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[发明专利]一种阻态依赖阈值开关性质的实现方法-CN202010987506.1在审
发明人：陈心满;钟智坚;蒋治国;黄健宁;章勇 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种忆阻器，包括衬底、第一电极、氧化铪层和第二电极，各个材料之间依次叠加，功能性材料氧化铪层设置在第一电极和第二电极之间，本发明还公开了一种忆阻器的制备方法和一种忆阻器的阻态依赖阈值开关特性的实现方法，本发明实现了忆阻器的可调控的阈值开关阻变性质，忆阻器的结构简单、制作工艺简便，使忆阻器在不同阻态下呈现出具有差异性的阈值开关特性。
一种依赖阈值开关性质实现方法

[发明专利]一种基于忆阻器的三值加法器函数实现方法-CN202111240309.4在审
发明人：杨润萍;吴志信;戴晟 -专利权人：宁波大学科学技术学院
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的三值加法器函数实现方法，选取具有电致电阻转变和非易失性的忆阻器，根据忆阻器的阻值设定忆阻器的三个阻态，定义忆阻器的输入、输出以及写操作后忆阻器的输出，并采用半导体参数分析测试仪中分别对忆阻器施加正向扫描电压和负向扫描电压获取忆阻器阻态转换的阈值电压Vth1和Vth2，进而确定忆阻器的输入的脉宽50毫秒的脉冲电压的幅值大小V1、V2以及恒定直流电压Vbase，然后在硬件平台处于测试阶段时，初始化忆阻器到相应阻态后，进行阻态调控，最后使硬件电路平台处于采集阶段后读取电流值，实现该三值加法器函数的输出；优点是具有较小的电路面积，较低的电路功耗，较高的运行速度，能够提高处理器芯片性能及计算效率。
一种基于忆阻器加法器函数实现方法

[发明专利]一种基于忆阻器的动态电源管理系统-CN201710561206.5在审
发明人：戴澜;陈纲 -专利权人：高科创芯（北京）科技有限公司
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器的动态电源管理系统，包括忆阻器单元阵列、操作模式控制模块、ldo电源管理模块和电源开关，以及数字逻辑电路控制模块和反馈读取模块；操作模式控制模块和忆阻器阵列相连接；反馈读取模块连接忆阻器阵列和数字逻辑电路控制模块本发明动态的电源管理系统会首先根据忆阻器单元的阻值写入特性调节，产生适合忆阻器单元的操作特性以起到实时电源管理的特性。本发明主要根据忆阻器操作模式的不同有效的动态控制操作模式的不同电压，实时进行开关，解决了忆阻器的电源控制问题，并有效降低功耗。
一种基于忆阻器动态电源管理系统

[发明专利]一种利用忆阻器进行非易失性复杂运算的方法-CN201810250070.0有效
发明人：杨玉超;李景县;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G06F7/483 文献下载
摘要：本发明公布了一种利用忆阻器进行非易失性复杂运算的方法及忆阻器，利用忆阻器实现复杂运算算术运算，包括：针对忆阻器设定逻辑状态的含义；设置忆阻器的器件结构；设置利用忆阻器进行布尔逻辑运算的两种方式，针对两种方式进行配置实现非易失性复杂运算；包括将忆阻器的电压值作为逻辑输入和将忆阻器器件状态作为逻辑输入进行布尔逻辑运算；可选择最优的实现方案，使得方案所需的器件数目和操作步骤最少。
一种利用忆阻器进行非易失性复杂运算方法

[发明专利]一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法-CN202210133064.3在审
发明人：张小红;杨港;马存良 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G06F30/331 文献下载
摘要：一种基于混合型忆阻器的分数阶混沌电路设计方法，由磁控忆阻器、荷控忆阻器构建的五维整数阶混合型忆阻电路，其中磁控忆阻器模型含有平方根算法和绝对值算法，荷控忆阻器是一种新颖的广义忆阻器模型。本发明根据分数阶微积分Grunwald‑Letnikov定义，从整数阶电路模型推导出分数阶混合型忆阻混沌电路模型，采用0‑1测试、SALI检测、Lyapunov指数以及复杂度方法验证了该分数阶电路具有复杂的非线性动力学行为；结合FPGA技术，设计了同阶次和不同阶次的分数阶混合型忆阻混沌模型，硬件仿真与数值计算结果一致，在复杂动力学和数字电路领域具有着广泛的应用潜力。
一种基于混合型忆阻器分数混沌电路设计方法

