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[发明专利]基于微环谐振器结构的全光逻辑异或非门结构-CN201010115705.X无效
发明人：翟耀;陈少武 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-01 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G02F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于微环谐振器结构的全光逻辑异或非门结构，该结构包括第一纳米线波导、第二纳米线波导和微环谐振腔，其中第一纳米线波导与第二纳米线波导互相平行，微环谐振腔位于第一纳米线波导与第二纳米线波导之间，且微环谐振腔与第一纳米线波导之间以及微环谐振腔与第二纳米线波导之间均有一定的间隙，该间隙使得微环谐振腔满足临界耦合条件，使得满足微环谐振腔谐振波长的光波能经过第一纳米线波导或第二纳米线波导完全耦合进微环谐振腔内，在第一纳米线波导或第二纳米线波导的输出端实现消光。本发明利用微环谐振腔中的双光子吸收效应，实现了全光“异或非”的逻辑功能。
基于谐振器结构逻辑非门

[发明专利]微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器-CN201610565762.5有效
发明人：尤立星;巫君杰;李浩;王镇;方伟;童利民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;浙江大学
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：本发明提供一种微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，包括：微纳光纤及超导纳米线；所述超导纳米线位于所述微纳光纤表面，且所述超导纳米线的长度方向与所述微纳光纤的长度方向一致。本发明将超导纳米线形成于所述微纳光纤表面，利用微纳光纤在微纳尺度的光传输、耦合特性，可以实现微纳光纤与超导纳米线的直接高效光耦合，提高了超导纳米线单光子探测器的光耦合效率；超导纳米线的有效面积与传统器件相比不受光纤端面尺寸限制，可以减小超导纳米线的长度，从而有效降低超导纳米线单光子探测器的动态电感，进而提高超导纳米线单光子探测器的速率；超导纳米线直接形成于所述微纳光纤的表面，提高了超导纳米线单光子探测器长期工作的稳定性。
光纤表面制备导纳米线光子探测器

[发明专利]一种金属微/纳米线阵列及其制备方法-CN201811631648.3在审
发明人：郝宗斌;傅欣欣;张良;葛海雄;袁长胜;崔玉双 -专利权人：南京大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工技术领域，具体涉及一种金属微/纳米线阵列及其制备方法。该金属微/纳米线阵列包括支撑层金属薄片和竖立在所述金属薄片上的金属微/纳米线。该金属微/纳米线阵列具有大的深宽比，且该金属微/纳米线的直径、高度和金属薄片的厚度可以精确控制；金属微/纳米线直接竖立在金属薄片上，相互之间无交叉和重叠，提高了比表面积和重复利用率；该金属微/纳米线阵列可以应用于制备大深宽比、柔性的纳米器件。该制备方法以具有较好刚性和刻蚀稳定性的材料为衬底，可以保证刻蚀过程中不易出现坍塌等问题，得到高深宽比的微/纳米线阵列；此外，本方法可以通过控制刻蚀时间，精确控制微/纳米线的高度。
纳米线阵列金属金属薄片纳米线制备深宽比竖立微纳加工技术刻蚀稳定性重复利用率高深宽比刻蚀过程纳米器件支撑层衬底刻蚀坍塌应用保证

[发明专利]ZnO微纳米线制备方法、ZnO微纳米线压电换能元件制备方法-CN201610393794.1在审
发明人：章伟;李雨桐;闵信杰;胡烨伟;胡雪峰 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L41/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO微纳米线制备方法。首先在基底上真空沉积ZnO薄膜；然后利用光刻工艺得到ZnO微纳米线。本发明还公开了一种ZnO微纳米线压电换能元件制备方法，利用上述ZnO微纳米线制备方法，再结合从上到下（Top‑down）微纳加工技术，可大批量、低成本地实现高能量转换效率的ZnO微纳米线压电换能元件生产加工本发明制备得到的ZnO微纳米线具有高的c‑轴择优取向和小于3%（3‑sigma）的均匀性，基于该ZnO微纳米线的微纳米发电机可产生足以驱动大多数微传感器和微LED照明所需要的功率。
zno 纳米制备方法压电元件

[发明专利]一种单根纳米线或纳米管的超声操控方法及其装置-CN201210556303.2无效
发明人：胡俊辉;李宁;李华清;周玉杰 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单根纳米线或纳米管的超声操控方法及其装置，该方法包括以下步骤：a、利用超声换能器对微针进行励振，从而使一端浸没于含有纳米线或纳米管的悬浊液的微针产生声学涡流，进而沿着微针振动方向吸引纳米线或纳米管，并将被捕捉的纳米线或纳米管压在微针的端部表面；b、移动微针，从而使吸附在微针端部表面上的纳米线或纳米管随着微针移动到指定位置；c、关闭超声换能器停止励振，被捕捉的纳米线或纳米管从微针上释放，从而完成对单根纳米线或纳米管的操控
一种纳米超声操控方法及其装置

