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[发明专利]一种基于微波等离子体反应器合成金刚石的方法-CN202110695623.5有效
发明人：李庆利;甄西合;徐悟生;赵丽媛;朱逢锐;朱逢旭;杨春晖 -专利权人：秦皇岛本征晶体科技有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及化学气相沉积技术领域，特别涉及一种基于微波等离子体反应器合成金刚石的方法，包括以下步骤：步骤一：籽晶筛选；步骤二：籽晶预处理；步骤三：加工反应腔腔室；步骤四：防止籽晶；步骤五：调节反应气压，调节微波输入功率，激发等离子体；步骤六：调节所述第一升降器和第二升降器的高度；步骤七：调节功率和反应气压；步骤八：进行金刚石沉积；步骤九：关机处理。通过整体的方法控制，保证等离子球的稳定性，避免出现等离子体球上移的现象；反应气体能够在反应气压和功率数值比在2/1‑3/1区间内充分离解，生长的金刚石质量和速率明显提升。
一种基于微波等离子体反应器合成金刚石方法

[发明专利]一种环形阶梯同轴天线式微波等离子体化学气相沉积装置-CN202210623367.3有效
发明人：李成明;杨志亮;任飞桐;魏俊俊;陈良贤;刘金龙;张建军;安康;郑宇亭 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种环形阶梯同轴天线式微波等离子体化学气相沉积装置。包括：2.45GHz微波电源、矩形波导、三销钉调配器、短路活塞、同轴线模式转换器、环形阶梯同轴天线、环形石英窗、圆柱形微波谐振腔、测温窗口、观察窗口、进气口、排气口、冷却水口、可升降式衬底台结构、可升降式基台调谐结构环形阶梯同轴天线由从上至下分别由三个不同直径的环形阶梯凹槽构成，对微波电场和等离子体具有压缩效应，使微波电场和等离子体在衬底表面上方分布更加均匀。环形石英窗安置于环形阶梯同轴天线下方，远离等离子体，提升设备真空性的同时避免了等离子对石英介质窗口的刻蚀。本装置用于制备单晶金刚石和多晶金刚石膜，可实现高功率、高腔压下金刚石单晶或大面积薄膜的高质量均匀沉积。
一种环形阶梯同轴天线式微等离子体化学沉积装置

[实用新型]用于处理平板显示器衬底的化学气相沉积系统-CN200620117624.2无效
发明人：崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于清洗化学气相沉积室的装置。该化学气相沉积室包括将来自远程等离子体源的反应性物种绕过室的气体分配组件引入室中的入口和将来自远程等离子体源的反应性物种经由气体分配组件引入室中的入口。
用于处理平板显示器衬底化学沉积系统

[发明专利]便携式电子装置外壳制造方法-CN01129901.0无效
发明人：简文山 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2001-11-07 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H05K5/00 文献下载
摘要：一种便携式电子装置外壳制造方法，包括首先对电子装置外壳进行喷砂预处理，然后对该喷砂处理过的电子装置外壳进行等离子化学气相沉积。具体是在一定温度下，往真空炉内输入所需工作气体，并使真空炉内保持一定真空度，与此同时，在真空炉内的电极与电子装置外壳之间输入高压，使工作气体电离成等离子体，在电场力的作用下使电离的等离子体和电子装置外壳表面发生界面反应，结合沉积在电子装置外壳的表面，形成一层保护膜。
便携式电子装置外壳制造方法

[发明专利]等离子体增强化学气相沉积装置-CN201610834267.X在审
发明人：刘凤举 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2016-09-20 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： C23C16/509 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体增强化学气相沉积装置，包括：反应腔室，所述反应腔室的侧壁上设开口阀；上电极和下电极，相对地设置在所述反应腔室的内部；以及射频馈入装置，电连接所述上电极，用于在所述反应腔室的内部产生等离子体增强化学气相沉积反应本发明所述等离子体增强化学气相沉积装置的产品良率高。
等离子体增强化学沉积装置

