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[发明专利]一种聚光式太阳能光伏‑热电‑余热一体化系统-CN201410470627.3有效
发明人：王长宏;林涛;吴浩东;谭健康 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H02S10/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚光式太阳能光伏‑热电‑余热一体化系统，包括聚光菲涅耳透镜、相变储能换热装置、太阳能砷化镓电池、温差发电芯片，相变储能换热装置装在螺杆的下端，聚光菲涅耳透镜装在螺杆的上端，太阳能砷化镓电池装在菲涅尔透镜的光路聚焦处，温差发电芯片置于砷化镓电池和相变储能装置之间，并通过耐高温粘结剂进行粘结，温差发电芯片通过以砷化镓电池作为热端和相变储能装置作为冷端，温差发电芯片所发出的电压送入蓄电池存储，安装在螺杆上的聚光菲涅耳透镜、相变储能换热装置、太阳能砷化镓电池通过螺母固定。
一种聚光太阳能热电余热一体化系统

[实用新型]聚光式太阳能光伏-热电-余热一体化系统-CN201420530971.2有效
发明人：吴浩东;王长宏;林涛 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H02S10/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种聚光式太阳能光伏-热电-余热一体化系统，包括聚光菲涅耳透镜、相变储能换热装置、太阳能砷化镓电池、温差发电芯片，相变储能换热装置装在螺杆的下端，聚光菲涅耳透镜装在螺杆的上端，太阳能砷化镓电池装在菲涅尔透镜的光路聚焦处，温差发电芯片置于砷化镓电池和相变储能装置之间，通过耐高温粘结剂进行粘结，温差发电芯片通过以砷化镓电池作为热端和相变储能装置作为冷端，温差发电芯片所发出的电压送入蓄电池存储，安装在螺杆上的聚光菲涅耳透镜、相变储能换热装置、太阳能砷化镓电池通过螺母固定。
聚光太阳能热电余热一体化系统

[发明专利]一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构-CN201511032304.7在审
发明人：刘丽蓉;马莉;夏校军 -专利权人：东莞市青麦田数码科技有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，该结构自上而下依次是：一半绝缘单晶砷化镓衬底(101)；一在该砷化镓单晶衬底层(101)上形成的砷化镓沟道层(102)；一在该N型掺杂的砷化镓沟道层
一种 gan 界面 gaas 沟道 mos 结构

[发明专利]砷化镓太阳能电池阵列的电路设计-CN201610787613.3在审
发明人：李阳;卢少荣 -专利权人：李阳;卢少荣
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明是将砷化镓太阳能电池通过有序的排成阵列形状，在一块103.3mm*95.9mm的面积上，有5个独立的砷化镓太阳能电池串联阵列并在接受光能量时5个独立的砷化镓太阳能电池串联阵列分别输出各自的电压电流这样避免了砷化镓太阳能电池阵列组件在聚光光斑不均匀的情况下效率下降的情况，也能使得每组电池阵列在不同的光功率下彼此不受影响，更有效的发挥效能。
砷化镓太阳能电池阵列电路设计

[发明专利]光耦芯片砷化镓材质晶粒开盖方法-CN202210450384.1在审
发明人：赖献滨 -专利权人：苏试宜特（深圳）检测技术有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种光耦芯片砷化镓材质晶粒开盖方法，包括步骤：提供光耦芯片，所述光耦芯片是通过硅胶将砷化镓材质晶粒与硅材质晶粒对立封装；将所述光耦芯片上硅材质晶粒端引线架以及硅材质晶粒研磨去除，并将所述硅胶减薄；对已研磨并减薄的光耦芯片进行腐蚀，直至所述砷化镓材质晶粒露出。采用本方法，避免了在开盖制备样品的过程中砷化镓材质晶粒因长时间腐蚀被破坏，方法简单，快速，且有效提高了样品制备良率。
芯片砷化镓材质晶粒方法

