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[发明专利]微沟槽成型模具在制备表面具有微沟槽图形的硅橡胶中的应用-CN201510522704.X有效
发明人：雷泽源;樊东力;李维娟;石小花 -专利权人：中国人民解放军第三军医大学第二附属医院
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： B29C33/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种微沟槽成型模具在制备表面具有微沟槽图形的硅橡胶中的应用，所述微沟槽成型模具包括凹模，所述凹模底部具有用于微沟槽成型、且成列或成行分布的微观凸起；所述微观凸起呈峰值为4‑6μm、周期为5‑本发明通过用微沟槽成型模具将硅橡胶表面改性成为具有微沟槽图形结构，增加了硅橡胶的水接触角，降低了其亲水性，进而影响到细胞在硅橡胶表面的生长行为，进一步影响细胞在材料表面的生长方向及空间排布，最终减少包膜挛缩的发生率
沟槽成型模具制备表面具有图形硅橡胶中的应用

[发明专利]一种表面微观气动布局设计-CN201710973953.X在审
发明人：王升宏 -专利权人：王升宏
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： B64C21/02 文献下载
摘要：本发明涉及到航空飞行器的固定翼、旋翼、扑翼飞机的高升力和大推力以及空中大阻尼升降设备(如小型降落伞)气动布局的技术领域，具体表现为一种表面微观气动布局的设计。这种设计的结构特征：如说明书附图所示，两种气动布局的基本元素面结构大体相同，均有微孔、微槽以及沟槽的设置，相应的尺寸皆设计在同一量级上；区别在于它们各自的微槽、沟槽设置的方向是不相同的，锐角设置的沟槽产生侧向气流(如图1)所示：直角设置的沟槽为大的阻尼(如图2)所示。此种气动布局的工作原理：从微观的角度通过高吸附性纳米薄片范德华力，对空气进行强有力压缩，使其产生微观层面上的方向性气流运动，进而推动外部气流运动，得到人们所需要的应用目的。
气动布局表面微观微槽航空飞行器小型降落伞侧向气流范德华力高吸附性工作原理基本元素纳米薄片扑翼飞机气流运动锐角设置升降设备外部气流微观层面直角设置大推力大阻尼高升力固定翼面结构微孔旋翼微观压缩应用表现

[发明专利]风电叶片根部连接用螺栓套及其预埋强度提升方法-CN202210683237.9在审
发明人：管迎春;卢立斌;丁希仑 -专利权人：北京航空航天大学宁波创新研究院
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： B29D1/00 文献下载
摘要：风电叶片根部连接用螺栓套的预埋强度提升方法，通过在螺栓套的宏观外螺纹沟槽结构表面加工出微观沟槽结构，可以使得线束缠绕填充材料在缠绕填充宏观外螺纹沟槽时，进一步填充至微观沟槽结构内，从而在保障螺栓套强度的前提下，增大由线束缠绕填充材料形成的外部沟槽缠绕层与螺栓套之间的连接强度和疲劳强度，在螺栓套预埋时，便可以满足目前叶片大型化带来的日益增大的叶片根部连接载荷需求。风电叶片根部连接用螺栓套有效增强了预埋螺栓套的连接及疲劳强度，突破了传统螺栓套中外螺纹沟槽的槽深限制螺栓套与外部沟槽缠绕层之间连接强度的技术瓶颈。
叶片根部连接螺栓及其强度提升方法

[实用新型]微沟槽成型模具-CN201520641570.9有效
发明人：雷泽源;樊东力;李维娟;石小花 -专利权人：中国人民解放军第三军医大学第二附属医院
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： A61F2/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微沟槽成型模具，属于医学材料制备装置技术领域，所述微沟槽成型模具包括凹模，所述凹模底部具有用于微沟槽成型、且成列或成行分布的微观凸起。本实用新型通过峰值为4-6μm、周期为5-7μm规律分布的微观凸起，可以将人体植入材料硅橡胶表面改性成为具有微沟槽图形结构，增加了硅橡胶的水接触角，降低了其亲水性，进而影响到细胞在硅橡胶表面的生长行为，
沟槽成型模具