[发明专利]基于忆阻的连续可调电压源产生电路-CN202110074761.1有效
发明人：丁芝侠;苏婷;杨乐;李赛;王冠 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻的连续可调电压源产生电路，包括稳压电路和忆阻值调节电路，稳压电路和忆阻值调节电路共用一个忆阻器，忆阻值调节电路用于调节忆阻器的阻值；稳压电路中，稳压芯片的输出端与电感以及二极管的输出端连接，电感的另一端与电容连接，二极管的输入端以及电容的另一端接地，第一电阻、忆阻器和第二电阻依次串联，然后并联在电容两端；忆阻器和第二电阻的电压作为稳压芯片的反馈电压，第一电阻、忆阻器和第二电阻的电压即为产生的连续可调电压稳压电路用于产生连续可调的电压值，且在调节输出电压的过程中，无需更换忆阻器或其他电路元件，保证电路结构不改变；忆阻值调节电路用于调节忆阻器阻值，进而连续调节输出电压。
基于连续可调电压产生电路

[发明专利]一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用-CN201210119083.7有效
发明人：黄如;杨庚雨;叶乐;张耀凯;陈诚;蔡一茂 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用。本发明的电压保护电路包括：电阻连接至运算放大器的一个输入端；运算放大器的另一输入端接地；阻变忆阻器连接在电阻连接至运算放大器的一端与运算放大器的输出端之间；阻变忆阻器为双极阻变忆阻器；电阻和阻变忆阻器与运算放大器的连接为同相电压保护电路或者为反相电压保护电路本发明利用加在阻变忆阻器两端的电压超过发生阻变的阈值时，阻变忆阻器的阻值变小的特性，通过在电阻与运算放大器的输出端之间连接阻变忆阻器，使得当输入电压变大时，输出电压不会过高，从而以起到保护元件的作用。
一种基于阻变忆阻器电压保护电路及其应用

[发明专利]一种基于RRAM忆阻器单元的集合模块及其形成方法-CN201910742298.6在审
发明人：李琛;段杰斌;郭令仪 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种基于RRAM忆阻器单元的集合模块及其形成方法，该模块包括：用于存储权重值的N个RRAM忆阻器单元和权重生成单元，所述N个RRAM忆阻器单元中包括M个可变RRAM忆阻器单元；每一个所述可变RRAM忆阻器单元包括一个没有写入权重值的原始RRAM忆阻器、一个控制晶体管、激励电压产生器和输出端；其中，所述N和M为大于等于2的正整数，M为小于等于N；当所述权重生成单元确定好每一个所述可变RRAM忆阻器单元所需存储的权重值时，所述激励电压产生器产生相应于所述权重值的电压，通过所述控制晶体管对每一个所述可变RRAM忆阻器单元输入固定的权重值，以形成所述N个RRAM忆阻器单元的整套权重值组合。
忆阻器权重可变权重生成单元控制晶体管激励电压产生器存储权重固定的输出端正整数写入存储集合

[发明专利]可产生堆叠吸引子的双忆阻信号发生器-CN202011404731.4有效
发明人：杜传红;张正平;余世星;刘立才 -专利权人：贵州大学;安顺学院
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明公开可产生堆叠吸引子的双忆阻信号发生器，包括：压控忆阻器、流控忆阻器、第一运算放大器、第二运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容器、第二电容器、反向电路；本发明提供一种由压控忆阻器和流控忆阻器实现的可产生堆叠吸引子的双忆阻信号发生器，堆叠吸引子是一种新型混沌吸引子，本发明第一次报道，不仅丰富了忆阻混沌系统理论，还对丰富吸引子种类具有重要意义；同时，本发明采用常见的模拟电路元件实现忆阻器等效电路，有效降低了系统的成本。
产生堆叠吸引双忆阻信号发生器

[发明专利]一种基于忆阻器的新型可重构双频带通滤波器-CN201910865886.9有效
发明人：游彬;赵国凯;高坤坤;俞梦缘 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于忆阻器的新型可重构双频带通滤波器。本发明引入了一种忆阻器调控电路，可以有效避免忆阻器调控电压对整体电路测试的干扰。同时本发明提出一种利用具有宽调谐范围的忆阻器作为基础并且通过控制调控电压能够实现滤波器通带可重构的射频滤波器结构。加载的忆阻器拥有低功耗、高频下极好线性度等优点，迎合了现代射频通信系统的发展需求。忆阻器尺寸小的特点为缩小整体电路尺寸带来了优势，同时加载的忆阻器能够实现射频滤波器中多模式切换的功能。
一种基于忆阻器新型可重构双频带通滤波器

