“忆阻器 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8694077个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于忆阻器的火焰强度检测系统及检测方法-CN202210646819.X在审
发明人：文常保;许莉;张军龙;马启龙;茹锋;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01J5/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的火焰强度检测系统，包括电压转换模块、红外传感器模块、忆阻器模块和忆阻器电压取值放大模块；所述电压转换模块依次与红外传感器模块和忆阻器模块组成回路，所述忆阻器电压取值模块与忆阻器模块相连接；所述忆阻器模块包括由n个正向忆阻器组成的正向忆阻器组和由n个反向忆阻器组成的反向忆阻器组，其中，正向忆阻器与反向忆阻器串联连接构成一组反向串联忆阻器，共得到n组反向串联忆阻器，且该n组反向串联忆阻器并联构成并联结构本发明不需要后期的运算电路或者处理器，实现了对火焰强度大小的测量，适用于火焰燃烧强度大且不稳定情况下长时间的持续测量，功耗低，测量范围大，结构简单。
一种基于忆阻器火焰强度检测系统方法

[发明专利]忆阻器电压与电流关系的确定方法、装置和终端设备-CN201710993687.7在审
发明人：王晓霞;魏进武 -专利权人：中国联合网络通信集团有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种忆阻器电压与电流关系的确定方法、装置和终端设备，其中，该方法包括根据预设的时间与忆阻器厚度比例之间对应关系，以及流经忆阻器的电流，确定电流从忆阻器的掺杂区域向忆阻器的非掺杂区域移动的速度，其中，忆阻器厚度比例为忆阻器的掺杂区域宽度与忆阻器的非掺杂区域宽度比值；根据速度、以及电流每次流经忆阻器的时间，得到忆阻器的掺杂区域的当前宽度；根据忆阻器的掺杂区域的当前宽度和电流，带确定忆阻器的电压与电流的关系式从而在电流流到了忆阻器的掺杂区边界、或非掺杂区边界的时候，计算得到忆阻器的电压不会发生突变，便于在将忆阻器应用到存储器等器件中的时候，采用忆阻器的电压值去对存储器等进行处理。
忆阻器电压电流关系确定方法装置终端设备

[发明专利]基于忆阻器的气体累积流量测量系统-CN201810628288.5有效
发明人：文常保;洪吉童;茹锋;胡馨月;全思;李演明;王飚;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G01F1/69 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的气体累积流量测量系统，包括气体流速换能器、忆阻器模块、忆阻器电压取值放大模块和换能器阻值稳定模块；气体流速换能器依次与忆阻器模块、换能器阻值稳定模块组成回路，忆阻器电压取值放大模块与忆阻器模块相连接；忆阻器模块包括正向忆阻器组和负向忆阻器组，正向忆阻器组和负向忆阻器组串联连接，正向忆阻器组Mf包括n个忆阻器Mf1，n个忆阻器Mf1串联连接，负向忆阻器组Mr包括n个忆阻器Mr1，n个忆阻器Mr1串联连接本发明不需要后期的运算电路或者处理器，实现了对气体累积流量的测量，适用于大气体累积流量、气体不稳定情况下长时间的持续测量，功耗低，测量范围大，结构简单。
基于忆阻器气体累积流量测量系统

[发明专利]忆阻器阵列模型的处理方法和装置-CN201811248669.7有效
发明人：臧新风;沈谅平;王浩;马国坤 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明涉及一种忆阻器阵列模型的处理方法和装置，该方法包括：获取样本忆阻器在应用过程中的至少一组样本数据，其中样本数据包括电压数据和电流数据；将样本数据处理并存储至忆阻器模型的仿真程序文件中，根据所述忆阻器模型搭建忆阻器阵列；为忆阻器阵列中的每一个忆阻器对应的数据添加对应的标识符；将目标忆阻器的实时电压与通过对应的标识符确定的标准电压进行比较，确定目标忆阻器的阻值；将目标忆阻器的阻值作为反馈信号更新忆阻器阵列模型以更新目标忆阻器的阻值，当目标忆阻器的阻值满足设定的条件时，确定目标忆阻器阵列模型。减小了忆阻器模型和实际忆阻器特性之间的偏差，提高了对实际忆阻器的阵列误差分析以及特性分析的准确性。
忆阻器阵列模型处理方法装置

