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[发明专利]一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法-CN201710334072.3有效
发明人：周霖;冯真;李文君;程云;黎明;单李军;杨兴繁;邓德荣;张鹏;和天慧 -专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开一种采用微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的方法，属于晶体合成技术领域。该方法中，基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。
一种采用微波等离子体化学沉积法制金刚石方法

[发明专利]一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台-CN201710334592.4有效
发明人：李文君;周霖;程云;冯真;李春霞;单李军;邓德荣;黎明;杨兴繁 -专利权人：中国工程物理研究院应用电子学研究所
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开一种用于微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石膜的基片台，属于晶体合成技术领域。该基片台置于微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置反应腔体内的水冷台上，其结构包含用于放置沉积基底的中心凹槽、环形外凸出部、环形内凸出部、介于内外凸出部之间的环形凹槽及位于外凸出部外侧的外表面。该基片台独立于反应腔体及水冷台，用于放置沉积基底并在其上方形成均匀稳定的电场及等离子体分布，提高所制备的金刚石膜的均匀性，同时能够有效防止基片台非沉积区域生成的杂质溅射至沉积基底上污染金刚石膜。
一种用于微波等离子体化学沉积法制金刚石基片台

[发明专利]一种锂离子电池硅碳负极材料及其制备工艺和设备-CN202110137754.1在审
发明人：言伟雄;袁建陵 -专利权人：株洲弗拉德科技有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池硅碳负极材料及其制备工艺和设备，负极材料包括基材和沉积在基材表面的纳米硅，所述基材为碳材料，所述纳米硅通过等离子增强化学气相沉积工艺沉积在基材表面，所述等离子增强化学气相沉积工艺过程中，基材在沉积区为流态化运动状态，所述等离子增强化学气相沉积工艺在流态化等离子气相沉积炉内进行，所述流态化等离子气相沉积炉内设有正极板和负极板，所述正极板和负极板之间为沉积区，所述基材在负极板的振动作用下在沉积区作流态化运动本发明通过基材在沉积过程的流态化流动，确保纳米硅均匀且牢固的分布在碳材料上，解决了纳米硅因游离而抱团的问题，将其作为锂离子电池负极材料可以有效提高电池的工作性能。
一种锂离子电池负极材料及其制备工艺设备

[实用新型]一种用于微波等离子体化学气相沉积设备的移动样品台-CN201620349914.3有效
发明人：彭金辉;江彩义;郭胜惠;杨黎;张利波;王梁 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于微波等离子体化学气相沉积设备的移动样品台，属于微波等离子体化学气相沉积设备技术领域。的两端穿过滑块导轨，两端设有滑块Ⅰ，滑块Ⅰ位于滑块导轨上可滑动，其中一个滑块上设有步进电机Ⅰ；螺杆Ⅱ的结构与螺杆Ⅰ相同；由于螺杆Ⅰ与螺杆Ⅱ相互垂直且不在同一平面，中心滑块沿X轴、Y轴方向的移动相互独立，从而使沉积基片迅速到达与等离子球配合最佳的位置，大大提高工作效率和气相沉积效果。
一种用于微波等离子体化学沉积设备移动样品

[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法-CN201910620314.4有效
发明人：黄邦斗;刘泽慧;章程;邵涛 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了材料领域的一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法。该制备方法包括，金属前驱体、等离子体的启动气体和非金属前驱体，先将所述等离子体的启动气体电离形成等离子体，然后向所述等离子体中通入金属前驱体和非金属前驱体，发生化学气相沉积反应；或，先将所述等离子体的启动气体和所述非金属前驱体电离，然后向电离后的气体中通入金属前驱体，发生化学气相沉积反应。本发明提供的等离子体增强化学气相沉积金属薄膜制备方法，其所通过金属前驱体不参与电离，避免金属对等离子体的抑制作用，从而可以长时间、稳定地反应生成金属氮化物。
一种等离子体增强化学沉积金属薄膜制备方法