[发明专利]用于进行等离子体化学气相沉积的炉子-CN201110333670.1有效
发明人： M·J·N·斯特拉伦范;R·H·M·德克斯 -专利权人：德拉卡纤维技术有限公司
申请日： 2004-12-30 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种用于进行等离子体化学气相沉积的炉子，该炉子具有金属壳以防止高频能量向环境泄漏。本发明还提供了一种用于进行等离子体化学气相沉积的方法，在所述等离子体化学气相沉积过程中，使用炉子使玻璃基体维持在800-1300℃的温度，其中通过波导管向涂覆器传送高频能量，由于在所述炉子中存在狭缝，该波导管在所述的炉子内能来回移动
用于进行等离子体化学沉积炉子

[发明专利]一种可提高膜层纯度的等离子法沉积膜层的装置-CN201610719680.1在审
发明人：梁磊 -专利权人：佛山市思博睿科技有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明公开一种膜层纯度高，可精确控制膜层厚度的等离子法沉积膜层的装置，包括有反应室、抽气设备、气体输送系统和脉冲微波发生器，抽气设备和气体输送系统与反应室连通，抽气设备设于反应室的下方，气体输送系统设于反应室上方，脉冲微波发生器向反应室供应产生的微波，在反应室下方的出气口于抽气设备的一侧设有等离子点火触头，采用本技术方案后，与现有技术相比，本低压等离子体化学气相沉积制得纳米薄膜的装置具有以下优点：1)膜层纯度高
一种提高纯度等离子沉积装置

[发明专利]一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积设备-CN201010188615.3有效
发明人：唐伟忠;李晓静;于盛旺;王凤英 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2010-05-24 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积设备，属于金刚石膜的化学气相沉积技术领域。包括微波谐振腔的上圆柱体、微波谐振腔的下圆柱体、金刚石膜沉积台、微波反射体、石英窗、等离子体、调节机构一和调节机构二。金刚石膜沉积台、微波反射体在上圆柱体和下圆柱体内部，石英窗在金刚石膜沉积台的下方；微波反射体通过调节机构一调节微波反射体的高度，调节机构二调节上圆柱体的高度，微波反射体对微波电场起反射和增强作用。上圆柱体、下圆柱体、金刚石膜沉积台、微波反射体、调节机构一和调节机构二都能实现直接的水冷。本发明优点是能在高功率下，以较高速率沉积高品质的金刚石膜，设备具有可靠、方便调节等特点。
一种功率微波等离子体金刚石沉积设备

[发明专利]沉积二氧化硅薄膜的方法-CN201310150780.3在审
发明人：凯瑟琳·克鲁克;安德鲁·普赖斯;马克·卡拉瑟斯;丹尼尔·阿查德;斯蒂芬·伯吉斯 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积二氧化硅薄膜的方法，并且更具体地利用原硅酸四乙酯(TEOS)以等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积二氧化硅薄膜的方法。
沉积二氧化硅薄膜方法

[发明专利]一种等离子石墨烯纳米银导电膜及其制作工艺-CN201710361846.1有效
发明人：刘刚 -专利权人：青岛元盛光电科技股份有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：一种等离子石墨烯纳米银导电膜及其制作工艺，涉及导电膜技术。一种等离子石墨烯纳米银导电膜的制作工艺，包括：在压强为120‑140Pa的条件下，利用等离子增强化学气相沉积法将石墨烯纳米银沉积在温度为340‑360℃的有机基片上。等离子增强化学气相沉积法所需的温度低、沉积速率快；最后制得的等离子石墨烯纳米银导电膜质量好，针孔较少，不易龟裂。一种等离子石墨烯纳米银导电膜，由上述的等离子石墨烯纳米银导电膜的制作工艺制得。
一种等离子石墨纳米导电及其制作工艺