[发明专利]半导体光检测器的制作方法-CN01820328.0无效
发明人：新垣実;中嶋和利 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2001-11-09 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明的半导体光检测器的制作方法的特点是，在砷化镓衬底上形成含有光吸收层(4)的多层膜(2－7)。使该砷化镓衬底(1)与玻璃衬底(8)重叠，而使多层膜的最表面膜(7)与玻璃衬底(8)相互接触后，向砷化镓衬底(1)和玻璃衬底(8)之间加压并同时加热，使两衬底(1)、(8)融接。然后，通过蚀刻先除去砷化镓衬底(1)和缓冲层(2)，接着除去蚀刻停止层(3)。然后，形成与光吸收层(4)相连接并相互隔开的梳状肖特基电极(10)、(11)。
半导体检测器制作方法

[实用新型]一种砷化镓多晶合成用舟状坩埚-CN201921013413.8有效
发明人：罗小龙;周铁军;王金灵;刘留;刘火阳 -专利权人：广东先导先进材料股份有限公司
申请日： 2019-06-29 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种砷化镓多晶合成用舟状坩埚，包括坩埚主体，坩埚主体的内腔中设置有挡板，挡板将内腔分隔为较大的主体腔以及较小的富镓腔，挡板的顶端与坩埚主体的开口端齐平，挡板的底端与坩埚主体的底部之间形成有连通主体腔与富镓腔的间隙，在应用时，砷化镓从主体腔远离富镓腔的一端按照由远及近、由上到下的方向逐渐冷却结晶，对流动的镓产生推动作用，促使其从间隙进入富镓腔中，当结晶完成后，挡板直接将富镓段与砷化镓间隔分开，在取出时就可使富镓段直接从砷化镓结晶上断开，避免二次切割加工，从而达到减少加工损耗，提高效率，降低人工成本的目的，同时富镓段未受到任何加工污染，还可以继续回炉使用，减少了浪费。
一种砷化镓多晶合成用舟状坩埚

[发明专利]一种三结太阳能电池及其制备方法与应用-CN202210377745.4有效
发明人：刘建庆;刘雪珍;高熙隆;杨文奕 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种三结太阳能电池及其制备方法与应用，该三结太阳能电池依次包括以下各层：依次包括以下各层：图形化砷化镓衬底；应力缓冲层；和子电池组。本发明还公开该太阳能电池制备方法，其包括以下步骤：S1、在砷化镓衬底上刻蚀出台状图形，得所述图形化砷化镓衬底；S2、在图形化砷化镓衬底上生长所述应力缓冲层；S3、在所述应力缓冲层表面生长所述子电池组。
一种太阳能电池及其制备方法应用

[发明专利]一种砷化镓晶片清洗方法-CN200410096843.2无效
发明人：徐永宽;杨洪星;刘春香;吕菲 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2004-12-08 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓晶片清洗方法，包括以下基本步骤：(1)采用第一溶液进行第一次兆声清洗；(2)第一次漂洗；(3)第一次干燥处理；(4)用紫外臭氧清洗机清洗；(5)采用第二溶液进行第二次兆声清洗；(6第一溶液为碱性水溶液，对砷化镓有轻微腐蚀作用；第二溶液为酸性水溶液，对砷化镓的氧化层有腐蚀作用。本发明通过步骤(1)可去除大部分颗粒，通过步骤(4)可将有机物基本去除，通过步骤(5)可彻底将吸附的颗粒和金属离子去除，并在砷化镓表面形成富砷表面，可以直接进行外延生长。采用本发明方法清洗砷化镓抛光片，不会出现破坏抛光表面的现象。
一种砷化镓晶片清洗方法

[发明专利]一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的制备方法-CN200810079375.6有效
发明人：许并社;梁建;马淑芳;郭普庆;赵君芙;黄平;王玉 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种发红光的掺氧砷化镓多晶薄膜的制备方法，它是以砷化镓、氧化镓、氧化铟为原料，以砷化镓基片为薄膜生长载体，以盐酸、无水乙醇、双氧水、去离子水为清洗剂，以氩气为载气和保护气体，以次氯酸纳、氢氧化钠、磷酸、去离子水为废气回收剂，制备是在管式高温炉中进行的，在石英管内高温区段置放L形石英舟，在L形石英舟左部放置原料粉末，右部斜置砷化镓基片，在800±5℃状态下，在氩气气氛中，原料粉末进行形态转换、气相沉积、薄膜生长，在基片上生成灰黑色掺氧砷化镓多晶薄膜，薄膜为胶粘式颗粒联结而成波浪状，发红光，制备中的有毒气体进行回收，不污染环境，此制备方法工艺流程短、薄膜成形快、产物纯度高，可达99％。
一种红光掺氧砷化镓多晶薄膜制备方法