[发明专利]转动体及其制造方法-CN200710073105.X无效
发明人：侯春树 -专利权人：富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： F16C33/10 文献下载
摘要：一种转动体，该转动体的旋转接触面分布有若干微观晶粒，这些晶粒之间相互间隔形成细微的且相互连通的网状沟槽。一种转动体的制造方法，包括：提供一转动体胚体，对该转动体胚体进行机加工处理，以破坏该转动体胚体表面的原子间键结状态；对该转动体胚体的旋转接触面进行高温热腐蚀处理，使得该转动体胚体表面微观晶界物质脱离，以形成细微的网状沟槽本发明还提供了一种利用化学腐蚀方式形成该转动体细微沟槽的制造方法。该转动体通过热腐蚀或化学腐蚀方式使得转动体表面形成网状连通的细微沟槽，这些沟槽通过毛细吸附力可将润滑油很好地保持在转动体表面，当转动体运转时，并能产生动压效果，减少转动体之间表面的磨损。
转动及其制造方法

[发明专利]表面质量评价中的原位测量方法-CN201110225434.8无效
发明人：李伯奎;刘远伟;陈小岗;曹苏群;王林高;蒋素琴;李年莲 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： G01N3/56 文献下载
摘要：本发明公开了表面质量评价中的原位测量方法，首先，使用激光雕刻的方法，在被测工件表面上刻出一道沟槽，此沟槽作为测量标靶区，测量标靶区本身不参与工作过程；其次，通过测量标靶区特征点在非接触式三维微观形貌仪扫描区域内的坐标值来进行定位本发明对表面微观形貌进行原位测量，揭示实际工作表面的规律，准确的评价表面在其服役周期中所具有的物理演化过程的渐进性，为表面质量评价提供新视角和新方法。
表面质量评价中的原位测量方法

[发明专利]一种具有多级复合结构生物电活性种植体的制备方法-CN201610810696.3有效
发明人：周睿;憨勇;靳国瑞;李明 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：一种具有多级复合结构生物电活性种植体的制备方法，将钛试样置于装有电解液的不锈钢槽中进行腐蚀微弧氧化生成表面沟槽结构；将具有沟槽的钛试样进行普通微弧氧化；将所制备表面具有沟槽的微弧氧化钛试样置于反应釜中水热生长纳米棒状二氧化锡得到的多级复合结构生物电活性种植体具有毫米级沟槽、微米级多孔和纳米棒三级表面结构，宏观上试样表面具有沟槽，微观上试样表面完全被具有双层复合结构的涂层所覆盖，内层为微观多孔结构的二氧化钛，表层为纳米棒状的二氧化锡
生物电活性多级复合种植体制备微弧氧化钛试样二氧化锡纳米棒状试样表面表面沟槽结构双层复合结构微观多孔结构类骨磷灰石表面结构不锈钢槽二氧化钛连续界面模拟体液生物活性涂层结构电解液反应釜毫米级纳米棒热生长微米级可用内层诱导微观腐蚀覆盖宏观

[实用新型]可提高GaN器件可靠性的器件结构-CN202020474428.0有效
发明人：刘春利 -专利权人：深圳镓华微电子有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可提高GaN器件可靠性的器件结构，包括GaN器件核心，在所述GaN器件核心内形成二维电子气，在所述GaN器件核心的周围从上表面至少刻蚀到二维电子气所在层以下形成第一沟槽，所述第一沟槽构成环槽并将所述GaN器件核心包围，在所述第一沟槽内填充有金属。本实用新型可避免微观裂纹的扩张。
提高 gan 器件可靠性结构

[发明专利]刻蚀方法-CN202210986824.5在审
发明人：管玉东;吴长明;冯大贵;王瑞环 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本申请公开了一种刻蚀方法，包括：在介质层上通过光刻工艺覆盖光阻，暴露出目标区域；进行刻蚀，刻蚀至目标区域的介质层中的预定深度，形成多种类型的沟槽，多种类型的沟槽包括第一沟槽，第一沟槽是OVL标记对应的沟槽，在刻蚀过程中通过控制反应气体的气压使第一沟槽的底部平坦；去除光阻。本申请通过在对OVL标记和其它区域进行刻蚀的过程中，通过控制反应气体的气压使OVL标记对应的第一沟槽的底部平坦，解决了由于微观负载效应所造成的第一沟槽底部凸起的现象，从而避免了由于OVL标记不清晰所导致的工艺问题
刻蚀方法

