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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]成膜方法、成膜系统以及成膜装置-CN201980041837.1在审
发明人：山口克昌;前川浩治;鲛岛崇;中岛滋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/06 文献下载
摘要：成膜方法包括以下工序：将形成有绝缘膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下向处理容器内重复供给含Ti气体、含Al气体以及反应气体来形成基底膜；以及通过金属材料在形成有基底膜的基板形成金属层。
方法系统以及装置

[发明专利]成膜装置、成膜单元和成膜方法-CN202080106929.6在审
发明人：饭塚贵嗣 -专利权人：饭塚贵嗣
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本公开内容的主题是提供被配置成改善涂覆形成在基底中的孔的内周表面的膜的粘附性的成膜装置、成膜单元和成膜方法。成膜装置(1)包括：待容纳基底(2)的室(3)；设置在室(3)中的支撑体(4)，所述支撑体(4)被配置成支撑具有在垂直方向上开放的基底(2)的孔(20)的基底(2)；和设置在室(3)中的蒸发源(5)，所述蒸发源
装置单元方法

[发明专利]成膜装置、成膜系统和成膜方法-CN200780029265.2无效
发明人：松林信次;茂山和基;户部康弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置、成膜系统和成膜方法。该成膜系统能够避免在有机EL元件等的制造工序中所形成的各层的相互污染、而且所占空间也小、且具有高生产率。成膜装置(13)用于在基板上进行成膜，其中，在处理容器(30)的内部包括用于成膜第1层的第1成膜机构(35)和用于成膜第2层的第2成膜机构(36)。设置用于使处理容器(30)内减压的排气口(31)，并将第1成膜机构(35)配置在相比第2成膜机构(36)更靠近上述排气口(31)的位置上。第1成膜机构(35)例如利用蒸镀在基板上成膜第1层，第2成膜机构(36)例如利用溅射在基板上成膜第2层。
装置系统方法

[发明专利]成膜装置、成膜系统及成膜方法-CN200780029415.X无效
发明人：茂山和基;野泽俊久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供一种能避免在有机EL元件等的制造工序中形成的各层的相互污染、且占地面积较小、生产率较高的成膜系统。一种在基板(G)上成膜的成膜装置(13)，在处理容器(30)的内部具有用于形成第1层的第1成膜机构(35)和用于形成第2层的第2成膜机构(36)，第1成膜机构(35)包括：配置于处理容器(30)的内部的、用于向基板供给成膜材料的蒸气的喷嘴(34)；配置在处理容器的外部的、用于产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部(45)；将在蒸气产生部(45)产生的成膜材料的蒸气输送到喷嘴(34)的配管(46)。
装置系统方法

[发明专利]成膜装置的清洗方法、运用方法以及成膜装置-CN201910198410.4有效
发明人：宫原达也;渡边将久;藤田成树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置的清洗方法、运用方法以及成膜装置，能够减少压力计的更换频度。一个实施方式的成膜装置的清洗方法是具有处理容器和压力计的成膜装置的清洗方法，其中，该处理容器用于收容基板并且形成减压气氛来进行成膜处理，该压力计用于对处理容器内的压力进行监视，在所述成膜装置的清洗方法中，向实施了所述成膜处理的所述处理容器内和所述压力计供给用于将在所述成膜处理中形成的膜去除的清洗气体。
装置清洗方法运用以及

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201710192799.2有效
发明人：吉田武史 -专利权人：株式会社昭和真空
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质，延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。原料气体供给部用于成膜处理，向成膜室(10)供给含有成膜成分的原料气体，第二气体配管(90)用于成膜处理，将与原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向成膜室(10)供给。对成膜室(10)的内部的压力进行测量的压力传感器(50)安装于第二气体配管(90)。控制部在从原料气体供给部向成膜室(10)供给原料气体期间，以使处理气体在第二气体配管(90)中流动而从处理气体蓄存部向成膜室(10)供给的方式进行控制。
装置方法

[发明专利]基板处理方法-CN201080032131.8有效
发明人：中村真也;藤井佳词;长嶋英人 -专利权人：爱发科股份有限公司
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：提供一种基板处理方法，使其在使处理室的状态恢复的恢复处理的时间比处理室中进行的规定处理的时间长的情况下，也可以使生产能力提高。交替地向两个成膜室C、D传送基板，在成膜室C、D中对基板并行地进行同一成膜处理，当成膜室C中的处理片数达到规定片数(11片)时，在成膜室C中开始伪溅射处理，并且在直到伪溅射处理结束为止的期间内，向成膜室D传送第1批的第23片～第25片来进行成膜处理。当成膜室C中的伪溅射处理结束时，在成膜室D中开始伪溅射处理，并且在直到伪溅射处理结束为止的期间内，向成膜室C传送第2批的第1片～第3片来进行成膜处理。当成膜室D中的伪溅射处理结束时，重新开始交替的传送。
处理方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置以及存储介质-CN200510130390.5有效
发明人：长谷部一秀;冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-12-09 - 公布日： 2006-07-26 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在形成例如氮化硅膜时，在成膜处理后，利用与该成膜处理对应的清洗方案对反应容器内进行清洗处理，以除去导致气体或颗粒产生的粘附在反应容器内的膜的表层部，从而减少气体或颗粒的产生。使多片晶片W保持在晶舟25中、将其搬入反应容器2内，以进行使用例如Si₂Cl₂气体和NH₃气体作为成膜气体的成膜方案1的成膜处理。接着，自动选择与该成膜处理对应的清洗方案1，根据该清洗方案1对反应容器2进行清洗处理。根据每次成膜处理的种类准备清洗方案，自动选择与各成膜处理对应的清洗方案以进行清洗处理，由此，可以在抑制产生不必要的清洗时间的状态下，进行与各成膜处理对应的适当的清洗处理。
方法装置以及存储介质

