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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种掺杂微量物质的高纯度铂材料及其制备方法-CN202211611376.7在审
发明人：王志江;宋振阳;金英杰;杨志先;冯永强 -专利权人：英特派铂业股份有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C22C5/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂微量物质的高纯度铂材料以及制备方法，所述掺杂微量物质的高纯度铂材料包括纯铂基体和微量物质；所述微量物质的添加量为纯铂基体重量的0.001～0.1％；所述掺杂微量物质的高纯度铂材料的纯度本发明提供的掺杂微量物质的高纯度铂材料通过精妙的微量物质添加，使得所述铂材料具有常温强度低容易加工，高温强度足使用寿命长的优点，并且所述铂材料的纯度能够满足SM‑Pt99.95。
一种掺杂微量物质纯度材料及其制备方法

[发明专利]一种用于脑胶质瘤的微量钆掺杂氧化锰纳米粒-CN201410122491.7无效
发明人：叶玲;邵晨;李帅;顾微;宫宁强;邓云龙;肖宁 -专利权人：首都医科大学
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： A61K49/18 文献下载
摘要：一种微量钆掺杂氧化锰纳米粒，以钆掺杂的氧化锰纳米粒为晶体内核，晶体内核的表面结合有硅烷化试剂；钆与锰的摩尔比为0.01-0.1。本发明还公开了制备微量钆掺杂氧化锰纳米粒的方法。本发明的微量钆掺杂氧化锰纳米粒可以在磁共振成像中作为对比剂，以及应用在药物载体、细胞示踪药物和基因转染中。
一种用于胶质微量掺杂氧化锰纳米

[发明专利]一种避免硅芯转型的母料微量掺杂方法-CN201910098832.4在审
发明人：牛晓玉;甘居富;游书华;彭中;王亚萍 -专利权人：内蒙古通威高纯晶硅有限公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C30B31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种避免硅芯转型的母料微量掺杂方法，在装炉前将混合溶液涂至母料棒顶端的表面；所述混合溶液中包括五氧化二磷和乙醇。本发明的避免硅芯转型的母料微量掺杂方法采用了杂质补偿，将长时间化料、引晶时挥发的杂质进行人为干预微量掺杂；把配制好的微量五氧化二磷与酒精混合溶液，均匀喷涂至母料顶端，待酒精完全挥发后，装入炉内进行拉制。通过磷元素母料顶端微量掺杂补偿，硅芯质量可实现电阻率分布更加均匀，避免出现P型、PN型或者混型的高阻硅芯。
母料微量掺杂硅芯转型五氧化二磷挥发酒精混合溶液电阻率分布混合溶液中混合溶液均匀喷涂人为干预杂质补偿拉制磷元素时间化高阻混型炉内乙醇引晶装炉装入酒精配制

[发明专利]一种微量Cu掺杂的多孔NiFe析氧电催化剂的制备方法-CN202210670277.X在审
发明人：李敬德;王宏玉;刘桂华 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明为一种微量Cu掺杂的多孔NiFe析氧电催化剂的制备方法。该方法以泡沫镍为基底，通过恒电流电沉积原位生长NiCu后，再通过恒电位的脱合金处理，实现了微量Cu的均匀掺杂和高比表面的多孔形貌，最后通过电沉积Fe，得到微量Cu掺杂的多孔NiFe电极。本发明通过Cu的微量掺杂提高了NiFe催化剂的本征活性，多孔纳米管形貌有利于电解液的渗透和氧气泡的快速排出，工艺简单，制备出的NiFe基OER催化剂具有高的催化活性和长久稳定性。
一种微量 cu 掺杂多孔 nife 析氧电催化剂制备方法