[发明专利]一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法-CN201010137246.5无效
发明人：于威;路万兵;傅广生;王春生;崔双魁 -专利权人：河北大学
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温下制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜的方法，首先将清洗好的衬底放置到螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台上，然后对螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的反应室抽真空，并用氢等离子体清洗螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的基片台和反应室器壁，再加热基片台，向反应室通入反应气体并调节气压，向螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置的等离子体产生室施加磁场并开启射频电源，开始碳化硅薄膜的沉积，至得到碳化硅薄膜样品，最后在氢气保护下降温至室温，取出样品，完成氢化纳米晶态碳化硅薄膜的沉积。
一种低温制备氢化纳米晶态碳化硅薄膜方法

[发明专利]一种锂离子电池硅碳负极材料及其制备工艺和设备-CN202110137768.3在审
发明人：言伟雄;袁建陵 -专利权人：株洲弗拉德科技有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池硅碳负极材料及其制备工艺和设备，负极材料包括基材和沉积在基材表面的纳米硅，所述基材为碳材料，所述纳米硅通过等离子增强化学气相沉积工艺沉积在基材表面，所述等离子增强化学气相沉积工艺过程中，基材在沉积区为流态化运动状态，所述等离子增强化学气相沉积工艺在流态化等离子气相沉积炉内进行，所述流态化等离子气相沉积炉内设有正极板、负极板和搅拌上料机构，所述基材在负极板振动作用和搅拌上料机构作用下在沉积区作流态化循环运动本发明通过基材在沉积过程的流态化流动，确保纳米硅均匀且牢固的分布在碳材料上，解决了纳米硅因游离而抱团的问题，将其作为锂离子电池负极材料可以有效提高电池的工作性能。
一种锂离子电池负极材料及其制备工艺设备

[发明专利]一种蝶形腔式微波等离子体化学气相沉积装置-CN202310694693.8在审
发明人：吴昊;卢善友;许金凤;郑家勇 -专利权人：安徽聚碳机械设备有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本发明属于微波等离子体化学气相沉积技术领域，尤其是一种蝶形腔式微波等离子体化学气相沉积装置。本发明能进行有效调节谐振腔高度的真空腔体结构，可有效避免次生等离子体的形成。
一种蝶形式微等离子体化学沉积装置

[发明专利]用于热塑性材料上等离子体涂覆的方法-CN201780065761.7在审
发明人： S·萨费;R·D·凡德格拉姆佩 -专利权人：沙特基础工业全球技术公司
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：复合材料及其制备方法，该复合材料包括聚碳酸酯基底和等离子体增强化学气相沉积形成的层。具体地，通过等离子体增强化学气相沉积方法形成的膜包括：将射频偏压施加至基底；并且供应工艺气体通过天线，其中施加至天线的微波功率在基底表面产生工艺气体的等离子体，从而在基底上形成一个或多个层。在某些方面，该膜显示出有利的氧透过率、阻挡改善因子、光学透射率、表面粗糙度、耐化学性和表面粗糙度性质中的一种或多种(或全部)。
等离子体增强化学气相沉积等离子体表面粗糙度复合材料基底天线施加供应工艺气体光学透射率聚碳酸酯基热塑性材料工艺气体基底表面耐化学性射频偏压微波功率氧透过率涂覆制备阻挡

[发明专利]化学气相沉积方法和装置-CN201310731247.6在审
发明人：李兴存 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明一种化学气相沉积方法，该化学气相沉积方法包括向设置有基片的反应腔内通入金属源前驱体和非金属源前驱体，其中，所述金属源前驱体和所述非金属源前驱体均经过在化学气相沉积过程中始终开启的等离子体发生装置，本发明还提供一种化学气相沉积设备。在整个化学气相沉积的过程中等离子体发生装置始终开启，避免了等离子体发生装置的电极频繁起辉，降低了所述电极在射频高压作用下受轰击而产生颗粒的风险，因此也降低了颗粒污染基片的风险，并且提高了等离子体发生装置中射频电源的寿命
化学沉积方法装置