[发明专利]一种一维纳米线的固定和可控操作的方法-CN201710282622.1在审
发明人：师文生;穆丽璇;曹星星 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2017-04-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种一维纳米线的固定和可控操作的方法，包括将一维纳米线分散在有机溶剂，超声处理得到一维纳米线悬浊液；将一维纳米线悬浊液注入到玻璃微针中，用微量注射器使一维纳米线悬浊液从微针尖端流出，在高倍显微镜下观察，当一维纳米线长度的1/3‑1/2从玻璃微针尖端露出时停止旋转微量注射器的推进器，静置使有机溶剂挥发；用另一个玻璃微针将胶滴加在一维纳米线与玻璃微针结合处，使一维纳米线固定在玻璃微针尖端；将带有一维纳米线的玻璃微针固定在三维移动支架上，通过调节三维移动支架旋钮实现一维纳米线在三维方向上的固定和可控操作。本发明为一维纳米线的固定和可控操作提供了新的方法。
一种纳米固定可控操作方法

[发明专利]纳米线微孔结构-CN201580084087.8有效
发明人： S·巴塞罗;葛宁;A·罗加奇 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B01D39/00 文献下载
摘要：微孔结构包括纳米线的阵列和所述阵列的纳米线周围的涂层。涂层限定纳米线之间的孔。并且，样本制备设备包括供体相微流体通道、受体相微流体通道和供体相微流体通道和受体相微流体通道之间的支撑液体膜，其中支撑液体膜具有微孔结构，所述微孔结构包括纳米线的阵列、限定纳米线与支撑在孔内的有机相之间的孔的涂层
纳米微孔结构

[发明专利]一种从Mn₅Ge₃表面制备具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线的方法-CN201910419931.8在审
发明人：刘丹敏;王少博;于斐;徐国梁;石峰 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：一种从Mn₅Ge₃表面制备具有Sn@MnOx核壳结构微/纳米线的方法，涉及金属纳米材料制备领域，实现微/纳米线直径和长度尺寸的可控制备。该方法以片状锰，铁，赤磷，锗颗粒，锡球为原料，通过高温烧结、酸腐蚀和一定温度下存放等过程，制备出直径和长度可控的具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线。本发明首次制备出具有Sn@MnOx核壳结构的微/纳米线，其中β‑Sn微/纳米线作为“核”，超薄非晶态MnO_X纳米片作为“壳”层，完全把Sn包裹住，形成Sn@MnOx微/纳米线异质结构本发明不仅丰富了成熟的纳米结构形态库，扩大对纳米级晶体生长的理解，在制备纳米线基传感器元件方面具有潜在的应用价值。
纳米线核壳结构制备表面制备纳米线异质结构金属纳米材料纳米结构形态传感器元件纳米级晶体高温烧结非晶态可控的可控制纳米片潜在的酸腐蚀锗颗粒赤磷锡球生长成熟应用

[发明专利]单根纳米线或纳米管低速驱动方法及其装置-CN201210434562.8无效
发明人：胡俊辉;李宁;周玉杰;李华清 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明公布了一种单根纳米线或纳米管低速驱动方法及其装置，其特征在于包括超声换能器，微针一端通过连接板连接至超声换能器，另一端浸没在纳米线或纳米管悬浊液薄膜中，悬浊液薄膜置于基板之上。驱动方法是：移动微针,使微针尖部位于纳米线或纳米管的中心或者一端的上方；利用超声换能器对微针进行励振，从而使一端浸没于含有纳米线或纳米管的悬浊液的微针产生环绕微针尖部的声学涡流，进而驱动纳米线或纳米管围绕其中心或者一端水平低速转动；关闭超声换能器停止励振，转动的纳米线或纳米管停止转动，从而完成对单根纳米线或纳米管的旋转操控。
纳米低速驱动方法及其装置

[发明专利]一种大面积钙钛矿微纳米线阵列的制备方法及其应用-CN201510399664.4有效
发明人：阳军亮;胡巧;吴涵 -专利权人：中南大学
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积钙钛矿微纳米线阵列的制备方法及其在光电探测器中的应用；在环境条件下可以通过简单的刮涂方式或者卷对卷印刷技术制备获得高度取向、大面积的微纳米线阵列；所获得的微纳米线长度达到毫米级，宽度在100纳米到5微米间，微纳米线阵列高度取向排列；该制备方法简单，成本低廉，高度取向、大面积的钙钛矿微纳米线阵列可以应用于制备光电探测器。
一种大面积钙钛矿微纳米阵列制备方法及其应用