[发明专利]一种锂电用纳米硅颗粒的制备方法-CN201910220800.7在审
发明人：赵明才;张娟;汪炜 -专利权人：江苏载驰科技股份有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明公开一种掺微量元素的锂电用纳米硅颗粒的制备方法，所述掺的微量元素的类型为N型掺杂晶体硅和P型掺杂晶体硅。本发明首先以N型掺杂晶体硅和P型掺杂晶体硅为原料，铜管为作为工作电极，采用脉冲放电法制备掺微量元素的微米/亚微米硅颗粒，通过掺微量元素来提高硅的本征电导率。随后将制备得到的掺微量元素的微米/亚微米硅颗粒进一步通过高能球磨法将材料纳米化，以此来减小硅颗粒的绝对体积变化。通过上述方法从而可以提高硅材料的循环性能。
微量元素晶体硅硅颗粒制备纳米硅颗粒锂电电导率高能球磨法材料纳米工作电极扩大生产脉冲放电体积变化循环性能制备工艺硅材料本征减小铜管

[发明专利]SBD器件及其制备方法-CN201611184730.7在审
发明人：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种SBD器件及其制备方法，该SBD器件，包括金属层；设置在所述金属层上的缓冲层；设置在所述缓冲层上的重掺杂n‑GaN层；设置在所述重掺杂n‑GaN层上的微量掺杂n‑GaN层；设置在微量掺杂
sbd 器件及其制备方法

[实用新型]SBD器件-CN201621404535.6有效
发明人：金荣善;李东键;骆薇薇;孙在亨 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SBD器件及其制备方法，该SBD器件，包括金属层；设置在所述金属层上的缓冲层；设置在所述缓冲层上的重掺杂n‑GaN层；设置在所述重掺杂n‑GaN层上的微量掺杂n‑GaN层；设置在微量掺杂
sbd 器件

[发明专利]用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温防静电性能的方法-CN200710038437.4无效
发明人：冯煜东;王艺;王志民;速小梅;赵概 -专利权人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
申请日： 2007-03-26 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： C23C14/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温防静电性能的方法，它包括对锗靶材进行微量掺杂，并确定掺杂杂质类型、掺杂含量；根据确定结果制备靶材；通过气相沉积法制备柔性基底镀锗膜等步骤；掺杂杂质类型为n型杂质的P、As；P型杂质的B、Ga；掺杂含量为有效杂质载流子浓度1.0×10¹¹cm^－3～1.0×10¹³cm^－3。本发明在靶材中进行微量浅能级杂质掺杂可对低温电导进行适当补偿，可保证锗膜在－180℃～100℃之间具有良好的防静电和透微波性能。
用于提高聚酰亚胺基底镀锗膜低温静电性能方法

[发明专利]一种贵金属微量掺杂类异质结纳米多孔高熵合金电极及其制备方法和应用-CN202210275801.3在审
发明人：康建立;刘昊;赵乃勤;钱天刚 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C25B11/031 文献下载
摘要：本发明属于贵金属微量掺杂高熵合金在催化、储能应用技术领域，尤其涉及一种贵金属微量掺杂类异质结纳米多孔高熵合金电极及其制备方法及其在双功能催化水裂解产氢和产氧方面的应用。本贵金属微量掺杂类异质结结构纳米多孔高熵合金电极包括以下组分按物质的量百分比组成：贵金属M：0.1％‑1.0％；金属Ni：8‑13％；金属Mo：6‑8％；Co：8‑13％；过渡金属A：8‑13％；金属Mn本合金电极以纳米多孔高熵合金为基底掺杂微量贵金属元素，利用纳米多孔高熵合金优异的催化、力学性能，进一步提升贵金属催化剂的利用效率、催化活性和稳定性。
一种贵金属微量掺杂类异质结纳米多孔合金电极及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化钨基无粘结相硬质合金的制备方法-CN201710023555.1有效
发明人：朱流;王金芳;戴晟;李微微;涂志标 -专利权人：台州学院
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： C22C29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化钨基无粘结相硬质合金的制备方法，包括：提供掺杂微量活性元素的碳化钨复合粉体前驱体，所述活性元素为镧、铈和钇中的一种或几种；将碳化钨复合粉体前驱体在管式炉中进行焙烧，焙烧温度为650‑850℃，冷却，得到掺杂微量活性元素的碳化钨复合粉体，然后进行放电等离子烧结，烧结温度为1600‑1700℃，烧结压力为30‑50MPa，得到碳化钨基无粘结相硬质合金。本发明采用了掺杂微量活性元素的碳化钨复合粉体，由于微量活性元素的均匀掺杂，大大降低了碳化钨基无粘结相硬质合金的烧结温度，致密性高，力学性能优异。
一种碳化钨基无粘结硬质合金制备方法