[发明专利]一种锂离子电池硅碳负极材料及其制备工艺和设备-CN202110137753.7在审
发明人：言伟雄;袁建陵 -专利权人：株洲弗拉德科技有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池硅碳负极材料及其制备工艺和设备，负极材料包括基材和混合沉积在基材表面的纳米硅和纳米碳，所述基材为碳材料，所述纳米硅和纳米碳通过等离子增强化学气相沉积工艺混合沉积在基材表面，所述等离子增强化学气相沉积工艺过程中，基材在沉积区为流态化运动状态，所述等离子增强化学气相沉积工艺在流态化等离子气相沉积炉内进行，所述流态化等离子气相沉积炉内设有正极板和负极板，所述正极板和负极板之间为沉积区，所述负极板具有振动输料功能，所述基材在负极板的振动作用下在沉积区作流态化运动。本发明通过在基材表面混合沉积纳米碳和纳米硅，在纳米硅表面形成碳包覆层，提升了硅碳负极材料的性能。
一种锂离子电池负极材料及其制备工艺设备

[发明专利]光电装置及其制造方法-CN200810144456.X无效
发明人：富振华;刘育泉;王泰钧;王冠儒 -专利权人：泰谷光电科技股份有限公司
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种光电装置的制造方法，包括提供一基板；通过原子层沉积、电子束蒸镀、溅镀、等离子增强化学气相沉积、常压化学气相沉积或感应式耦合等离子增强化学气相沉积，在基板上形成一氮化物缓冲膜；以及在氮化物缓冲膜上形成光电组件
光电装置及其制造方法

[发明专利]一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置-CN201910578365.5在审
发明人：闫宁;范波;吴啸;徐帅 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： C23C16/517 文献下载
摘要：本发明涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置，波导组件包括引风管段，用于设置在微波发生器和模式转换器之间，引风管段侧壁上设置有引风通道，用于将引风管段内腔和外界进行连通，还包括风机，与引风通道对接，用于在引风通道处向引风管段内腔中送风，或者从引风管段内腔中吸风，以在波导内腔中形成气流，引风管段内固设有透波挡风板，用于阻挡气流流向微波发生器。
引风微波等离子体化学气相沉积波导组件管段内腔引风通道管段微波发生器风机送风吸风模式转换器外界冷空气波导内腔核心部件进入装置气流流向确保装置挡风板侧壁透波连通冷却阻挡

[发明专利]一种利用微波等离子体化学气相沉积技术在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法-CN202110756515.4有效
发明人：赵洪阳;李天蔚;郝建新;马志斌;王旭平 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明属于晶体合成技术领域，具体涉及一种利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：1）将钽铌酸钾晶体置于微波等离子体化学气相沉积装置的腔体中，将腔体抽真空后，通入氢气，调节氢气流量、气压和微波功率，产生等离子体包裹钽铌酸钾晶体以实现对其加热，并调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa‑12kPa范围之内；2）待压强和等离子体状态稳定后，对步骤1）所述腔体内通入甲烷，控制甲烷和氢气的通入流量比，再调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa‑12kPa范围之内；待通入甲烷6‑9h后关闭微波源，待腔体冷却，取出样品，得到在钽铌酸钾晶体上制备的金刚石薄膜。
一种利用微波等离子体化学沉积技术钽铌酸钾晶体制备金刚石薄膜方法

[发明专利]微波等离子体化学气相沉积装置和漏点检测方法-CN201810408777.X在审
发明人：马懿;马修·L·斯卡林;朱金华;吴建新;缪勇;卢荻;艾永干;克里斯托弗·E·格里芬 -专利权人： FD3M公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括：谐振腔；沉积台，设置于谐振腔内，包括基板以及为基板降温的冷却装置，该冷却装置包括冷却水回路，所述冷却水回路上设置有VCR接头。本发明可以有效的解决微波等离子体化学气相沉积装置的泄露，可以明显提供钻石生产的品质。
微波等离子体化学气相沉积冷却装置真空腔体谐振腔基板泄露冷却水回路极高真空漏点检测曲线切线沉积台静态压冷却水起始点升力申请钻石生产

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