[发明专利]微波等离子体化学气相沉积法生长多晶金刚石片的方法-CN201910279579.2在审
发明人：宋彦军;陶隆凤;王礼胜 -专利权人：河北地质大学
申请日： 2019-03-31 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C01B32/26 文献下载
摘要：本发明公开了微波等离子体化学气相沉积法生长多晶金刚石片的方法，涉及人造金刚石领域，其具体步骤如下：(1)对微波等离子体化学气相沉积设备中的基板进行预处理；(2)在经过预处理的基板上按照常规多晶金刚石片生长的过程形核
生长微波等离子体化学气相沉积多晶金刚石片预处理金刚石颗粒抛光基板光洁度多晶金刚石材料人造金刚石多次重复厚度要求厚度增大金刚石片有效抑制金刚石研磨毫米级后表面增大的自支撑关机多晶细化形核

[发明专利]铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法-CN201810786224.8有效
发明人：赵洪阳;马志斌;程振祥;王欢;蔡康 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法，它以乙酰丙酮铁作为铁源，无水乙醇作为碳源，通过无水乙醇将乙酰丙酮铁引入微波等离子体化学气相沉积装置中，在基底上生长铁掺杂金刚石，实现将铁元素引入稀磁金刚石中本发明首次以乙酰丙酮铁作为铁源，通过挥发的无水乙醇将其引入，采用微波等离子体化学气相沉积法制备稀磁金刚石半导体，并成功生长出在室温下具有铁磁效应的金刚石。
掺杂金刚石半导体及其制备方法

[发明专利]金刚石半导体结构的形成方法-CN202110357393.1有效
发明人：张粉红;李熙规 -专利权人：化合积电（厦门）半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明提供一种金刚石半导体结构的形成方法，包括：在提供氢气和甲烷的条件下，且在未加入催化气体的条件下，采用微波等离子体化学气相沉积法，在衬底上，进行金刚石生长初始阶段，以在衬底上生长第一多晶金刚石层；在提供氢气和甲烷的条件下，且在加入催化气体的条件下，继续采用微波等离子体化学气相沉积法，在第一多晶金刚石层上，进行金刚石生长加速阶段，以在第一多晶金刚石层上生长第二多晶金刚石层；对第二多晶金刚石层进行匹配研磨。
金刚石半导体结构形成方法

[实用新型]一种微波等离子体化学气相沉积形成的金刚石膜-CN201821457308.9有效
发明人：龚闯;吴剑波;朱长征;余斌 -专利权人：上海征世科技有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波等离子体化学气相沉积形成的金刚石膜，所述金刚石膜包括离型层、第一光学胶层、抗静电透明PET膜层、金刚石层、导热胶层、透明PET膜层和印刷涂层，所述抗静电透明PET膜层通过第一光学胶层固定在离型层上，所述金刚石层通过微波等离子体化学气相沉积工艺直接设置在抗静电透明PET膜层上，所述透明PET膜层通过PU胶层设置在金刚石层上，所述印刷涂层设置在透明PET膜层上。
透明PET膜微波等离子体化学气相沉积金刚石层金刚石膜抗静电本实用新型光学胶层印刷涂层离型层抗静电效果印刷导热胶层平板电脑直接设置保护膜美观性手机电子产品墨水

[实用新型]一种微波等离子体化学气相沉积装置-CN202223087734.7有效
发明人：刘洪涛 -专利权人：苏州墨时科技有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C16/511 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括装置本体，所述装置本体的内部活动连接有密封门，所述装置本体的外部设置有连接管道，所述装置本体的外部设置有防烫结构组件；所述防烫结构组件包括滑条、防烫外壳该微波等离子体化学气相沉积装置，通过设置滑条、防烫外壳和滑槽，使得装置本体便于从防烫外壳的内部安装拆卸，当防烫外壳受到损伤时，便于安装更换，同时可以避免工作人员不小心误碰到装置外壳造成烫伤，通过设置真空腔
一种微波等离子体化学沉积装置