[发明专利]石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹探测器及其制作方法-CN201910865062.1在审
发明人：杨冬晓;王畅;林时胜;陆阳华;胡欣怡 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹光电探测器及其制作方法。在N型砷化镓衬底上自下而上依次有三氧化二铝绝缘层、石墨烯层，并设有第一电极以及边电极；制备方法是先在N型掺杂的砷化镓片上制作边电极及三氧化二铝绝缘层，将石墨烯转移到三氧化二铝上，使得石墨烯/三氧化二铝/砷化镓接触形成隧穿异质结；再在石墨烯上制作第一电极，得到石墨烯/三氧化二铝/砷化镓光电探测器。
三氧化二铝石墨烯砷化镓绝缘层太赫兹光电探测器第一电极边电极异质结制作光电探测器太赫兹波段器件工艺器件性能砷化镓片石墨烯层隧穿效应响应度暗态衬底隧穿制备探测优化

[发明专利]一种砷化镓晶圆水平法切割装置-CN202111657798.3在审
发明人：袁永 -专利权人：苏州诺富微电子有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本发明公开了砷化镓生产加工技术领域的一种砷化镓晶圆水平法切割装置，包括工作台与驱动电机，所述工作台表面开设有放置砷化镓晶柱的凹槽，所述凹槽的底部为弧形，所述凹槽的底部滑动连接有驱动推杆；本发明在工作前，通过砷化镓晶柱厚度的不同来间接调节打磨辊右端的位置，从而来调节打磨辊所能打磨的最大圆直径，有利于根据砷化镓晶柱厚度的不同来确定打磨的最大圆柱的晶柱，从而减少多余的打磨，避免浪费；连接球与其上的十字环形槽可以满足打磨辊与转动齿轮转动轴之间的角度调节
一种砷化镓晶圆水平切割装置

[发明专利]太赫兹肖特基二极管的制造方法-CN201210382892.7有效
发明人：王昊 -专利权人：王昊
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了太赫兹肖特基二极管的制造方法，包括：在砷化镓半导体衬底上依次形成高浓度掺杂砷化镓层和低浓度掺杂砷化镓层；在高浓度掺杂砷化镓层上形成欧姆接触阴极和欧姆接触金属；在低掺杂浓度砷化镓层上形成具有小孔的二氧化硅层
赫兹肖特基二极管制造方法

[发明专利]一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺-CN201610174316.1有效
发明人：任华;汪耀祖 -专利权人：杭州立昂东芯微电子有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺，包括以下步骤：（1）将已经完成前段器件工艺加工后的砷化镓半导体基片粘附在蓝宝石载体上；（2）将步骤（1）中的砷化镓半导体基片进行机械减薄；（3）将步骤（2）中的砷化镓半导体基片浸于刻蚀液中进行化学腐蚀；（4）将化学腐蚀后的砷化镓半导体基片取出后经清洗、干燥，直接进行后端光刻及后续加工即可。
一种砷化镓半导体湿法刻蚀工艺

[发明专利]一种基于衍射光学元件的光伏模块及其制作方法-CN201910664260.1有效
发明人：江翼;张静;刘正阳;黄勤清;周文;张素香;于春来;陈佳;许晓路;李永祥;符聪 -专利权人：国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网山西省电力公司电力科学研究院;南瑞集团有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明涉及光伏发电技术领域，具体指一种基于衍射光学元件的光伏模块；包括导热基材，导热基材上设有若干砷化镓芯片，若干砷化镓芯片依次串联构成转化模块，且该转化模块上封盖有衍射光学元件；所述导热基材上设有所述转化模块的正负极接线柱；本发明结构合理，砷化镓芯片以特定的排列方式进行串联组合，保持每个芯片一致性的同时，最大化利用激光能量，提升砷化镓光伏模块的稳定性；采用镀有800nm‑850nm波长增透膜的衍射光学元件(D0E)代替光伏芯片上传统的玻璃盖板，其中心区石英材料掺入金属元素对激光起到散射作用，起到均匀光强的作用，提升砷化镓芯片的实际光电转换效率。
一种基于衍射光学元件模块及其制作方法