[发明专利]一种基于忆阻器的核辐射累积剂量测量系统-CN201811054735.7有效
发明人：文常保;洪吉童;宿建斌;茹锋;全思;李演明;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的核辐射累积剂量测量系统，包括核辐射传感器、放大器、测量开关S1、限流电阻、并联忆阻器模块、忆阻器阻值信息处理电路和忆阻器复位电路模块；核辐射传感器依次通过放大器、测量开关S1、限流电阻与并联忆阻器模块相连接，所述忆阻器阻值信息处理电路与并联忆阻器模块相连接，所述忆阻器复位电路模块与并联忆阻器模块并联连接；并联忆阻器模块包括并联连接的n支反向串联忆阻器支路，每一支反向串联忆阻器支路包括串联连接的正向忆阻器和反向忆阻器
一种基于忆阻器核辐射累积剂量测量系统

[发明专利]一种基于二值忆阻器串并联的三值忆阻器构建方法-CN202111645442.8在审
发明人：王晓媛;李谱;黎小静 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二值忆阻器串并联的三值忆阻器构建方法。本发明通过对二值忆阻器模型的参数特性进行分析，发现两个二值忆阻器阻值状态发生转变的时间点不同会使串并联电路等效为三值忆阻器，而忆阻器的参数不同时或反向连接时都有可能使两个二值忆阻器的阻值状态发生改变的时间点不同因此可将二值忆阻器串并联电路分为以下六种分别构建三值忆阻器。本发明是基于二值忆阻器构建出三值忆阻器，相比于普通的三值忆阻器的构建方法，本发明使得三值忆阻器实物器件的实现具有更大的可能性。
一种基于二值忆阻器串并联三值忆阻器构建方法

[发明专利]基于忆阻器矩阵的权值运算模块-CN201811358461.0有效
发明人：王钰琪;徐威;陈义豪;梁定康;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：一种基于忆阻器矩阵的权值运算模块，所述基于忆阻器矩阵的权值运算模块，包括第一忆阻器矩阵、第二忆阻器矩阵和多个差分电路；所述第一忆阻器矩阵与所述第二忆阻器矩阵的结构相同，同为行输出或列输出；所述第一忆阻器和所述第二忆阻器的行与列之间不交叉并通过对应设置的忆阻器耦接；所述差分电路与所述第一忆阻器或第二忆阻器的输出端口的数量相同，且所述第一忆阻器和所述第二忆阻器的同一输出端口分别与对应设置的差分电路的同相输入端和反相输入端耦接。上述的方案，可以利用忆阻器实现权值的负数运算，丰富权值运算的结果。
基于忆阻器矩阵运算模块

[实用新型]基于忆阻器矩阵的权值运算模块-CN201821877516.4有效
发明人：陈义豪;徐威;王钰琪;梁定康;童祎 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：一种基于忆阻器矩阵的权值运算模块，所述基于忆阻器矩阵的权值运算模块，包括第一忆阻器矩阵、第二忆阻器矩阵和多个差分电路；所述第一忆阻器矩阵与所述第二忆阻器矩阵的结构相同，同为行输出或列输出；所述第一忆阻器和所述第二忆阻器的行与列之间不交叉并通过对应设置的忆阻器耦接；所述差分电路与所述第一忆阻器或第二忆阻器的输出端口的数量相同，且所述第一忆阻器和所述第二忆阻器的同一输出端口分别与对应设置的差分电路的同相输入端和反相输入端耦接。上述的方案，可以利用忆阻器实现权值的负数运算，丰富权值运算的结果。
忆阻器矩阵差分电路运算模块输出端口耦接反相输入端同相输入端负数运算不交叉列输出行输出运算

[发明专利]忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM-CN201880000463.4在审
发明人：姚国峰;沈健 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM，该忆阻器的制造方法包括：沉积所述忆阻器的下电极；在沿所述忆阻器的下电极的沉积方向的截面制备所述忆阻器的电阻层；在所述忆阻器的电阻层上制备所述忆阻器的上电极
忆阻器电阻层下电极制备随机存取存储器沉积方向电极沉积制造申请

[发明专利]一种基于忆阻器的逻辑门电路-CN201210234665.X无效
发明人：余国生;陈进才;周功业 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H03K19/173 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的逻辑门电路；与门电路包括第一忆阻器、第二忆阻器、第三忆阻器、单向导通元件和第一电阻；第一忆阻器的输入端作为与门电路的第一输入端，第二忆阻器的输入端作为与门电路的第二输入端；第三忆阻器的输出端作为与门电路的输出端或门电路包括第四忆阻器、第五忆阻器和第二电阻；第四忆阻器的输入端作为或门电路的第一输入端，第五忆阻器的输入端作为或门电路的第二输入端；第二电阻的一端与第四忆阻器的输出端和第五忆阻器的输出端连接，第二电阻的另一端作为或门电路的输出端非门电路包括第六忆阻器、第七忆阻器、三态门和第三电阻；第六忆阻器的输入端作为非门电路的输入端；第七忆阻器的输出端作为非门电路的输出端。
一种基于忆阻器逻辑门电路