[实用新型]一种基于垂直耦合微环激光器结构的全光与门和或门-CN201420666744.2有效
发明人：谢生;毛陆虹;郭婧;王浩 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G02F3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于垂直耦合微环激光器结构的全光与门和或门，包括：第一纳米线波导通过第一方向耦合器将输入光信号耦合进微环谐振腔，微环谐振腔经过第二方向耦合器将输出光信号耦合进第二纳米线波导；第一纳米线波导和第二纳米线波导相互平行；微环谐振腔在第一纳米线波导和第二纳米线波导下面的相邻平面内，且位于第一纳米线波导和第二纳米线波导之间。
一种基于垂直耦合激光器结构与门

[发明专利]一种纳米线阵列制备方法-CN201811603933.4在审
发明人：段学欣;唐宁;周诚 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米线阵列制备方法，包括：在一衬底表面上旋涂纳米压印胶；B、将具有纳米结构阵列的模板压印在旋涂纳米压印胶的衬底上，以使纳米结构阵列转印至纳米压印胶上；C、将被转印有纳米结构阵列的衬底倒置后，将其具有纳米结构阵列的一面与一柔性基底结合，以形成纳米级的微通道阵列；D、将用于生成纳米线的功能化聚合物溶液滴至微通道阵列的端口部，以使溶液受到所述微通道的毛细力的作用下，流入至所述微通道中，并在微通道中进行自组装，形成纳米线阵列；E、待微通道中的液体挥发，纳米线阵列定型完成以后，将衬底揭除后以获取具有纳米线阵列的柔性基底。由上，本申请能够低成本且高效地实现制备整齐排列的纳米线阵列。
纳米线阵列纳米结构阵列微通道纳米压印胶衬底制备微通道阵列柔性基底转印功能化聚合物衬底表面液体挥发整齐排列倒置低成本端口部毛细力模板压纳米级纳米线溶液滴自组装揭除上旋旋涂定型申请

[发明专利]纳米线结构元件-CN200980115998.7无效
发明人： T·科尔内留斯;W·恩辛格;R·纽曼;M·劳贝尔 -专利权人： GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C25D1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米线结构元件，其适于例如安装到微反应器系统或微催化剂系统中。为了制备纳米线结构元件，使用基于模板的方法，其中在纳米孔中进行纳米线的电化学沉积。辐照在不同的角度下进行，使得形成纳米线网络。在纳米线网络中的结构化空腔通过将模板膜溶解并去除溶解的模板膜而露出。纳米线的网状互联赋予纳米线结构元件以稳定性并且建立了在纳米线之间的电连接。
纳米结构元件

[发明专利]一种基于微纳波导倏逝场耦合的单片式光学MEMS加速度计-CN202111444321.7有效
发明人：辛晨光;张钟瑶;李孟委;金丽;范长江 -专利权人：中北大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01P15/093 文献下载
摘要：本发明属于微机电系统和微惯性器件技术领域，具体涉及一种基于微纳波导倏逝场耦合的单片式光学MEMS加速度计，包括输入硅纳米线、弯曲硅纳米线、输出硅纳米线、质量块、悬臂梁、支撑结构，所述弯曲硅纳米线固定在质量块上，所述弯曲硅纳米线的一端与输入硅纳米线耦合，所述弯曲硅纳米线的另一端与输出硅纳米线耦合，所述质量块通过悬臂梁与支撑结构连接，所述输入硅纳米线、弯曲硅纳米线均固定在支撑结构上。本发明基于光学原理，通过检测波导中光功率变化实现加速度检测，具有免疫电磁干扰和外界环境光干扰的特点；根据微纳波导倏逝场耦合原理，极其微小的位移将会引起耦合效率的剧烈变化，具有很高的测量灵敏度。
一种基于波导倏逝场耦合单片光学 mems 加速度计

[发明专利]一种基于垂直耦合微环激光器结构的全光与门和或门-CN201410628152.6在审
发明人：谢生;毛陆虹;郭婧;王浩 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G02F3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于垂直耦合微环激光器结构的全光与门和或门，包括：第一纳米线波导通过第一方向耦合器将输入光信号耦合进微环谐振腔，微环谐振腔经过第二方向耦合器将输出光信号耦合进第二纳米线波导；第一纳米线波导和第二纳米线波导相互平行；微环谐振腔在第一纳米线波导和第二纳米线波导下面的相邻平面内，且位于第一纳米线波导和第二纳米线波导之间；其中，输入光信号包括：控制信号和组合信号，通过调整控制信号的光功率，控制微环激光器的激射模式，通过测量第二纳米线波导的输出光功率随输入光信号功率的变化关系
一种基于垂直耦合激光器结构与门

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