[发明专利]应用微纳沟槽表面结构的叶栅数值模拟与湍流控制方法-CN202111486780.1在审
发明人：王立悦;王聪;孙刚;王舒悦;游波 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明属于发动机流动控制技术领域，具体为一种应用微纳沟槽表面结构的叶栅数值模拟与湍流控制方法。本发明方法包括微纳沟槽表面的叶栅数值模拟和微纳沟槽表面对叶栅流道的湍流控制两个部分。本发明通过对表面近壁区域的大量微观模拟结果，得到由表面微纳沟槽引起的沿周向不同雷诺数区域的速度修正；将这些速度修正单元整合为滑移等效边界条件，并将其施加在叶栅边界，即完成简化的覆盖微纳沟槽的跨尺度数值模拟；通过对模拟所得的流场特征分析，研究表面微纳沟槽结构的湍流控制效果。本发明可以很好地平衡精度和效率，适于工程应用；应用本发明方法进行覆盖微纳沟槽表面结构叶栅的数值模拟，证明微纳沟槽表面的湍流控制作用。
应用沟槽表面结构数值模拟湍流控制方法

[发明专利]一种多尺度/跨尺度的交错嵌入式自润滑齿面-CN201710086514.7在审
发明人：陈奇;姚志刚;徐帆;李浩;樊浩 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： F16H57/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种多尺度/跨尺度的交错嵌入式自润滑齿面，该齿面包括微观尺度和宏观尺度两种结构；在齿面宏观尺度结构上，其加工有不少于两条网格状沟槽用于填充固体自润滑材料，疏密度依据齿面大小而定，网格状沟槽在齿面上投影面积占齿面总面积的30％～40％，深度大致为齿厚的1/10，且呈均匀布置；在齿面微观尺度结构上，交错网格中间还布置有微型凹坑，利用表面微型织构技术提高表面承载力和改善表面摩擦学特性。
一种尺度交错嵌入式润滑

[实用新型]一种经过激光微造型处理的活塞裙部-CN201020216881.8无效
发明人：尹必峰;章高伟;符永宏;王匀 -专利权人：江苏大学;安徽省恒泰活塞制造有限公司
申请日： 2010-06-07 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种经过激光微造型处理的活塞裙部，所述活塞裙部的表面为所述活塞裙部的主承载区及次承载区，所述活塞裙部的表面是由均匀分布的微凹腔或微沟槽组成的微观几何形貌的金相组织，所述微凹腔的几何截面形状为圆形所述微沟槽形貌的宽度d＝15～30μm，深度hp＝6～10μm，面积密度sp＝15％～35％，沟槽斜角α＝45°～75°。
一种经过激光造型处理活塞

[发明专利]分离装置及其制造方法-CN02151485.2无效
发明人：饭田一浩;川浦久雄;马场雅和;坂本利司;佐野亨;井口宪幸 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2002-08-02 - 公布日： 2003-04-16 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：一种用于将样品分离成大小不同的微观结构的分离设备，该设备包括一个有分离通道的分离部件，该分离通道位于分离部件基质上的沟槽中，在沟槽中形成间隔排列的柱路径(121)，其宽度比柱路径(121)间的间隙宽度要宽
分离装置及其制造方法

[发明专利]二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法-CN201210366144.X有效
发明人：王坚;贾照伟;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法，包括如下步骤：（1）将二氟化氙气体喷洒到裸露的阻挡层的表面；（2）采用光束仅照射电介质层上表面的阻挡层，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率本发明通过向电介质层上表面的阻挡层照射光束，提高了电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率，避免沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层过度刻蚀，提高了微观上的刻蚀均匀性
氟化氙气刻蚀阻挡方法

[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构-CN202211373418.8有效
发明人：张静;许宗能;朱梦媚 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：：提供基底，包括依次层叠的衬底、栅氧化层和多晶硅层，以及在多晶硅层的远离衬底的表面上的多个间隔的掩膜部；在多个掩膜部的两侧壁形成侧墙结构，并去除任意两个相邻的侧墙结构之间的裸露的多晶硅层，形成多个第一沟槽；在衬底中形成第一掺杂区，第一沟槽的底部在衬底中的投影位于第一掺杂区中；去除侧墙结构、部分多晶硅层、部分栅氧化层以及掩膜部，形成多个第二沟槽，并在衬底中形成第二掺杂区，第二沟槽底部在衬底中的投影位于第二掺杂区内该方法解决了现有技术中由于尺寸小易造成微观负载效应的问题。
半导体结构制作方法以及

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