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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]微凸块结构-CN201010164422.4无效
发明人：张道智;詹朝杰;蔡宗甫 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-04-15 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明公开了一种微凸块结构，具有自动对准功效的凹形。该微凸块结构至少包括：至少一焊垫，位于一半导体基底上；一保护层，位于该焊垫上并覆盖部分该焊垫；一环形金属层，位于该保护层的一开口中，至少覆盖该开口的侧壁与该开口边缘的部分该保护层；以及一中央下凹的盘状金属结构该微凸块结构利用其中央凹陷结构，来协助与对应微凸块达成精准的高对位度。
微凸块结构

[发明专利]微凸块接合装置-CN201610769934.0有效
发明人：沈文维;陈承先;郭正铮;陈明发;王荣德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种微凸块接合装置，包括一工件，其包括一金属凸块；以及一介电层，其具有位于上述金属凸块正上方的一部分。上述金属凸块和上述介电层的上述部分的一表面形成一介面。一金属表面处理物形成于上述金属凸块的上方且接触上述金属凸块。上述金属表面处理物从上述介电层的上方延伸上述介面的下方。通过本发明实施例的接合结构，可强化现有技术的弱点，且可改善接合结构的可靠度。
微凸块接合装置

[发明专利]微凸块接合装置-CN201010546155.7无效
发明人：沈文维;陈承先;郭正铮;陈明发;王荣德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-11-10 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微凸块接合装置，包括一工件，其包括一金属凸块；以及一介电层，其具有位于上述金属凸块正上方的一部分。上述金属凸块和上述介电层的上述部分的一表面形成一介面。一金属表面处理物形成于上述金属凸块的上方且接触上述金属凸块。上述金属表面处理物从上述介电层的上方延伸上述介面的下方。通过本发明实施例的接合结构，可强化现有技术的弱点，且可改善接合结构的可靠度。
微凸块接合装置

[发明专利]微凸块结构的制造方法-CN201310108676.8有效
发明人：廖宗仁 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2013-03-29 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本揭露涉及一种微凸块(micro bump)结构的制造方法，其包含提供一基板；形成一球下冶金层于该基板中供容置锡球；设置一缓冲层于该基板上；置放一锡球于该球下冶金层上并与其接合；以及硏磨该锡球使其高度达到一预定值
微凸块结构制造方法

[发明专利]具有微凸块的半导体器件及其测试方法-CN202010749399.9在审
发明人：朴怜浚;丘泳埈;文峻一;尹炳国;崔锡佑 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请公开了具有微凸块的半导体器件及其测试方法。该半导体器件包括：多个第一微凸块，其适用于传送正常信号；多个第二微凸块，其适用于传送测试信号；以及测试电路，其包括分别对应于第一微凸块和第二微凸块的多个扫描单元。测试电路适用于：将储存在相应的扫描单元中的信号施加到第一微凸块和第二微凸块；将所施加的信号从第一微凸块和第二微凸块反馈到相应的扫描单元；以及将储存在多个扫描单元中的信号按顺序输出到测试输出焊盘。
具有微凸块半导体器件及其测试方法

[发明专利]用于封装件中的传输线的方法和装置-CN201310150868.5有效
发明人：林佑霖;颜孝璁;郭晋玮;郑敏祺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：公开了利用微凸块层形成带有传输线的半导体器件封装件的方法和装置。微凸块层可以包括在顶部器件和底部器件之间形成的微凸块和微凸块线。可以利用底部器件上方的微凸块线形成信号传输线。可以利用底部器件内的再分布层(RDL)或利用其他微凸块线形成接地面。RDL形成的接地面可以包括开口槽。可以在微凸块线上方和下方的底部器件和顶部器件存在RDL以形成部分接地面。
用于封装中的传输线方法装置

[发明专利]用于使用微凸块执行机器学习操作的系统-CN202011413418.7在审
发明人： P·卡莱 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请案涉及用于使用微凸块执行机器学习操作的系统。公开包含具有微凸块的机器学习处理装置和存储器装置的系统。机器学习处理装置用于执行机器学习操作，其中所述机器学习处理装置包含第一微凸块集。存储器装置用于存储用于所述机器学习操作的数据，其中所述存储器装置包含第二微凸块集。所述存储器装置的第一微凸块集与所述机器学习处理装置的所述第二微凸块集耦合。所述存储器装置的所述第一微凸块集和所述机器学习处理装置的所述第二微凸块集用以发射用于所述机器学习操作的所述数据。
用于使用微凸块执行机器学习操作系统

[发明专利]镍-锡微凸块结构及其制造方法-CN201780049772.6有效
发明人： R·贾因;K·O·李;A·E·舒克曼;S·S·卓 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：用于在集成电路封装衬底上提供与表面水平微凸块的有效连接的技术和机制。在实施例中，以各种方式对不同的金属进行电镀以形成微凸块，所述微凸块穿过衬底的表面水平电介质延伸到包括铜的种子层。微凸块包括镍和锡，其中镍有助于减轻种子层铜的吸收。在另一个实施例中，微凸块具有锡的质量分数或镍的质量分数，其在沿着微凸块的高度的各个区域中是不同的。
锡微凸块结构及其制造方法