[发明专利]基于忆阻器的反相器结构、振荡器、真随机数装置及芯片-CN202310301328.6在审
发明人：鹿益铭 -专利权人：昕原半导体(上海)有限公司;昕原半导体（杭州）有限公司;昕原半导体（深圳）有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H03K19/094 文献下载
摘要：本申请提供一种基于忆阻器的反相器结构、振荡器、真随机数装置及芯片，所述反相器结构包括：PMOS单元和NMOS单元；忆阻器，所述忆阻器串联于所述PMOS单元和所述NMOS单元之间；所述PMOS单元、所述NMOS单元和所述忆阻器构成反相器结构，其中，所述忆阻器与所述PMOS单元的连接点作为反向输出端。本申请通过忆阻器构成的反相器，进而组建环形振荡器，有效提升了振荡的不稳定性。
基于忆阻器反相器结构振荡器随机数装置芯片

[发明专利]一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器及制备方法-CN202010880247.2在审
发明人：李伟;伊海;田伟;陈鹏宇;李东阳;李春梅;蒋向东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于柔性基底的偏铝酸铜忆阻器，忆阻器自上而下依次具有上电极、阻变层、下电极、柔性基底的垂直四层结构；忆阻器的上电极为铜薄膜或银薄膜；忆阻器件的阻变层为偏铝酸铜薄膜；下电极为氧化铟锡透明导电薄膜；柔性基底为聚萘二甲酸乙二醇酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯材料，本发明基于偏铝酸铜薄膜的柔性忆阻器，制备工艺简单、成本低廉且能够在聚合物柔性基底上获得良好的阻变特性。本发明所述的忆阻器扩宽了忆阻器阻变层的材料体系，有望在柔性器件、可穿戴电子器件领域获得应用。
一种基于柔性基底偏铝酸铜忆阻器制备方法

[发明专利]一种堆叠式双忆阻器存储结构、存储电路及工作方法-CN202211532020.4在审
发明人：张粮;车巍;童祎;王璇之;肖建;王宇 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式双忆阻器存储结构、存储电路及工作方法，每个忆阻器存储单元包括反向相连的忆阻器m1和忆阻器m2；每个忆阻器的上电极和下电极分别设有第一金属丝线和第二金属丝线；所述第一金属丝线连通读取层电路，第二金属丝线连通编码层电路；本发明采用堆叠式方法设计了编码层电路和读取层电路，二者共用忆阻器存储单元，且互相独立，同时公开了相应的工作方法，包括编码、读取和格式化方法；本发明设计的堆叠式双忆阻器存储电路结构既保证了资源的合理使用，更提升了忆阻器作为存储核心单元的稳定性，保证了存储阵列在存储数据时的优势，从而使忆阻器在存储器中的应用具有更好的适用性。
一种堆叠式双忆阻器存储结构电路工作方法

[发明专利]一种基于忆阻器的满幅自恢复灵敏放大器-CN202110509734.2在审
发明人：张博霖;李蕾;潘楠 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路设计领域，具体涉及一种基于忆阻器的满幅自恢复灵敏放大器。解决了灵敏放大器中摆幅不能自动恢复的问题，其实施方法是，通过锁存型负阻电路、忆阻器M1‑M2和差分输入电路串联，忆阻器起到分压的作用，可以影响锁存型负阻电路中MOS管的关断和开启。忆阻器控制电路K1‑K2为该串联电路的旁路，控制忆阻器M1‑M2在低阻态和高阻态之间迅速转变。忆阻器在高阻态时在本发明方案的电路中是满幅输出，忆阻器由低阻态到高阻态转变的过程可实现灵敏放大器的满幅自恢复功能。
一种基于忆阻器恢复灵敏放大器

[发明专利]一种地铁列车防电压波动装置-CN201711023927.7在审
发明人：王波;邹富成;成军 -专利权人：西华大学
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： B60M3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种地铁列车防电压波动装置，包括电压互感器1、电压检测模块2、忆阻器控制模块3、忆阻器驱动模块4和忆阻器Rm。当受电弓的电压通过主变压器时，输入的电压发生改变，电压互感器1将电压信号通过电压检测模块2转换成数值信号送入忆阻器控制模块3，忆阻器控制模块3通过忆阻器驱动模块4改变忆阻器Rm的忆阻值，从而实现输入电压的稳定
忆阻器地铁列车防电压波动控制模块电压检测模块电压互感器驱动模块电压波动电压信号输入电压数值信号有效解决运行稳定主变压器接触网受电弓舒适度送入地铁供电转换