[发明专利]掺杂的碳点及其用途-CN202180071882.9在审
发明人：胡晓;缪岩松;潘小勇;苏桑蒂;黄继伟;M·T·陈;陈辉 -专利权人：南洋理工大学
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C05D9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于促进植物生长的方法，所述方法包括使植物的至少一部分经受碳点，其中所述碳点掺杂一种或多种选自由以下组成的组的掺杂材料：二氧化硅、植物大量营养素、植物微量营养素和药物分子；并且其中所述掺杂材料在所述碳点内部和表面上缀合本发明还涉及碳点用于植物生长的用途，其中所述碳点掺杂一种或多种选自由以下组成的组的掺杂材料：二氧化硅、植物大量营养素和植物微量营养素以及药物分子；并且其中所述掺杂材料在所述碳点内部和表面上缀合。
掺杂及其用途

[发明专利]一种氧化锆基锶、硅、氟微量掺杂羟基磷灰石氧化锆增韧复合涂层及其制备方法和应用-CN201910226182.7有效
发明人：祝迎春;代钊;汪大林;王铭;王云丽;邵怡然 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： A61L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化锆基锶、硅、氟微量掺杂羟基磷灰石氧化锆增韧复合涂层及其制备方法和应用，所述复合涂层形成于基材上，所述基材为氧化锆陶瓷材料，所述复合涂层包括锶、硅、氟微量掺杂羟基磷灰石和氧化锆，所述锶、硅、氟微量掺杂羟基磷灰石的化学式为Ca10‑xSrx(PO4)
一种氧化锆微量掺杂羟基磷灰石复合涂层及其制备方法应用

[发明专利]一种微量锰掺杂羟基磷灰石生物陶瓷粉体材料及其制备方法和应用-CN201810205600.X有效
发明人：祝迎春;李淼;王铭;王云丽;邵怡然 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C04B35/447 文献下载
摘要：本发明涉及一种微量锰掺杂羟基磷灰石生物陶瓷粉体材料及其制备方法和应用，所述微量锰掺杂羟基磷灰石陶瓷粉体材料的组成通式为[Ca10‑xMnx<
一种微量掺杂羟基磷灰石生物陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种掺杂微量钨元素的高压锂电池正极材料及其制备方法-CN201210235387.X有效
发明人：陈红雨;朱振华;胡航;郑聖泉;李中奇 -专利权人：华南师范大学;株洲泰和高科技有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂微量钨元素的高压锂电池正极材料及其制备方法，该材料的通式为LiNi0.5Mn1.5﹙1-x﹚WxO4，其中0掺杂微量钨元素的高压锂电池正极材料具有良好的电化学性能，而且掺杂微量的钨元素的LiNi0.5Mn1.5﹙1-x﹚WxO4相对于没有掺杂的LiNi0.5Mn1.5O4，比容量和循环性能有很大的提高
一种掺杂微量元素高压锂电池正极材料及其制备方法

[发明专利]白钨矿主微量元素微区分析定量校正标准物质的制备方法-CN202111628689.9在审
发明人：柯于球;张宇;孙益坚;何凡;易文显 -专利权人：江西理工大学;国瑞科创稀土功能材料（赣州）有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明公开了一种白钨矿主微量元素微区分析定量校正标准物质的制备方法。按配比先称量碳酸钙、三氧化钨、碳酸钠和各种微量元素的化合物，将其混合均匀并充分研磨。将焙烧好的药品放入提拉法晶体生长炉中，经过装炉、对中、升温、引晶、等径生长、拉脱、降温等步骤完成晶体生长，最后可获得多元素掺杂的钨酸钙单晶。通过本法制备的多元素掺杂晶体的基体组成为钨酸钙，其化学组成与天然白钨矿一致；掺杂的微量元素在晶体内分布均匀，元素分布均一性良好；该晶体不易变质，便于储存，量值稳定，可作为天然白钨矿主微量元素微区分析的定量校正标准物质
白钨矿微量元素区分定量校正标准物质制备方法

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