[发明专利]锡-锌微凸块结构及其制作方法-CN201780050271.X有效
发明人： S.C.J.查瓦利;A.E.舒克曼;李圭伍 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：用于提供与集成电路封装衬底上的表面水平微凸块的有效连接的技术和机制。在一实施例中，以各种方式电镀不同金属，以形成延伸通过衬底的表面水平电介质到包括铜的种子层的微凸块。所述微凸块包括通过促进微量成分在所述微凸块中的形成而减轻残余铜的沉淀的锡和锌的组合。在另一实施例中，所述微凸块具有锌的质量分数或锡的质量分数，其在沿所述微凸块的高度的各种区中不同。
锌微凸块结构及其制作方法

[发明专利]堆叠式三维集成芯片片间互联微凸块矩阵的规划方法-CN201510194977.6有效
发明人：陈超;张晓健;李士翔;汪隽 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：堆叠式三维集成芯片片间互联微凸块矩阵的规划方法属于集成电路芯片三维布线最佳设计的计算机辅助设计技术领域，其主要步骤为，在给定上、下层的引脚和微凸块的相对位置和数量的条件下，为每组引脚建立包围框；建立表示微凸块和包围框之间的位置关系的矩阵A和矩阵B，矩阵A内的元素表示微凸块是否在包围框内，矩阵B内的元素表示微凸块和包围框之间的曼哈顿距离之和；使用匈牙利算法使微凸块和包围框之间唯一对应且曼哈顿距离之和最小；对根据上述匈牙利算法的结果对微凸块和引脚进行预连接；综合利用互换和绕线的方法，把已经分配的好的微凸块中出现的十字交叉消除。
堆叠三维集成芯片片间互联微凸块矩阵规划方法

[发明专利]具有微凸块以发射用于机器学习操作的数据的存储器装置-CN202011402551.2在审
发明人： P·卡莱 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请案涉及具有微凸块以发射用于机器学习操作的数据的存储器装置。公开一种包含具有微凸块的存储器装置的系统。非易失性存储器装置存储用于机器学习操作的数据。所述非易失性存储器装置包括微凸块集。所述微凸块集将用于所述机器学习操作的所述数据从所述非易失性存储器装置发射到执行所述机器学习操作的机器学习处理装置的另一微凸块集。
具有微凸块发射用于机器学习操作数据存储器装置

[发明专利]凸块形成装置、凸块形成方法以及凸块形成程序-CN202180075021.8在审
发明人：田中清贵 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：凸块形成装置(1)包括接合工具(15)及接合控制部(10)，接合控制部构成为执行压接工序(S14)、放出工序(S15)、按压工序(S16)以及切断工序(S17)，基于与引线(w)相关的第一参数以及与接合工具
形成装置方法以及程序

[实用新型]一种防锡须镀锡铜带-CN202022770680.9有效
发明人：崔承范 -专利权人：三铃制线（东莞）有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及铜带技术领域，具体涉及一种防锡须镀锡铜带，包括由三元合金铜线挤压成型的合金铜带、镀设于合金铜带表面的镀锡层；所述合金铜带包括上表面两侧挤压成型有上微凸块、下表面两侧挤压成型有下微凸块，所述上微凸块与下微凸块为相对设置；所述镀锡层为将所述上微凸块和下微凸块包覆；本实用新型采用三元合金的铜线挤压成型，通过三元合金挤压形成的合金铜带，并在表面镀设有镀锡层，能够有效起到防锡须，尤其的在铜带使用中，防锡须效果好，使用寿命长。
一种防锡须镀锡

[发明专利]具有增大元件密度的同构管芯堆叠-CN202210926399.0在审
发明人：马赫什·K·库马什卡尔;迪拉杰·苏贝尔蒂;安克雷迪·纳拉马尔普;穆德·阿尔塔夫·侯赛因;阿图尔·马赫什瓦里 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：一种集成电路器件，包括：多个微凸块；以及顶部可编程结构管芯，其包括第一可编程结构和耦合到多个微凸块的第一微凸块接口。该集成电路器件还包括底部可编程结构管芯，其具有第二可编程结构和经由与多个微凸块的耦合而耦合到第一微凸块接口的第二微凸块接口。顶部可编程结构管芯和底部可编程结构管芯具有相同的设计。
具有增大元件密度同构管芯堆叠

[发明专利]测试探测结构-CN201210076897.7有效
发明人：王敏哲;陈卿芳;桑迪.库马.戈埃尔;袁忠盛;叶朝阳;刘钦洲;李云汉;林鸿志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-03-21 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：该结构包括衬底、衬底通孔、形成在衬底的第一表面以接合探测卡的凸块阵列以及在衬底的第二表面上的至少一个探测单元。该探测单元包括形成在衬底的一个表面上的导电探测焊盘以及与该焊盘互连的至少一个微凸块。该焊盘通过通孔电连接到凸块阵列。一些实施例包括多个与焊盘相连接的微凸块，该焊盘被配置为与DUT上的微凸块匹配阵列相接合。在一些实施例中，DUT可以通过从探测卡通过凸块和微凸块阵列施加测试信号进行探测，而不直接探测DUT微凸块。
测试探测结构

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