[发明专利]调节忆阻器切换脉冲-CN201480078067.5在审
发明人：葛宁;杨建华;A.L.戈霍泽尔;B.布钱安 -专利权人：慧与发展有限责任合伙企业
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：描述一种用于调节忆阻器切换脉冲的设备。该设备包括电压源以向忆阻器供应电压。该设备还包括电压检测器以检测忆阻器电压。该忆阻器电压基于忆阻器的初始电阻状态以及由电压源供应的电压。该设备还包括比较器以比较忆阻器电压与用于忆阻器的目标电压值。该设备还包括反馈回路，以向控制开关指示何时忆阻器电压至少等于目标电压值。该设备还包括控制开关，以当忆阻器电压至少等于目标电压值时从电压源切断忆阻器。
调节忆阻器切换脉冲

[发明专利]信号处理装置及信号处理方法-CN201910081039.3有效
发明人：李辛毅;吴华强;钱鹤;高滨 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：该信号处理装置包括接收器、忆阻器阵列和分类器。接收器被配置为接收第一信号。忆阻器阵列包括多个忆阻器单元，多个忆阻器单元中的每一个包括忆阻器，忆阻器阵列被配置为：将接收到的所述第一信号施加到所述多个忆阻器单元中的至少一个忆阻器单元，并且输出基于所述忆阻器阵列的忆阻器电阻值分布的第二信号分类器被配置为对所述忆阻器阵列输出的第二信号进行分类，以获得所述第一信号的类型。该信号处理装置体积小、功耗低且易于集成。
信号处理装置方法

[发明专利]一种逻辑电路及其实现方法及电子设备-CN202310495520.3在审
发明人：李中华;袁欣欣;苏康 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明涉及电学技术领域，并具体公开了一种逻辑电路及其实现方法及电子设备，逻辑电路包括第一晶体管非门电路、第二晶体管非门电路、第三晶体管非门电路、第一忆阻器、第二忆阻器、第三忆阻器、第四忆阻器、第五忆阻器、第六忆阻器，基于第一晶体管非门电路、第二晶体管非门电路、第三晶体管非门电路、第一忆阻器、第二忆阻器、第三忆阻器、第四忆阻器、第五忆阻器和第六忆阻器之间的连接关系实现了异或功能。本发明的方案，通过将忆阻器与晶体管相结合，实现了逻辑电路的异或逻辑功能，与基于CMOS晶体管的逻辑电路相比，大大减少了占用面积和功耗。
一种逻辑电路及其实现方法电子设备

[发明专利]一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路-CN201911022687.8有效
发明人：文常保;高南;刘维宇;全思;茹锋;李演明;王飚;巨永锋 -专利权人：长安大学
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01T1/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，包括紫外光接收模块、忆阻器放大模块、测量开关、忆阻器阵列模块、忆阻器复位模块和忆阻器误差调理模块；紫外光接收模块连接忆阻器放大模块的输入端，忆阻器放大模块连接测量开关，开关另一端连接忆阻器阵列模块和忆阻器组织复位模块，忆阻器阵列模块与忆阻器复位模块的输出端连接，再与忆阻器误差调理模块的输入端连接；紫外光接收模块包括偏置电压、保护电阻、雪崩二极管和紫外偏振片；偏置电压的输出端连接保护电阻本发明利用忆阻器的阻值变化来测量紫外辐射的累积量，从而提高了累积测量准确度，解决了传统测量电路损耗过高的问题。
一种基于忆阻器阵列紫外光辐射累积测量电路

[发明专利]学习速率自调节方法、装置、终端设备和可读存储介质-CN202010438310.7有效
发明人：刘海军;李清江;陈长林;李纪伟;李楠;徐晖;刁节涛;宋兵;刘森;王义楠;王伟;于红旗;李智炜;步凯;王玺 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G06N3/09 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种学习速率自调节方法、装置、终端设备和可读存储介质，应用于忆阻器脉冲神经网络，所述忆阻器脉冲神经网络中每一突触仅包含一个忆阻器，该方法包括：根据所述忆阻器的实时电导值获取所述忆阻器的实时权值；获取所述忆阻器的电导的非线性度值；根据所述非线性度值确定对应的忆阻器电导响应参数；根据忆阻器两端的电势差、忆阻器电导响应参数和所述实时权值确定所述非线性度值对应的所述忆阻器的权值更新量以调节学习速率。本发明利用忆阻器的非线性电导响应特性，实现在训练初期较快的调整忆阻器的权值，随着训练时间的增加，逐渐减缓对忆阻器的权值的调整。
学习速率调节方法装置终端设备可读存储介质

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条