上述非金属薄膜的载置台上的工序；和在上述处理容器内，导入含有有机硅烷气体的处理气体，在被装载到上述载置台上的上述被处理基板的表面形成含硅的非金属薄膜的工序。
方法装置