[发明专利]成膜装置的使用方法-CN200610135715.3有效
发明人：野吕尚孝;户根川大和;藤田武彦;木村法史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-10-17 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体处理用成膜装置的使用方法，其决定成膜处理的处理条件。处理条件包括在被处理基板上形成的薄膜的设定膜厚。另外，根据处理条件，决定进行清除处理的定时。定时由成膜处理的反复次数和设定膜厚的乘积而得到的薄膜累积膜厚的阈值所规定。即使反复进行(N)(N是正整数)次成膜处理，累积膜厚也不大于阈值；如果反复进行(N+1)次，则大于阈值。并且，该方法包括：其间不加入清除处理，进行由成膜处理组成的从第一次处理到第(N)次处理的工序；和在第(N)次处理后、并且在由成膜处理组成的(N+1)次处理前，进行清除处理的工序。
装置使用方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200510120065.0无效
发明人：春日治 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：一种成膜装置及成膜方法，用于在提高基板上的润湿性的处理后，在规定时间内在基板上涂布形成膜的材料，形成均匀膜厚的膜。成膜生产线由表面改质处理装置、成膜溶液涂布装置、干燥装置、时间管理装置、传送带、驱动装置及控制装置构成。表面改质处理装置，在由传送带输送的基板上实施表面改质处理。时间管理装置判定实施了表面改质处理的基板是否经过预定的可成膜处理的时间，当在上述时间内时由传送带向成膜溶液涂布装置输送基板，在经过上述时间时由传送带向表面改质处理装置输送基板。成膜溶液涂布装置，在由传送带输送的基板上涂布成膜溶液。然后，干燥装置，对由传送带输送的基板实施干燥处理，干燥涂布在基板上的成膜溶液，形成规定的膜。
装置方法

[发明专利]基板清洗方法-CN201510463686.2有效
发明人：相原明德;吉田祐希;河野央;山下刚秀;菅野至;望田宪嗣;岛基之 -专利权人：东京毅力科创株式会社;JSR株式会社
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。
清洗方法

[发明专利]带涂膜切削工具的成膜装置及切削工具用涂膜的成膜方法-CN201480079906.5有效
发明人：河村正雄;须藤俊克;新保谷淳 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-06-26 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种能够以适当的温度条件形成涂膜的带涂膜切削工具的成膜装置。所述成膜装置具备在切削工具上形成涂膜的成膜室、经由真空阀分别与成膜室连结的预处理室及后处理室、及从预处理室经由成膜室向后处理室输送切削工具的输送路径，且所述成膜装置为使用沿输送方向以竖立姿势配置有支撑所述切削工具的多个杆的输送载体的直列式的成膜装置所述成膜室具备在切削工具上形成涂膜的成膜区域、沿输送路径输送输送载体并使其通过成膜区域的输送装置、沿载体输送方向与成膜区域相邻配置且对切削工具进行加热的加热区域、及在所述成膜区域与所述真空阀之间收容所述输送载体的载体待机区域
带涂膜切削工具装置用涂膜方法

[发明专利]半导体处理的成膜装置和此装置的使用方法-CN200710149410.2有效
发明人：周保华;长谷部一秀 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种成膜装置的使用方法，通过向处理容器的处理区域内供给第一成膜气体的第一成膜处理，在处理区域内，在第一处理基板上形成第一薄膜。从处理容器卸载第一处理基板之后，进行处理容器内的清洗处理。清洗处理包括在向处理区域内供给清洗气体的同时，通过激励机构产生清洗气体的等离子体的工序。接着，通过向处理区域内供给第二成膜气体的第二成膜处理，在处理区域内，在被处理基板上形成第二薄膜。第二成膜处理是在通过激励机构产生第二成膜气体的等离子体的同时进行的等离子体成膜处理。
半导体处理装置使用方法

[发明专利]成膜方法和处理装置-CN202310344922.3在审
发明人：伊藤究;户根川大和 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和处理装置，能够改善针对凹部填埋氮化硼膜的填埋特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给包含含硼气体和含氮气体的第一气体，来在所述凹部形成氮化硼膜；以及向所述基板供给不包含含硼气体而包含含氮气体的第二气体，并对所述氮化硼膜进行热处理
方法处理装置

[发明专利]处理装置及成膜方法-CN201110168440.4有效
发明人：和村有;两角友一朗;佐藤泉;浅利伸二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种处理装置及成膜方法。本发明的处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，包括：处理容器构造，其具有处理容器，在处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域，并且在另一侧形成有排气口，该排气口用于排出由喷嘴容纳区域沿水平方向放出的气体；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端的开口部侧；支承体构造，其用于支承被处理体，并且能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有被容纳于喷嘴容纳区域内并用于导入气体的气体喷嘴；排气部件，其具有用于排出处理容器构造内的气氛气体的多个排气系统；加热部件，其用于加热被处理体；控制部件，其用于控制整个装置。
处理装置方法

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